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hagiwara-yoshiaki@aiplab.com
index006_Two_1975_Hagiwara_Patents_on_Pinned_Photo_Diode.html
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Story of Pinned Photo Diode
Hagiwara at SONY is the true inventor of Pinned Photo Diode
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毎朝６時前から１時間ほど、お天気がいい日は、
自宅のそばの小川沿いや野道を Walking。
毎朝、健康のために、妻と萩原は歩いています。
その時に萩原が撮った写真と妻の絵手紙です。
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●荻野中学校の10月の絵手紙はこちらをclick してください。
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賢い電子の目 ( pinned photo diode ) が、その発明者である、もと ＳＯＮＹ の萩原良昭
を見ています。光を電気信号に変換する、人間の目の網膜細胞に相当する発明のお話です。
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70歳のじじいのつぶやきです（笑顔）。
Story of Pinned Photo Diode
Pinned Photo Diode Patent by Hagiwara in 1975
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半導体産業人協会主催の２つの秋季半導体技術講座の紹介です。
（１）2018年11月1日～2日開催の半導体入門講座の案内
2018年度 秋季入門講座カリキュラム詳細版
（２）2018年11月5日～6日開催の半導体ステップアップ講座の案内
2018年度 秋季ステップアップ講座カリキュラム詳細版
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著書に 「人工知能を支える、デジタル回路の世界」
ISBN 978-4-88359-339-2 C3055 青山社 出版、
ハードカバー 475ページ、\9000 + Tax があります。
是非、購入してお読みください。
半導体素子の基本物理動作からその応用回路まで
やさしく解説しています。文系の方でも読みやすい
ように工夫し、むずしい数学のバックグラウンド知識
がなくても、容易に直観的に誰でも理解できるように
わかりやすい解説図を本書には多く用意しています。
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Yoshiaki Hagiwara, Ph.D. IEEE Life Fellow、
the inventor of Pinned Photo Diode ( SONY HAD sensor )
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(1) 萩原良昭の自己紹介です。
(2) Pinned Photo Diode とは？
(3) デジカメは何でできているのか？
(4) Pinned Photo Diode はもとSONYが萩原が1975年に発明しました。
(5) 半導体まめ知識 ＰＰＤとは？
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(6) 1975年萩原考案の２つの日本語特許の詳細を説明します。
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●まず、日本国特許庁のと特許閲覧サイトに入ってください。
https://www4.j-platpat.inpit.go.jp/eng/tokujitsu/tkbs_en/TKBS_EN_GM101_Top.action
検索 window の document number 入力欄に 1975-126747 と入力してください。
次の裏面照射型の現在のＣＭＯＳ image sensor の原点となる
萩原1975年考案の発明特許の、詳細文書（まず公式特許請求範囲を
定義した文書とその詳細ないろいろ事例を含む説明文）と、
詳細実施図（特許の実施した例を示す具体的な図）が入手できます。
詳細な説明文と詳細な実施図はあくまで例であり、簡潔に記述された
この特許の公式な請求範囲を制限するものではありません。
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発明の名称 固体撮像装置
発明者 萩原良昭
出願人 ソニー株式会社
特許出願日 1975-10-23
