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The AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Home Page 035
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（１） Introduction
（２） Sony original HAD sensor の背景
（３） the pinned photo diode と Sony original HAD sensorは同じもの
（４） 萩原良昭の自己紹介と活動報告
（５） 萩原1975年出願特許（ Hagiwara Diode の発明）のお話
（６） 米国 Fairchild社とＳＯＮＹの特許戦争について
（７） ＮＥＣ日電とＳＯＮＹの特許戦争について
（８） Fossum 2014年 Fake 論文について
（９） まとめ
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（５） 萩原1975年出願特許（ Hagiwara Diode の発明）のお話
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Hagiwara at Sony is the true inventor of Pinned Photo Diode.
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萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の解説
萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の原文
萩原1975年特許( pinned photo diode Patnet 1975 )の画像
https://patents.justia.com/inventor/yoshiaki-hagiwara
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Hagiwara at Sony is the true inventor of Pinned Photo Diode.
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萩原は1975年にSONYに入社し、SONYの横浜中央研究所に配属され、
家庭用小型ビデオカメラ用の固体撮像素子の研究開発に従事しました。
残像がなく低雑音のＣＣＤ( 電荷結合素子 ) は脚光を浴びていました。
CCDは、電子のかたまり（電荷）を取り残しなく転送できる固体素子として、
すなわち、電荷転送装置(CTD) としては優れた特徴がありました。
埋め込みチャネル型ＣＣＤの転送効率は、99.999％近い値でした。
しかし、CCD は本来MOS容量構造なので光を透過することができません。
固体撮像装置の受光構造には不向きで利用することは不可能でした。
そこで萩原はSONYに入社してすぐ1975年、CCDの受光素子に代わる、
優れた特徴を持つ受光素子( Hagiwara Diode )を発明し特許申請しました。
CCDが持つ、低雑音で残像なしの特徴をも兼ね備え、さらに超感度な、
P+NPNsub junction capacitor 構造の受光素子が Hagiwara Diodeです。
表面が光と通過するガラス質の SiO2 酸化膜で保護された受光素子です。
３年後、1978年萩原は、この超感度のHagiwara Diodeを受光構造として採用し、
CCD型ＣＴＤを電荷転送構造とした FT CCD image sensor の原理試作に成功し、
SONYの 8 mm ビデオムービー試作に、FT CCD image sensor は採用されました。
そして、1978年、東京では岩間社長が、一方、New Yorkでは盛田会長が、同時に、
記者会見を開き、その超感度で低雑音でかつ残像なしの特徴をアピールしました。
しかし、ここで世界は誤解しました。ＣＣＤが超感度だと誤解しました。
本当は、萩原が 1975年に発明した Hagiwara Diodeが、実は超感度であり、
かつ、CCDと同様に、低雑音で残像なしの特徴を備えていたから実現しました。
この Hagiwara Diode を SONYは、SONY original HAD と呼び商品展開しました。
萩原特許がSONY固有特許であり、過去に米国 Fairchild社との特許戦争や、
NECとの水面下での特許戦争を乗り越え、SONYが勝利し、正々堂々と、SONY
Original Brand の HAD sensor を商標として事業展開し市場を独占しました。
CCD は 長い間、CCD型の電荷転送装置 (CTD) として活躍しましたが、
現在ではCMOS型の電荷転送装置 (CTD) が主流となっています。
その理由は （１）CCDは大きな容量の充放電による消費電力が大きく、かつ、
（２）転送効率が 99.9999% では 絵素数の多い high vision 画像では
画像信号電荷の取り残しが問題になってきて混色の原因になるからです。
それで、現在では、 digital CMOS image sensor が主流となっています。
MOS image sensor の開発は日本では 1970年代に日立の研究者を中心に
実用化されましたが、Hagiwara diode搭載の CCD imager が超感度であり、
かつ低雑音で残像なしの優れた特徴があり、その優れたSONYのビデオカメラ
の性能に負けて、日立のMOS image sensor は、市場から消えていきました。
当時は日立も、超感度低雑音で残像のない、Hagiwara Diode （ SONY 固有
特許構造 ) を MOS image sensorに採用ことは思い浮かびませんでした。
もともとは CCD image sensor 用に考案された corelated double sampling 法
が MOS image sensor に適応され、clock noise が格段に低減されました。また、
CCDの出力段の source follower 回路を各絵素構造に組み込むことも容易に
周知でしたが、なかなかそこまで各絵素の受光用有効面積を犠牲して組み込む
ことは不可能でした。それを可能にしたのは、MOS transistorの微細技術でした。
また、さらにMOS 技術はCMOS 技術として発展し、高速CMOS Cache memory
chip が生産技術も確立し、digital CMOS image sensor が誕生しました。
SONYが代表する小型の digital ＣMOS image sensor の実用化を可能にした
技術には、image sensor 本体や 一時画像情報保存用の CMOS cache
memory chip だけでなく、現在 USB メモリーで代表される小型の不揮発性
メモリ( NVRAM )の発明( Prof.Szeの発明）の貢献が大きいです。
そしてSONY original HAD sensor 搭載 digital CMOS image sensor となり
今に至ります。
SONY original HAD sensor はSONY固有の商標ですので、萩原が1975年に
発明した Hagiwara Diodeを、世界では、別名の pinned photo diode と
呼ぶようになりました。
Sony original HAD も pinned photo diode も Hagiwara Diodeも同じものです。
この超感度低雑音残像なしの固体撮像装置の受光構造として、萩原が1975年に
発明した Hagiwara Diode は 今でも 活躍しています。現在では、世界では
pinned photo diode と別名で呼ばれ活躍しています。
Hagiwara at Sony is the true inventor of Pinned Photo Diode.
