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“Story of Image Sensor, Intelligent Electric Eye” Slide 21
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“Story of Image Sensor, Intelligent Electric Eye” Slide 21
+++++++++++++ Yoshiaki Hagiwara +++++++++++++++

PN接合を逆バイアスしますと、電流が流れませんが、
容量としては使うことが可能です。

One C One Tの MOS Image Sensor は
DRAM回路とほぼ同じ構成で作られます。

また、 chip サイズと 歩留まりも、 
生産性と採算性で、強い相関があります。

イメージセンサーは3分の2 inch光学系から、
スマフォや携帯用に小さな chipサイズが
このごろ主流になってきています。

SRAMやDRAMはなだらかに大容量化に
向かって進んでいます。

またイメージセンサーのピクセルサイズも
感度を犠牲にしてまで小さくはできません。

イメージセンサーの絵素のサイズは
かなりなだらかな減少になります。

また CMOSの微細化技術の進歩のお蔭で、
また現在では、3次元の実装技術により、
SRAM 構造の各々のメモリーCell に
光を照射して、受光素子として利用し、 
同時にその出力信号をAD変換器や
Flip-Flop回路に入力処理することも
可能となりました。




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Hagiwara at Sony invented Pinned Photodiode in 1975
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Yoshiaki Hagiwara wrote a book on
"the World of Artificial Intelligent Digital Circuits",
which is important and needed to built
the intelligent image sensor systems.

ISBM978-4-88359-339-2
Hard Cover, 460 page,
\ 9000 Japanese Yen + tax

If you are interestied in the book, Please visit

https://www.seizansha.co.jp/ISBN/ISBN978-4-88359-339-2.html

https://www.seizasha.co.jp/






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