特許出願番号 昭50-127647 ( 1975-126747 )
特許公開日 1977-4-26
特許公開番号 昭52-51816 ( 1977-051816 )
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特許請求の範囲
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
半導体基体の一方の主面側に、絶縁膜を介して
電荷転送用電極が被着配列される１の導電型の転
送領域が形成され、之より上記半導体基体の他方
の主面側に上記転送領域に接する他の導電型の領
域と該領域に接する１の導電型の領域とより成る
受光領域が形成され、上記転送用電極に所要の電
圧を印加することにより、上記受光領域に蓄積し
た電荷を上記転送領域に転送し、上記電荷転送用
電極に上記所要の電圧とは異るクロック電圧を印
加して上記基体の上記一方の主面に沿って電荷の
転送を行うようにしたことを特徴とする固体撮像
装置。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
特許請求範囲の公式記述文書の詳細な説明
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（１） 半導体基体の一方の主面側に、絶縁膜を介して
電荷転送用電極が被着配列される１の導電型の転
送領域が形成され、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
これは裏面照射型の image sensor を想定しています。
まずシリコン基体を仮にP型とします。基体(Psub)とします。
また、第１の導電型の転送領域をＮ型とします。領域は
基体ではありません。基体の中にある限られた領域です。
ここで、電荷転送電極に強いマイナスの電圧を印加しますと、
このＮ型半導体の転送領域とその上の酸化膜（SiO2）との
界面にできる反転層に プラスの信号電荷である hole（e+)が
引きつけられることになります。その結果、このSiO2の酸化膜
とＮ型Silicon半導体の間の界面を主面（表）とするＰＭＯＳ型
の電極を使って電荷転送を実行することになります。
昔は ＰＭＯＳデジタル回路が歴史的に主流でした。
ＣＣＤもＰＭＯＳ型のＣＣＤで製造していたなごりです。
ＰＭＯＳの方が界面準位を減らすことが容易であり、
ＰＭＯＳのしきい値電圧の制御の方が容易だったからです。
ＰＭＯＳ技術でＣＣＤも具体的に製造していました。
しかし、特許の請求範囲では別にＣＣＤ型のＣＣＤ転送
装置でなくてもＯＫです。ＣＭＯＳ型の転送装置でも
適用できます。特許の請求文には貪欲に将来のために
いろいろな場合を想定して注意深く記述されています。
あくまで、この場合、ＰＭＯＳ型の電荷転送電極、
すなわち、P-type charge transfer gateを意味します。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（２） 之より上記半導体基体の他方
の主面側に上記転送領域に接する他の導電型の領
域と該領域に接する１の導電型の領域とより成る
受光領域が形成され、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
他方の主面側と呼んでいることから表側照射だけでなく、
裏面照射の場合も想定しています。欲張った特許です。
他方の主面側とは裏面側の主面を意味します。
また、上記半導体基体（Nsub)の他方の主面（裏）側に、
すなわち、表側の主面に沿って形成された第１の電導の
転送領域（N)を上部として、下部から接する他の導電型
の領域（Ｐ）が形成されることを意味します。これはプラスの
電荷のhole（e+)を信号電荷として蓄積する埋め込みの
領域（Ｐ）を意味します。
ここまでが、本文の、「之より上記半導体基体の他方の
主面側に上記転送領域に接する他の導電型の領域」
の部分の説明となります。
すなわち、埋め込み領域（P)の説明です。
本文は、さらに、「該領域に接する１の導電型の領域」と
続きます。該領域とは、埋め込み領域（P)のことです。
その上部には転送領域（N)と接していました。さらに、
１の導電型の領域（N)と接するとあるのは、下部からも
１の導電型の領域（N)と接するという意味です。
すなわち、PNP構造になっています。
之より上記半導体基体の他方の主面側に
（１）上記転送領域（N)に接する
（２）他の導電型の領域（P)と
（３）該領域に接する１の導電型の領域（N)とより成る
PNP構造を受光領域として形成されるという意味です。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（３） 上記転送用電極に所要の電
圧を印加することにより、上記受光領域に蓄積し
た電荷を上記転送領域に転送し、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
すなわち、Ｐ領域の信号電荷 hole (e+) を、電荷転送用の
ＰＭＯＳ型電極の下に移行することを意味します。つまり、