The world does not know the empty potential well
that Hagiwara drew for the first time in the world
in the PNP junction type photo sensor structure (Hagiwara Diode)
that is now also known as pinned photo diode.
The empty potential well is shown below in Fig.6B of Hagiwara 1975 Patent.
The empty potential well is the result of
the complete charge transfer of the photo electrons
to the adjacent CTD , which implies no image lag high quality pictures.
CTD ( charge transfer device ) described in Hagiwara 1975 patent
can be a CCD type CTD and also a CMOS type CTD.
Hence Hagiwara is the true inventor of the pinned photo diode
which can be applied for both CCD image sensors and CMOS image sensors.
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萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の解説
萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の原文
萩原1975年特許( pinned photo diode Patnet 1975 )の画像
https://patents.justia.com/inventor/yoshiaki-hagiwara
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Hagiwara at Sony is the true inventor of Pinned Photo Diode.
1975年萩原発明の Hagiwara Diodeは単純な構造特許である。
その有効な動作（残像なし）に関しては実施例でいろいろな場合で説明している。
基体(substrate）に、単純に PNP 接合構造を設け、そのN層を受光部とする。
そして、隣接する電荷転送素子(CTD)に信号電荷を転送する構造を特徴とする
固体撮像装置、すなわち Hagiwara Photo Diode を特許請求範囲で定義している。
下の図は、電荷転送素子(CTD)を、ＣＣＤではなく、 MOS 型のＣＴＤを採用した例である。
簡潔明解で、短い単純な特許請求文の中で Hagiwara Diode の構造を定義している。
またこの特許の応用構造の一例として、特許に含まれた実施例6Bには、
完全空乏化されたN層の電位図 ( empty potential well ）が提示されている。
この図6Bはあくまで特許の応用例の１つである。
この特許構造 ( Hagiwara Diode ) にはいろいろな有効な動作機能をもつ。
その１つの例として、縦型ＯＦＤ機能が組み込まれていることを示唆したものである。
他にもいろいろな有効な動作機能があることのヒントを示してる。
構造を定義することにより、すべてのその構造による動作は、一般の半導体物理
の教科書や技術者に、その詳細が、その構造のあらゆる動作が記述されている。
構造からその動作は読み取れるものとして、公知文献が存在する場合周知情報となる。
一般に、その動作は構造を見ることにより、容易に専門家の目で見抜く事が可能である。
1975年発明の Hagiwara特許は基体（substrate）に PNP 接合構造を定義している。
すなわち、実際の特許請求範囲では、単純な PNPNsub 接合、すなわち thyristor構造
を受光部として隣接する電荷転送部(CTD)に電荷を転送する固体撮像装置と定義している。
したがって、教科書や技術参考書に公知資料として記述されたthyristor動作、 punch-thru
動作や、 emiiter-base 接合の順方向電流動作などが built-in VOD として機能することも
容易に類推することが可能である。
しかし、特許（発明）は構造特許のみを特許権請求範囲としている。しかし、その実施例に
例として示された具体的な応用例はすべて、その特許の関連発明と見なすことが可能である。
その電位図 ( empty potential well ）は、電荷転送動作が、ＣＣＤ動作と同様に、
完全空乏化転送であることを意味し、残像がない、高速 action pictureの撮像が
可能であることを意味する。
