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単純質問豆知識：
(1) CCD カメラと CMOSカメラの違いは何ですか？
(2) ＣＭＯＳ Image Sensor は CMOS Processで造れますか？
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(1) CCD カメラと CMOSカメラの違いは何ですか？
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●イメージセンサーには２つの部分に別れますが、
光電変換素子(A)と電荷転送装置(B)です。
光信号エネルギーを電気信号エネルギーに
変換する光電変換素子(A)がまずあります。
光電変換原理はイメージセンサーも
太陽電池も同じ動作原理です。
光電変換装置（Ａ）は N+P接合容量(A1)から、
CCD/MOS容量(A2)、P+NP double 接合容量(A3),
そしてさらにP+NPN triple 接合容量(A3)に進化しました。
電荷転送装置(B)は MOS型(B1)電荷転送装置、
CCD型(B2) 電荷転送装置、そして今では、
CMOS型(B3)電荷転送装置に進化しました。
CCD カメラと CMOSカメラの違いは単純に電荷転送装置の部分の違いです。
アナログＴＶ時代は、CCD型(B2) 電荷転送装置の性能で充分でしたが
デジタルＴＶ時代では、CCD型(B2) 電荷転送装置の性能では不十分に
なりました。ＣＣＤはもう必要なくなりました。その代わりに、ＣＭＯＳの
微細加工技術の進化に伴い、CMOS型(B3)電荷転送装置が実用
耐えるほど進化しました。それで現在は CMOS カメラが市場制覇しています。
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(2) ＣＭＯＳ Image Sensor は CMOS Processで造れますか？
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●CMOS Image Sensor の製作プロセスフローは
一般のCMOS Image Sensor Process より複雑ですが
CCD Image Sensor の Process ほど 難しくは
ありません。生産 Knowhow も必要ありません。
しかし裏面照射型のCCD Image Sensorの製法になると、
たいへん異なります、というか、非常に複雑で長い
プロセスフローになります。。
●シリコンウェーハ―の表面から裏面まで深い井戸を
シリコン結晶に小さなん穴を無数に掘り、その中に
金属（Cu）を埋める工程なども含みます。
●イメージセンサーには２つの部分に別れますが、
光電変換素子(A)と電荷転送装置(B)です。
光信号エネルギーを電気信号エネルギーに
変換する光電変換素子(A)がまずあります。
光電変換原理はイメージセンサーも
太陽電池も同じ動作原理です。
光電変換装置（Ａ）は N+P接合容量(A1)から、
CCD/MOS容量(A2)、P+NP double 接合容量(A3),
そしてさらにP+NPN triple 接合容量(A3)に進化しました。
電荷転送装置(B)は MOS型(B1)電荷転送装置、
CCD型(B2) 電荷転送装置、そして今では、
CMOS型(B3)電荷転送装置に進化しました。
●その電気信号エネルギー（電荷）はアナログ信号
ですのでまず高速に ＡＤ変換し、デジタル信号にして出力
します。イメージセンサーの入力生制御信号も、AD変換
された信号ですので、デジタル映像信号です。それが今では
そのままデジタルＴＶに入力されます。
●デジタル映像信号(１と０)を処理する
のは CMOS LOGIC 回路で充分です。
●それで、イメージセンサーのChip内面積の周辺部分は
ほとんどCMOS LOGIC回路であり、CMOS LOGIC
Processで充分ですが、中央の光電変換部分が特に
CMOS LOGIC Process と異なります。
●しかし、イメージセンサー光電変換素子や信号電荷を
転送する回路装置が必要となり、機能が多くなるほど、
それに応じてプロセス工程も複雑になりますが、
そのぶん、複雑でたいへん有用な機能が実現します。
●8-24に断面図は裏面照射型の最新の
ＣＭＯＳ イメージセンサーの断面図です。
●周辺にはＣＭＯＳ LOGIＣ回路を使っていますが、
中央の光電変換回路は NMOS のSwitch 回路だけで
PMOS 回路は使っていません。イメージセンサーの中央部分は
NMOS回路と Bipolar 回路が融合したものです。
●中央には 光電変換素子を形成するために
PNP 接合がいろいろあり、NMOSプロセスと Bipolar
トランジスタをごちゃまぜにした非常に複雑なプロセスです。
●それでも、出力映像信号は、普通のCMOS LOGIC
回路から出力されたデジタル映像信号ですので、今は
CMOS Image Sensor と呼ばれています。
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