ＰＭＯＳ型電極に強いマイナス電圧を印加して、酸化膜に
強い電界を発生され、さらに SiO2/silicon 界面下の半導体
基体（Ｎ型）にも強い電界がかかった空乏層領域を広げ、
その空乏層が電荷蓄積領域（Ｐ型）の空乏層と密着し、
強い電界が電荷蓄積領域（Ｐ型）まで到達し、電荷蓄積
領域（Ｐ型）内の信号電荷 hole (e+)を吸い取り、それも
完全空乏化転送の形で吸い取り、最終的に、ＰＭＯＳ型
電極の下に反転層に信号電荷 hole (e+)にすべて移行
することになります。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（４） 上記電荷転送用
電極に上記所要の電圧とは異るクロック電圧を印
加して上記基体の上記一方の主面に沿って電荷の
転送を行うようにしたことを特徴とする固体撮像
装置。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ＰＭＯＳ型電極に強いマイナス電圧を印加して、
最終的に、ＰＭＯＳ型電極の下に反転層に信号
電荷 hole (e+)にすべて移行しましたが、今度は、
そんなに強い電圧をかける必要はありません。
隣接する電荷転送装置との連携動作で表側の主面
に沿って信号電荷 hole (e+)が転送されることに
なります。ここでまた特許請求範囲を定義する
文には、この埋め込み型の蓄積部（Ｐ）が必ずしも
ＰＭＯＳ型電極の直下にあるとは言っていません。
ななめ方向でも特許請求範囲に含みます。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
最終的に下の図に示す構造もこの特許の示す実施図、
具体的な構造図の１つの例として、可能となります。
萩原の1975年出願の発明特許の請求範囲に含みます。
この下の例では半導体基体をN型として、第１の電導型
領域もN型としています。ただし裏面にはN+層をの主面
に沿って形成した具体例を示しています。この特許が
提案する受光構造の１つの例となります。
●もう一つの特許の説明に入ります。再度、日本国特許庁のと特許閲覧サイトに入ってください。
https://www4.j-platpat.inpit.go.jp/eng/tokujitsu/tkbs_en/TKBS_EN_GM101_Top.action
今度は、検索 window の document number 入力欄に 1975-134985 と入力してください。
下の図に示す、P+NPNsub接合（ thyrisor ) 型の pinned photo diode に関する、
萩原1975年考案の発明特許の、詳細文書（まず公式特許請求範囲を定義した文書と
その詳細ないろいろ事例を含む説明文）と、その詳細実施図（特許の実施した例を示す
具体的な図）が入手できます。
詳細な説明文と詳細な実施図はあくまで例であり、簡潔に記述された
この特許の公式な請求範囲を制限するものではありません。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
発明の名称 固体撮像装置
発明者 萩原良昭
出願人 ソニー株式会社
特許出願日 1975-11-10
特許出願番号 昭50-134985 ( 1975-134985 )
特許公開日 1977-5-23
特許公開番号 昭52-58414 ( 1977-058414 )
特許公告日 1983-10-19
特許公告番号 昭58-46905 ( 1983-046905 )
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特許請求の範囲
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
半導体基体に、第１の導電型の第１半導体領域
と、之の上に形成された第２導電型の第２半導体
領域とが形成されて光感知部と之よりの電荷を転
送する電荷転送部とが上記半導体基体の主面に沿
う如く配置されて成る固体撮像装置に於いて、上
記光感知部の上記第２半導体領域に整流性接合が
形成され、該接合をエミッタ接合とし、上記第１
及び第２半導体領域間の接合をコレクタ接合とす
るトランジスタを形成し、該トランジスタのベー
スとなる上記第２半導体領域に光学像に応じた電
荷を蓄積し、ここに蓄積された電荷を上記転送部
に移行させて、その転送を行うようにしたことを
特徴とする固体撮像装置。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
特許請求範囲の公式記述文書の詳細な説明
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
まず、半導体素子構造の特許ですから、半導体基体から
説明は必ず始まります。実体がないと話になりませんから。
半導体基体（Ｎｓｕｂ）の周りは、多くのプロセス工程の結果
によるものですが、固い酸化膜（ＳｉＯ２）で形成され、通常
保護されているものとします。
（１） 半導体基体に、第１の導電型の第１半導体領域