Fossum2014年の fake 論文にはこの事に関する引用が皆無である。
Fossum is a liar と呼ばれて当然の行為で、Fossumは世界をだました。
またこの特許の応用構造の一例として、特許に含まれた実施例の図５は、電荷転送
素子(CTD)として 埋め込みチャネル型CCD を採用した場合の図を示している。
そしてその実施例の図 では、埋め込みチャネル型CCD の埋め込み層のＮ層と、
受光部となる Hagiwara Photo Diode の N 層が同一層で同じ濃度であることを
示し、埋め込みチャネル型CCD の埋め込み層が完全空乏化動作をするのと同様に、
Hagiwara Photo Diode の N 層も完全空乏化動作することを示唆している。
特許に含まれた実施例の図6Bの電位図 ( empty potential well ）は、世界で萩原が
1975年萩原特許 で初めて描いものである。誰も他の者はこの図を描いていない。
これがもとSONYの萩原がpinned photo diodeを1975年に既に発明していた証拠である。
東北大学の鏡教授が指摘している様に、各社呼び名が違うが、SONYのHAD sensorも
世界で後に広く呼ばれるようになった pinned photo diode sensorも同じものである。
そして、SONYのHAD sensorの発明者は萩原であることは、SONY社内で第1級特許
特別褒賞を萩原が受賞していることからも明らかである。
要約(1) 1975 年 萩原は Hagiwawa Diode なるものを発明し、日本語特許を申請した。
(2) 1978年 SONY は Hagiwara Diode 搭載の FT CCD image sensor の原理試作を、
大々的に、東京では岩間社長が、New York では盛田会長が記者会見し、
Hagiwawa Diode を採用することにより可能となった超感度ビデオカメラをアピールした。
(3) 米国 Fairchild社とSony との特許戦争、1991年から2000年に渡る長期の特許戦争は、
1975 年に萩原が発明した Hagiwawa Diode の日本語特許のおかげでSONYが勝利した。
(4) この国 Fairchild社とSony との特許戦争で、1975 年に萩原が発明した Hagiwawa Diode の
日本語特許の存在は大きく、当時の大賀会長、出井社長ほかＳＯＮＹ幹部から謝辞を萩原はもらった。
(5)再び、NECとSONYの特許戦争 が起きた。NECの寺西特許 ( 55-138026 , 1980.10.02 ) と
Hagiwara 特許 （ 1975.11.10 ）との特許権に関する攻防は、SONYの勝利に終わった。
(6) SONYは、Hagiwara特許 (1975.11.10 ）を武器に、Sony original HAD sensorの商標を登録した。
SONYは image sensor の市場を独占できた。SONYとの特許戦争で負けた NECは市場から撤退した。
(7) SONY original HAD sensor で商品展開し、多大な利益を得たSONY は、1975年のHagiwara Diodeの
発明者である萩原に対して、SONY 社内で第１級特別特許表彰を与えた。
以上の事実から、Hagiwara Diode 1975年特許の保有社である SONY は 当然自社の特許権を
守る義務があり、他からの攻撃に対してはその弁護を怠ってはいけない。また、そのHagiwara Diode
1975年特許の発明者であり、もとSONY社員の萩原良昭の名誉を弁護して守る義務を怠ってはいけない。
また、Hagiwara Diode 1975年の発明者である萩原良昭自身も自分の名誉を守るため、真実を世界に
訴える努力を怠ることはできない。真実はいつも１つである。世界は真実を知る権利がある。
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1975年の萩原特許で定義された Hagiwara Diode 以前の Phodo Sensorの開発歴史を
まとめると次の(1)から(4)になる。
(1) Base端子を一時的に floating して、光の光量の値で、Base端子の電圧を微妙に変化させ、
Collector 電流の値を変化させる Photo Biplar transistor 型の 受光構造が存在した。
https://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/phototransistor/photo_transistor.php
(2) CMOS image sensorの原理は 1960年代には知られていて、1969年発明のCCD の歴史より古い。
1960年代に入ると、NMOS digital 回路のプロセスで製造が可能だったが、単純なNMOS transistor
のDrain 端子を floating にして受光部としていた。 しかし、Drain 端子の拡散濃度(N+)が高かった。
