Slide_Sony_Atsugi_Tech_2020_07_10_Slide041_to_050.html
by Yoshiaki Daimon Hagiwara
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide041
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
1972年当時は Intel社は PMOS Transistorの商品化に最初成功しました。
NMOSより、PMOS Transistorの方が シリコン表面の固定電荷Qssの抑圧
が簡単だったからです。しきい値の制御に Qss/Co の項の影響は非常
に大きく、固定電荷Qssの変動はしきい値 Vth の変動となり現れて歩留
まり低下の原因でした。それで PMOS Transistor から手がけました。
PMOS Transistor では、Source と Drain 領域を P typeの拡散層で形成
しますので、N type 基板を用います。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide042
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
まず、N type 基板の表面を酸化します。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide043
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
PMOS Transistorの Active 領域を定義し、その部分の酸化膜を除去します。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide044
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
再びその領域を薄く酸化し、Gate 酸化膜として後で使います。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide045
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
PMOS Transistorの Polysilicon 電極を形成します。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide046
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
PMOS Transistorの Polysilicon 電極の表面を酸化し保護します。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide047
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
次に Polysilicon 電極 と Active 領域の回りの 厚いFiled 酸化膜を
mask として、イオン打ち込みで source と drain を形成します。
ここで熱拡散による従来の source と drain を形成と違って、
Intel社は イオン打ち込み技術により source と drain を形成しました。
イオン打ち込み技術の場合は、そのsource と drain 領域の不純物原子の
ピーク濃度の位置を、シリコン表面だけでなく、自由に深さを制御できます。
これは ＫＮＯＷＨＯＷで当時は企業秘密でした。
でもだれでも気が付くことで、Intel社は あえて 特許にしなかったと記憶します。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide048
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
その結果、source と drain 領域は、図の様に 埋め込みＰ層になりました。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide049
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
後は金属コンタクトを このsource と drain 領域と Polysilicon 電極に
つける必要がありますが、さてこの後は Intelはどうしたでしょうか？
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Slide050
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
単純にまず、金属コンタクト様に 酸化膜に窓を開けます。
More Slides :
*****************************************************
Slide051_to_060
Slide061_to_070
Slide071_to_080
Slide081_to_090
Slide091_to_100
Slide101_to_110