と、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
たとえば、半導体基体をＮsub とすると、第１の
導電型の第１半導体領域は Ｐ領域となります。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（２） 之の上に形成された第２導電型の第２半導体
領域とが形成されて光感知部と
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
第２導電型の第２半導体領域は Ｎ-領域となります。
この第２半導体領域(N)は、半導体基体のＮsubとは
異なり導通していません。
之（第１半導体領域の Ｐ領域 )の上に形成された
第２導電型の第２半導体領域(Ｎ-)とが接しており
Ｎ-Ｐ接合が形成されて感知部としています。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
下の図の Ｎ- 領域が感知部になります。
この Ｎ- 領域が感知部になります、光電変換されて発生した信号電荷（電子）を蓄積します。
下の図は感知部 Ｎ- 層に蓄積された電荷がシリコン基板の主面に対して垂直方向に
電荷転送されている様子を示します。このＰＮＰ構造の埋め込み層により、ここで
萩原は世界で初めてＣＣＤではなく、ＰＮＰ接合構造で垂直電荷転送が実現することを
思考実験により、1975年（当時26歳）発見しました。そのことは、もう一方の同時に
出願した特許（ ＮＰＮ型 pinn phto diode ）構造でさらに詳しく説明しています。
第２導電型の第２半導体領域は Ｎ領域となります。
この第２半導体領域(N)は、半導体基体のＮsubとは
異なり導通していません。
之（第１半導体領域の Ｐ領域 )の上に形成された
第２導電型の第２半導体領域(Ｎ)とが接しており
ＮＰ接合が形成されて感知部としています。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（３） 之よりの電荷を転
送する電荷転送部とが上記半導体基体の主面に沿
う如く配置されて成る固体撮像装置に於いて、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
電荷転送部は主面に沿って配置されています。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（４） 記光感知部の上記第２半導体領域に整流性接合が
形成され、該接合をエミッタ接合とし、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
上記第２半導体領域（Ｎ-）とエミッタ領域（Ｐ+)と
が整流性接合（Ｐ+Ｎ-接合）を形成することを意味
します。このエミッタ端子が外部電圧から固定されて
いることを示唆しています。すなわち、従来のトラン
ジスタのエミッタ端子と同様に外部固定されています。
つまり、浮遊状態でなく、ピン(pin)留めされていて、
つまり、pinned された状態を意味します。また、
このエミッタ領域（Ｐ+)は hole を majority carrier
としますので、この領域は別名、SONYでは商標登録
されていて、Hole Accumation Diode (HAD) と呼んで
います。具体的には、基体（Ｎｓｕｂ）にＰ+ＮＰ接合を
形成したもので、構造上、Ｐ＋ＮＰＮｓｕｂ接合、すなわち、
Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ構造となり、非常に複雑な動作をすることは
1950年初頭にPror.Moll により研究され周知の事実です。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（５） 上記第１
及び第２半導体領域間の接合をコレクタ接合とす
るトランジスタを形成し、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
つまり半導体基体内にＰ+ＮＰ トランジスタ型の
感知部が形成されることになります。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（６） 該トランジスタのベー
スとなる上記第２半導体領域に光学像に応じた電
荷を蓄積し、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
上記感知部は主面下の基体の中に存在することに
なります。すなわち、ベースＮ領域の電荷蓄積部
が埋め込まれていることを意味します。ＮＥＣは
IEDM1982 の学会発表でこれを buried photo diode
と呼びました。しかしその構造はこの萩原の1975年
発明特許で定義された受光構造そのものです。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（７） ここに蓄積された電荷を上記転送部
に移行させて、
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ベースＮ領域は半導体基体に埋め込まれています