それで、Drain 端子の拡散の拡散領域を完全空乏化することは不可能だった。その為に、信号電荷の
取り残しが起きて、映像には残像がつきものだった。NMOS image sensorはは必ず残像があった。
https://ja.wikipedia.org/wiki/CMOSイメージセンサ
その改良版の CMOS image sensor の実用化はまだまだ先の話で、2000年に入るまで待つこととなった。
(3) 表面型ＣＣＤが1969年に米国ベル研で発明された。MOS容量型の受光部で、感度は今いちだったが、
完全空乏化転送が可能になり、残像がなくなり、かつ熱雑音(CkT noise）がない良質の映像が実現したが、
信号電荷の転送効率は、 99.9% であり、実用に耐えるものとは言えなかった。ビデオカメラの不可欠な
５つの特徴の１つ、すなわち、(1) low CkT noise の特徴は実現した。
(4) 埋め込み型ＣＣＤが 1973 年に米国ベル研で発明された。あまり評価の対象になっていないのが
同じく Bell件の 研究者だった Robert Henry Walden による埋め込みチャネル型ＣＣＤである。
https://patentimages.storage.googleapis.com/cc/94/f8/fa9cce020e683e/US3852799.pdf
埋め込み構造にすることにより、界面の trap準位から信号電荷を守ることができた。
その結果、完全空乏化転送が実現し、信号電荷の転送効率が 99.999 ％近くまで可能となったこと。
しかし、あくまで、1969年の Boyle/Smithの発明の CCD の派生種として軽く評価された。
本当は、このWalden の1973年の発明のお蔭で、CCD image sensor の実用化が加速した。
この埋め込み型ＣＣＤの発明により、(1) low CkT noise (2) low trap noise (3) low image
lag
の３つの特徴がクリアできた。
しかし、酸化膜界面が空乏化しており、表面の界面順位の存在により、受光部の界面結合電流、
すなわち 暗電流 ( dark current ) が増加する、新たな欠点が生じた。
この、埋め込みチャネル型 CCD image sensorには、次に優れた特徴があったが、
(1) low CkT noise (2) low trap noise (3) low image lag
実用に耐えるビデオカメラとしては、まだまだ不十分で、他に次の２つが必要だった。
(4) good light sensitivity and (5) built-in VOD
さらに、 (6) 受光部の low dark current (暗電流) の問題を抑圧する工夫が必要となった。
(5) CCD型受光部は、本来ＣＣＤには金属電極が存在し、それが悪さをして短波長（青色）の色再現が良くなかった。
しかし、一方、従来の MOS image sensor の受光部は 表面がSiO2酸化膜(ガラス体）で保護された N+P 接合型の
photo diodeで、ガラス体は光を透過することができるので、MOS image sensor の光感度は良好だった。
そこで、萩原は 1975年、SONYに入社してすぐ、表面がSiO2酸化膜(ガラス体）で保護された 接合型の photo diode
に注目し、それを改善して、CCD image sensorの受光構造に出来ないかと、検討を始めた。今までの固体撮像装置の
開発実績 (1)と(2)と(3)を参考にして、 この３つの特徴を維持しつつ、かつ、光感度が良く、(4) good light sensitivity と
過剰な high beam 画像にも耐える、 (5) built-in VOD と、 さらに、 (6) 受光部の low dark current (暗電流)
の
問題を抑圧する受光構造を考案する必要があった。一番萩原にとってヒントになったのは、1971年と1973年にソニー入社
以前に厚木工場での半導体 bipolar transitorの生産ラインでの夏季実習経験の時に学んだことだった。具体的には、
表面がSiO2酸化膜(ガラス体）で保護された、 P+NPNsub 接合型( thysitror）を受光構造として、信号電荷蓄積層(N)から
信号電荷を完全空乏化電荷転送を実現して、隣接する CTD（電荷転送装置）に転送する固体撮像装置の発明である。
そこで、萩原1975年特許の実施例の一つの例として、P+NPsub 接合型( bipolar transisotr ）を受光構造とした
具体例を１つ考えた。そして、その例において、信号電荷蓄積層(N)から信号電荷が完全空乏化電荷転送されて
いることを示唆する実施例を図6Bに示した。
これは、dynamic modeで動作する Ｐ+NPsub 接合型( bipolar transisotr ）の base 領域の完全空乏化電荷転送
の結果、base領域には信号電荷が完全に空になった状態であることを意味した。つまり、 信号電荷蓄積層(N) の中の、
