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“Story of Image Sensor, Intelligent Electric Eye” Slide 14
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“Story of Image Sensor, Intelligent Electric Eye” Slide 14
+++++++++++++ Yoshiaki Hagiwara +++++++++++++++
このスライドでは6種類のイメージセンサーと
その6種類の特徴をテーブルにまとめたものです。
1978年には東芝の山田さんが基板にNP接合を
構成する、NPNsub接合型のVOD受光素子を
発明されました。
またNECの寺西さんは基板にPN接合を構成する、
PNPsub接合型の、埋め込み型受光素子を
1980年に発明されました。
この東芝の山田さんのNP接合とNECの寺西さんの
PN接合を合体したものが、P+NP接合構造の
受光素子で、萩原は1975年にP+NPNsub接合型の、
ＶＯＤ機能付き Pinned Photodiodeの受光素子を
発明しました。
この1975年萩原考案の構造は、山田さんと
寺西さんの両方の受光素子の特性を持ち、
かつ、電子 shutter という、新しい機能までも、
この合体された構造では、可能になりました。
全てがマルになります。電子 shutterというものが
実現するためには、P+表面電位が完全に固定、
ピン止めされた Photodiodeでなければなりません。
残像のない受光素子でなければ 電子 shutter
として機能しません。
山田さんのN+P接合型受光素子では表面の
電荷蓄積部が浮遊状態ですので、ピン止め
されておらず、残像が生じる場合があり、
電子Shutterとして機能はしません。
また、NECの寺西さん考案の、埋込み型の
PNP接合型受光素子も、受光面が必ずしも、
電圧固定されておらず、ピン止めされていません。
埋込み型Photodiodeは必ずしも Pinned
Photodiodeではありえません。
このNECの寺西さん考案の構造でも、
電子Shutteｒ機能も持たないのは明白です。
実はこの電子 shutter機能の実現が、
ソニーが世界のビデオカメラ市場を
制覇する強力な武器となりました。
ソニーが世界のビデオカメラ市場を
制覇できたのは、超光感度で、
低表面暗電流特性を持ち、かつ、
残像がなく、ＶＯＤ付きで、かつ、
隣接するP+の Channel Stops 領域で
受光面がピン止めされた P+NPNsub
接合構造が組み込まれ、高速アクション
撮影を可能にした、電子shutter 機能の
Pinned Photodiode だったからです。
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