のでその信号をまず吸い取る電荷転送電極つまり
NMOS transistorのゲート電極で形成された、
電荷転送用電極Charge Tansfer Gate 下の
SiO2/Silicon 界面の反転層に電荷がまず
吸い込まれ移行されることになります。
これは酸化膜とシリコン結晶体（SiO2/Silicon ）の
境界面すなわち界面にそった平面に対してはほぼ
垂直電荷転送（ Vetical Charge Transfer )と
なります。
萩原は世界ではじめてこの垂直電荷転送を
考案したことになります。
この原理は、現在では ＳＯＮＹの裏面照射型の
ＣMOS image sensor で実用化されています。
萩原が26歳の時（1975年）に考案して発明特許を
出願してやっと4０年以上が経過しての実現です。。。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
（８） その転送を行うようにしたことを
特徴とする固体撮像装置。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
転送する転送装置はＣＣＤ型の転送装置だけでは
ありません。現在ではＣＭＯＳ型の転送装置が主流
となりました。半導体の微細化技術により、配線
容量が減少し配線雑音(CkT雑音）が減少し、もはや
ＣＣＤが不要となりました。ＣＣＤは基本的に
クロック容量が大きく、その充放電に消費電力が
無視できない程大きいです。また原理的に転送
効率は99.999％以上は不可能で4000x3000画素、
すなわち 1500万画素の High Visio TV 画像や
4000万画素（４Ｋ）や8000万画素（４Ｋ）の
High Visio TV 画像には適用が不可です。
配線雑音が半導体の微細化で減少することは
水道管でたとえる理解しやすいです。
つまり、送る水の量が少ない細い水道管の方
が、信号として使用する送る水の量が少なく
てすみます。太い水道管より、送る水の量
（信号）が簡単に調整できることからも理解
できます。細い水道管の方が、忠実に送る側
が出すの水の量（信号）受け取り側の蛇口に
伝達できるからです。半導体の微細技術の進
歩は極端に微細化された水道管を実現したこ
とになります。信号の大きさ(S)は今までの
大きさのままです。配線雑音(N)は水の容量に
比例します。水道管が小さくなると流す水の
量も少なくなり、それに比例した雑音（N)が
極端に減少します。結果として S/N が非常に
向上し、ＣＣＤの配線容量とほぼ同等となり
今まで大活躍してきたＣＣＤが省エネの傾向
に負けて、最終的に消える運命となりました。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
最終的に下の図に示す構造もこの特許の示す実施図、
具体的な構造図の１つの例として、可能となります。
萩原の1975年出願の発明特許の請求範囲に含みます。
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萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の解説
萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の原文
萩原1975年特許( pinned photo diode Patnet 1975 )の画像
https://patents.justia.com/inventor/yoshiaki-hagiwara
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
以上を再度まとめます。
日本国特許の検索サイト に、萩原良昭 と入力すると、萩原のＳＯＮＹ時代の
特許リストとその内容が閲覧できます。 「７１件ヒット」 と掲示されます。
そこをクリックして 71件のリストの中から、
66番 50-134985 (P+NPNsub接合型のPinned Photo Diode の発明特許） と、
67番 50-127647 (NPNN+ 接合型のPinned Photo Diode の発明特許) を見てください。
また、海外版の日本国特許検索サイト では、 Japanese Patent Number の欄に
（１） 1975-134985 と入力しますと、 萩原がＳＯＮＹ時代に申請した、
P+NPNsub接合型のPinned Photo Diodeの発明特許の詳細が閲覧できます。
（２） 1975-127647 と入力しますと、萩原がＳＯＮＹ時代に申請した、
NPNN+ 接合型のPinned Photo Diodeの発明特許の詳細が閲覧できます。
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＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
Pinned Photo Diode の基本特許