完全空乏した信号電荷の電位曲線、すなわち、the empty potential well の電位曲線を、SONYの萩原が、世界で
初めて描いたものである。当時は、埋め込みチャネルＣＣＤの埋め込み層(N) が完全空乏化転送により、the empty
potential well の曲線は周知だったが、Ｐ+NPsub 接合型( bipolar transisotr ）の base 領域内の、the
empty
potential well の曲線は、SONYの萩原が、世界で初めて描いたものである。
実際には、この1975年の萩原の発明, 下の図の(4)と(5)に対応する受光構造の時に、(3)の構造も萩原は考案していた。
実際には、この1975年の萩原の発明, 下の図の(4)と(5)に対応する受光構造の時に、(3)の構造も萩原は考案していた。
その発明は、萩原特許の図２から明確に読み取れる。受光部の拡散濃度（N)と 埋め込みチャネル型ＣＣＤの埋め込み層
の濃度(N)が同一濃度ので、同じ濃度(N)として図２に表記されている。この萩原1975年の発明以前の、当時のNMOS
image sensorでは、受光部の floating の拡散層の濃度(N+) とは違う表記となっている。
萩原1975特許( Hagiwara Diode ) の派生構造としての実施例を以下に４つ列記する。
(1) 受光部に、金属コンタクト（文字通りのピン止めされたP+端子）をつけたもので、
pinned photo diode 構造として垂直ＯＦＤ機能を持たせた実施例(1975)である。
ＳＯＮＹ内部でも萩原1975年特許の主旨（正確な公式の特許請求文）を理解して
いないＣＣＤ開発担当の管理職もこれが萩原特許そのものと勘違いして、萩原
特許は使いものにならないとけなし、その将来性を見抜くことができなかった。
この構造例はあくまで実施例であり、特許の請求範囲には、「金属コンタクトを
各絵素構造に 1 つ個ずつ装備することを特徴とする。」 とは一言も書いていない。
この構造が製造可能かどうかは別の話として構造特許の有効性の説明には使える。
これは Hagiwara Diodeが built-in OFD 機能を持つことを示唆した実施例である。
実際には もともと サイリスタ―型 (P+NPNsub接合）の受光構造なので、
他にもいろいろなサイリスタ―の動作原理を応用して組み込み型のＶＯＦの実現が
可能なことは容易に推察されるが、動作原理に関しては構造特許としているので、
その詳細な動作原理には触れていないが、あくまで構造特許として重要である。
このサイリスタ―型 (P+NPNsub接合）の受光構造が、pinned photo diodeをも
含んだ、強力な構造特許であることは、その特許請求文が簡潔で明解であること
からも理解できる。サイリスタ―は２つのトランジスタの複合構造であり、また、
トランジスタ―が２つのダイオードの複合構造体であることは自明である。
(2) Frame Transfer型CCDの受光部として採用された P+NP junction 型で、
表面のP+と基板のPsubが導通した pinned photo diode構造(1978)。
超感度を実現できたのは、酸化膜で保護され、光が透過することが
できる受光構造であるからである。CCD自体は光感度は良くない。
この後、萩原は 萩原1975年の実施例にも記載されている様に、
Interline 方式のCCDで 表面のP+と基板のPsubが導通した
pinned photo diode構造の受光部を採用することを提案したが、
SONY 開発部隊のTOPには理解されず、却下され、萩原1人で検討
を始めたが、デジカメの実現に不可欠な 高速 Cache SRAM chip
の開発プロジェクトが発足し、そのリーダーとして萩原は担当することに
なり、CCD開発部隊からは事実上、首になりCCD開発から完全に抜けた。
ライバルの日立やNECは、大門(萩原の旧姓）が抜けたと喜び、「 これで
勝った！」と喜びの声がライバル他社から萩原にも聞こえてきた時は、
萩原はたいへん悲しかった。不幸の始まりだった。
(3) Hynecekが発明した Virtual Phase CCD 構造の受光部に採用された
pinned photo diode 構造(1979)では、表面のP+層の濃度をさらに濃くして
電位バリアの方向性を設け、信号電荷が、ＣＣＤ型転送部に完全空乏化
電荷転送することを実現していたHynecek発明である。萩原1975年特許
構造を採用して、さらに発展させた派生構造のHynecekの新しい発明である。
ここで、萩原は「Hynecekが発明した Virtual Phase CCD を萩原の発明だ。」
とは言っていない。 Fossum 2014年の大ウソつきの fake 論文はここでも、
うそを書いている。Fossum 2014年 fake 論文は、いろいろとある事ない事を
非常にバイアスした記述で、嘘を混ぜて、SONYと萩原を侮辱している。
(4) NECの寺西の IEDM1982での発表は、萩原の発明の(1)と(2)を
組み合わせた形である、P+NP junction 型で、表面のP+と基板の
