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“Story of Image Sensor, Intelligent Electric Eye” Slide 07
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“Story of Image Sensor, Intelligent Electric Eye” Slide 07
+++++++++++++ Yoshiaki Hagiwara +++++++++++++++
イメージセンサーの開発の歴史の中で、
一番重要なのは、感度です。
イメージセンサーは感度が命です。
このスライドは、1978年ソニーが 380Ｈ ×498 V の
フレームトランスファー型イメージセンサーを、
世界初の超感度受光素子、P+NP接合型 Pinned Photodiode、
後にソニーは Hole Accumuation Diode (HAD) と呼んだもの
ですが、それを採用したものが、1978年に東京で開催された、
応用物理学会主催の1978年度の国際学会固体素子 Conference
1978年で、萩原・阿部・岡田の３名の名前で、世界ではじめて、
このP+NP接合型 Pinned Photodiodeに関する、original 論文を
発表しました。
低表面暗電流特性を持ち、短波長光感度が大きく、
雑音が少なく、残像のない映像を実現しました。
配線容量とClock雑音が大きい、当時のMOS型ビデオカメラを、
大きく引き離す結果となりました。
２年後 1980 年７月には、世界初のワンチップのCCDビデオ
カメラをソニーは、東京では岩間社長が、ニューヨークでは
盛田会長が同時に、大々的に新聞発表しました。
超光感度、Hole Accumulation Diodeの新聞発表でしたが、
残念ながら超感度の主役はＣＣＤと誤解されることに
なりました。
571H×498 Vの ワンチップの Frame Transfer 型の
カラーＣＣＤイメージセンサーの実現として理解され、
超感度受光素子の発明には関心がありませんでした。
この構造に採用されたのが、超感度受光素子の、
受光面が隣接する、高濃度の P+ Channel Stops
領域に直接接続された、P+NP接合型の、Hole
Accumulation Diode (HAD) です。
P+NP接合型の、Hole Accumulation Diode (HAD)とは、
受光面がＧＮＤ電圧に固定、ピン止めされた、Pinned
Photodiodeです。
埋込み型の信号電荷蓄積層、Ｎ層を持ちます。
表面の受光面にはＰ＋の濃い Hole Accumulation 領域
があり、その横には、Ｐ＋の濃い、チャネルストップ
が隣接することがその条件になります。
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