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
世界初の裏面照射型のイメージセンサーの基本特許でもあります。
その発明者は当時26歳のＳＯＮＹ勤務だった萩原良昭です。
この構造が今の世界の超感度デジタルカメラの原点です。
この特許の出願日は 1975年10月23日です。
また、世界で最初の残像なし受光部を持つ、pinned photo diodeの発明でもあります。
シリコンチップを薄く削り、裏面を受光面として N+N層として、
受光部で電荷蓄積部を埋め込みのＰ層として、N+NＰ接合を形成します。
その結果、N+NPN 型の Pinned Photo Diode となっています。
シリコンチップを薄く削る前に表の表面層に従来のＭＯＳトランジスタ回路
を形成します。ＣＣＤもその時に形成できます。今ではＣＣＤは不要になりましたが。
図７は、裏面から照射された光で光電変換された信号電荷（ Hole = e + ) を
表側に形成された MOS 型の転送電極下に吸い取られる状態を描いています。
この信号電荷（ Hole = e + ) が完全に吸い取られることができることも
図７は明示しています。すなわち、完全空乏化電荷転送が可能であることを
示唆しています。これはたいへん重要なことです。残像なしの高速アクション
撮影が可能なビデオカメラを実現することができます。さらに、CCDの様な
MOS型の受光構造でないので、光が通過できて超感度のビデオカメラを
実現することができます。
この特許の存在を世界は知りません。
1975年当時、萩原がSONYでこの特許を出願した時、
こんなシリコンシップを薄く削って両側に半導体デバイス構造を
形成するなど実現不可能と上司に笑われた記憶があります。
SONYにはまったく pinned photo diodeの良さについて理解して
くれる人は誰もおらず、萩原は孤独でした。
SONYでただ一人の理解者が当時の岩間社長でした。
岩間社長は物理学者であり、SONYでトランジスタを開発した
最高責任者でもあり、半導体物理を理解した唯一の萩原の
相談相手でもありました。
岩間社長の一存で、プロセスがより単純なFT型のCCD imagerに、
この萩原考案の pinned photo diodeが搭載され試作に成功し、
1978年にSONYは東京で岩間社長がNewYorkで盛田会長が
同時に新聞発表をする、SONYではビデオカメラ時代の到来を
示す歴史的なイベントとなりました。
萩原の発明特許 (1975-134985 ) で SONYのビデオカメラの事業が立ち上がりました。
現在ＳＯＮＹは裏面型ＣＭＯＳ image sensor で躍進しています。その原点にあるのは、
やはり1975年の萩原の発明特許 (1975-127647 ) です。萩原が26歳の時に着想した
裏面照射型の image sensor 構造がやっと今花咲きました。40年前はこんな特許は
だれも実現しないということで、特許の権利化もしなかった特許ですが、それでも、
公式技術情報として現在でもＷＥＢで検索すると、日本国の財産である特許の１つとして
誰でも今でも閲覧可能です。
あれからもう40年、、、もう萩原は70歳の老人となりましたが、ＳＯＮＹで着々と若手後進が
がんばっているのを見て心強く感じます。
今年も恒例（高齢）のＳＯＮＹ半導体ＯＢ会が、ＳＯＮＹ（株）のご厚意により、
ＳＯＮＹ厚木テックの社内食堂で開催されました。
ＳＯＮＹＯＢ会の会員～350名のうち、～150名が今年も集いました。10月19日（金）で、
週末を早く仕事を終わらせての時間帯で、１５：３０～１９：３０ の短い時間でしたが、
毎年恒例のアルコールありの立食パーティーの形でがやがやおしゃべりしながら、
懇親を深めました。また、ＳＯＮＹ（株）の常務の清水さんが今度のＳＯＮＹのＣＭＯＳ
image sensor のビジネスの状況と、それを核とした、今後のビデオカメラ関連の
システム商品の展望について語ってくれました。
このPNP型のpinned photo diodeを採用した FT 方式 image sensorの
試作に成功し、SONYは１９７８年にその内容を新聞発表しました。当時
丁度30歳だった私でしたが、今はもう70歳です。SONYの１９７８年の発表
から、あれから今年は丁度、40年になりました。
また、賢い電子がものを認識するには、膨大なデジタル情報の高速比較処理が必要となります。
萩原は学生時代、1972年にその高速デジタル比較処理用ＬＳＩ chip を Intel 社との産学共同
プロジェクトで1972年（当時24歳）で設計試作し成功しています。そして、その試作成果を、
IEEE Journal of Solid State Circuit, VOl.SC-11, vol. 4, October 1976 に発表しています。
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Yoshiaki Hagiwara, Ph.D. IEEE Life Fellow、
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