Psubが導通した pinned photo diode 構造を採用した Interline 型
CCD imager を発表した。
その受光構造の pinned photo diode は、その部分だけを見ると、1978年に
萩原が原理試作に成功した、Frame Transfer型CCDの受光部として採用された
P+NP junction 型で、 表面のP+と基板のPsubが導通した pinned photo
diode構造(1978) と全く同じ構造をしたものである。従って、NECの寺西の
IEDM1982での発表のは、萩原の1975年発明の pinned photo diode構造
の copy であると言える。下図参照。まったく同じ構造図である。萩原1975年
特許はすでに 1978年には公開特許となり、SONYのライバルだったＮＥＣの
技術者も見ているはずである。そして、1978年には同時に FT 型ＣＣＤ image
sensor での pinned photo diode型の受光部を採用した、超感度 CCD image
sensor を、SONYの岩間社長が東京で、盛田会長がNew Yorkで同時記者会見
して、大きく、次世代のビデオカメラ市場の幕開けを宣言した。
ここでも、Fossum 2014年 fake 論文 は、 「もと NECの寺西が IEDM 1982で
発明したものが、pinne photo diodeの最初の発明だ。」と、虚論を述べている。
Fossum 2014年の大ウソつきの fake 論文は、 ここでも、うそを書いている。
Fossum 2014年 fake 論文は、いろいろとある事ない事を非常にバイアスした
記述で、嘘を混ぜて、SONYと萩原を侮辱している。
これら４つの実施例は、萩原が 1975年に発明した Hagiwara Diode 、すなわち、
のちに pinned photo diode と呼ばれるものを採用した実施例(派生copy) である。
あくまで、pinned photo diodeの発明は、1975年の萩原特許によるものである。
いずれにせよ、 ＳＯＮＹの萩原が pinned photo diodeの本当の発明者である。
1975年にＳＯＮＹの萩原が pinned photo diode ( Hagiwara Diode ) を発明しました。
実は、水面下で SONY1975年萩原特許と NEC1983年寺西特許の間で、長年、つまり、
SONYとNECの間で、特許戦争が水面下でありました。しかし、SONYの勝利で終わりました。
SONYは pinned photo diode 関連特許で NEC に特許料を支払った事実はありません。
NEC は 1983年の寺西特許が、世界最初の残像なしの受光構造だと主張しました。
しかし、事実は 1975年萩原特許( hagiwara diode ）が世界最初の残像なしの受光構造です。
SONYとＮＥＣの特許戦争で、 SONY 側から ＮＥＣ側に対して出した公式見解資料
1975年の萩原特許( Hagiwara Diode ) は完全電荷転送動作で動作させることを特許の
例図6B で示しています。これは残像なしの高品質 action picture を可能にすることを
提示したものです。かつ、構造から 1975年の萩原特許( Hagiwara Diode ) が超高感度で
低雑音であることは自明です。 その証拠となる 萩原1975年特許の例図6Bに描かれた
the empty potential well の曲線を下図に示します。CCDの動作原理を理解する技術者
ならだれでも周知の一般常識です。Fossum 2014年論文はわざとこのことを隠して引用して
いません。たいへん卑怯でうそで固めた論文です。 この萩原特許( Hagiwara Diode ) の
the empty potentioal curve , つまり、完全電荷転送を意味し、残像なしを意味する、一番
重要な the empty potentioal curve の記述を、Fossum 2014年論文はわざとこのことを
隠して引用していません。たいへん卑怯でうそで固めた fake 論文です。名誉棄損問題です。
ＳＯＮＹ入社して、すぐ 26歳だった萩原が、Hagiwara Diode を発明し、その受光部(N層）に、
世界ではじめて描いた the empty potential well の曲線曲線です。
ＣＣＤ以外でも完全電荷転送が可能であると示唆しました。
いや、ＣＣＤの受光構造よりも優れていることを世界で初めて示した図です。
この Hagiwara Diode （ PNP junction 構造）を搭載することにより、
CCD image sensor も CMOS image sensor も超高感度になることができるのです。
Hagiwara diode なしでは、 CCD image sensor も CMOS image sensorも 超高感度にはなりません。
SONYは NECとの pinned photo diode 特許戦争に勝利し、正々堂々と、 SONY original HAD sensorの商標で
