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“Story of Image Sensor, Intelligent Electric Eye” Slide 23
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“Story of Image Sensor, Intelligent Electric Eye” Slide 23
+++++++++++++ Yoshiaki Hagiwara +++++++++++++++

DRAMの回路と MOS Image Sensorの回路は、
ほぼ同じです。そして発明されたのもほぼ
同じでした。

IBMのレナードが1966年は One T One C の
DRAM CELLを発明しました。

しかしその出力読み出しがまだ量産に耐える
安定して特性が出せず、 Intel社はそのすきに 
世界で初めて Three T One C のDRAM CELLを
商品化しました。

一方 英国 Plessy社の技術者だった、
Peter Noble は、1966年に MOS Image Sensor 
用に、Three T One C の 受光素子部で
直接電流増幅する in pixel active source follower
増幅回路を発明しています。

ただ実用化されたのは、このイメージセンサの、
アクティブピクセルとして、CMOSで採用された
のはこの21世紀になってからです。

CMOSの微細化技術の進歩によります。

また、CMOS inverter回路の優れた、電流電圧特性、 
IV 特性に、よるところが大きいです。

いろいろな inverter 回路が過去に開発されています。

またインバーター回路に対応して、source follower
回路というものもあります。

入力と出力が反転するものをインバーター回路
といいますが、source follower回路の場合は、
入力と出力は同相です。

ただし、電流増幅または電圧増幅するのが目的です。

入力インピーダンスがほぼ無限大で、
かつ入力容量がほぼゼロというのが
このsource follower回路の特徴です。




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Hagiwara at Sony invented Pinned Photodiode in 1975
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Yoshiaki Hagiwara wrote a book on
"the World of Artificial Intelligent Digital Circuits",
which is important and needed to built
the intelligent image sensor systems.

ISBM978-4-88359-339-2
Hard Cover, 460 page,
\ 9000 Japanese Yen + tax

If you are interestied in the book, Please visit

https://www.seizansha.co.jp/ISBN/ISBN978-4-88359-339-2.html

https://www.seizasha.co.jp/






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