世界で image sensor の市場を独占しました。超感度、低雑音で残像なしのSony original HAD sensor 搭載の
CCD image sensor だけでなく、今でも、 萩原1975年特許のHagiwara Diode は、超感度、低雑音で残像なしの
Sony original HAD sensor 搭載の名前で、高性能 didgita CMOS image sensor として活躍しています。
高性能 didgita CMOS image sensor は、萩原を含むSONYの技術者全員の創意工夫と努力の結果得た産物です。
特許権を失ったNECは image sensor の事業から撤退する運命となりました。
特許創意工夫がどれだけ商品の事業展開に不可欠であるかを実感する結果です。
その事実を不満と思ったのか、 このままでは、SONYと萩原の勢いに押されてしまうと危機感を意識したのか、
Fossum は 不当な嘘の fake 論文をあたかも真実の様にでっちあげ、 2014年に発表しました。
そして、英国王室だけでなく、日本の皇室も含めて、世界の素人さんをだましました。
この Fossum の 不当な嘘の fake 論文は、一般人には理解できない、わかりにくい、あいまいな記述で、嘘の証言
を繰り返しています。 これは 中立な立場で記述された review paper ではなく、 fake paperです。 事実誤認で、
はなはだ不明瞭な表現方法で、世界をだましました。また、さらに、Fossum 2014 fake 論文の中で、「 pinned photo
diodeの発明者は もと NEC の寺西である。」 と全く根拠のない嘘の結論を出しています。
萩原1975年特許の存在とその詳細は、多くの世界の技術専門家は知りませんでした。そのまま、Fossumの嘘の虚述に
だまされてしまいました。Fossum 2014 論文が、嘘の証言であることは、萩原の1975年の萩原特許の特許請求範囲を
定義した日本語の文書を一読した方々なら容易に理解できます。Fossum 2014 論文では、萩原特許の特許請求範囲
の公式文章に記載された本当の萩原特許の内容は一切引用していません。たいへん不当な嘘で固めた論文です。
この Fossum の 不当な嘘の fake 論文には 一切、萩原1975年特許の特許範囲請求文の引用はありません。
萩原特許の例図の一部を持って、それが萩原特許のすべてであるようにFossum は 不当な嘘の fake 論文には
記述されています。たいへんバイアスされた、嘘の論文です。
あたかも自分がしっかり萩原の1975年の日本語特許を読み理解しているような態度で Fossum 2014 年 fake 論文
で、萩原特許をめちゃめちゃに攻撃しています。 自分にとって都合の悪い内容に関してはすべて隠しとおしています。
また、萩原の1975年の日本語特許にある例図に描かれた the empty potential well 曲線の引用もありません。
この曲線は、たいへん重要な曲線です。世界ではじめて萩原が描きました。
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CCD固有の完全電荷転送動作がCCDだけでなく、萩原の1975年の日本語特許で定義される Hagiwara Diode
でも実現可能であることを示唆するものです。このHagiwara Diodeが、残像なしで低雑音でかつ超感度の半導体受光構造、
すなわち、未来の鉄腕アトムの電子の目の網膜細胞に相当する画期的な発明であることの証拠となります。このたいへん
重要な、萩原の1975年の日本語特許で定義される Hagiwara Diodeの受光部(N層）のthe empty potential well
曲線の
存在を、 Fossum の 不当な嘘の fake 論文は 完全に隠しています。たいへん不当( unfar, biased and fake ）論文です。
これはたいへんけしからん話です。 このことをNECとSONYの特許戦争の時にSONYが主張していたことをＮＥＣもその論争の
対象となっていたのはＮＥＣ1983年の寺西特許です。寺西もＳＯＮＹとＮＥＣの特許戦争でＮＥＣが負けたことを知っていたはずです。
なのに、ぬけぬけと自分が pinned photo diodeの発明者のふりをしていることは、たいへんけしからんことです。偽りの顔です。
(１) Fossum はこのFossum Fake 論文で 次の様にうその記述している。
"However, the 1975 application did not address complete charge
transfer,
lag or anti-blooming properties found in the NEC low-lag device,
and does not seem to contain the built-in potential step and charge
transfer device
aspects of the virtual-phase CCD."
この文章からも明らかな様に、 Fossum は、 萩原特許に含まれ例図6Bの存在を全く知らない無知な人間か、
それとも、わざと自分の都合の悪いことを隠す極悪非道な詐欺師かどちらかである。
嘘の虚述で、完全に萩原を侮辱している。
(２) また、Fossum はこのFossum Fake 論文で 次の様にうその記述している。
”Hagiwara repeats these claims in a 2001 paper [26] and shows a VOD
structure
that is not found in the 1975 patent application. ”
[26] Y. Hagiwara, “Microelectronics for home entertainment,”
in Proc. ESSCIRC, Sep. 2001, pp. 153–161.
しかし、 1975年萩原発明の Hagiwara DiodeのP+NPNsub junction 構造そのものが
VOD 機能を持つ構造であることは自明である。彼はまったく萩原特許を理解していないばかものである！
（３）また、Fossum は このFossum Fake 論文で 次の様にうその記述している。
" Sony did not seem to pursue the HAD structure until well after
the
NEC paper was published. "
しかし、1975年の萩原特許で Hagiwara Diode は発明され、 1978年には FT CCD imagerの
試作に Hagiwara Diode （ P+NPsub junction 型 photo diode ) はその受光構造として採用されており、
これが後になって Sony original HAD sensor と商標名が登録されただけで、HAD sensorの
開発は、萩原が 1975年に Hagiwara Diode を発明した時点から始まっている。
SONY内の TOP（越智さん）の反対にもめげず、萩原はSONY内のプロセス担当者( 狩野さん、阿部さん、
松本さん）の支援を受けて、自分でimage sensor を設計し、さらに自分でプロセスラインに入り試作している。
（４） また、Fossum は このFossum Fake 論文で 次の様に事実誤認の認識不足の記述をしている。
" However, the “narrow-gate” CCD with an open p-type surface region
for improved QE also disclosed in the 1975 application was reported
in more detail
by Hagiwara et al. at Sony in 1978 [27].
[27] Y. Daimon-Hagiwara, M. Abe, and C. Okada,
“A 380Hx488V CCD imager with narrow channel transfer gates,
” Japanese J. Appl. Phys., vol. 18, supplement 18–1, pp. 335–340, 1979.
まさに、この論文に、Hagiwara Diode （ P+NPsub junction 型 photo diode ) を搭載したFT CCD
imagerの
試作結果を報告している。その性能は、単純に超感度だけでなく、残像のない、低雑音な受光構造であることを
実証した論文である。ＳＯＮＹが東京とNYで大々的に記者会見した超感度で残像がない低雑音のimage sensorの
世界最初の pinned photo diode ( Hagiwara Diode ） 搭載の新聞発表である。これが最初の、pinned
photo
diodeの原理試作であることは、多くの世界のCCD 開発の権威者も認めている。
以上の例以外にも多くの虚述がこの Fossum 2014年論文には存在する。
（５） そして最後に、このうその論文は、次のように嘘論をはいた。
"The PPD, as it is most commonly used today, bears the strongest
resemblance
to the Teranishi et al. ILT CCD device. Thus, these days Teranishi is
considered
as the primary inventor of the modern PPD . "
と嘘の証言をしている。
この嘘の結論は、上記 (1),(2),(3),(4) の嘘の証言の上で出された嘘の結論である。
これを真実とは到底認めることは不可能であり、断固として、萩原とＳＯＮＹはこれに抗議する。
このままでは、 SONYの商標名、 brand name の SONY original HAD sensor は、
もと NEC の寺西の pinned photo diode の発明によるものとなる。
SONYの商品は NECのcopy品であるという、汚名を受けることになる。
これは絶対に許されない。 萩原とＳＯＮＹに対する大きな侮辱である。
Fossum がこのFake 論文を書いた目的がはっきりした。
SONYと萩原をけちょんけちょんにけなし攻撃する事により、
Fossum 自身の業績が強調でき、Fossum自身が
modern didital CMOS image sensor の開発者であると主張することである。
しかし、今世に見る modern didital CMOS image sensor は SONYの多くの技術者の
努力の結晶により完成したもので、 Fossum 1人が開発したなどとは到底考えられない。
Fossum は、暗闇の中で、政治的に動き、技術的に素人である方々さんを多くだました結果である。
どうして嘘をならべて萩原とＳＯＮＹを攻撃したかがこれで明らかである。
萩原とＳＯＮＹの存在が邪魔だったわけだ。。。
Fossum 2014年 論文は、 嘘の虚術を並べた、絶対に許されない詐欺行為である。
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これは70歳じじいのぶつぶつぼやきの独り言でした。
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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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