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he AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Home Page Top

            hagiwara-yoshiaki@aiplab.com


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        Story of Pinned Photo Diode

Hagiwara at SONY is the true inventor of Pinned Photo Diode

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毎朝6時前から1時間ほど、お天気がいい日は、

 自宅のそばの小川沿いや野道を Walking。

 毎朝、健康のために、妻と萩原は歩いています。

 その時に萩原が撮った写真と妻の絵手紙です。


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   ●荻野中学校の10月の絵手紙はこちらをclick してください。




 


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賢い電子の目 ( pinned photo diode ) が、その発明者である、もと SONY の萩原良昭

を見ています。光を電気信号に変換する、人間の目の網膜細胞に相当する発明のお話です。

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      70歳のじじいのつぶやきです(笑顔)。

        Story of Pinned Photo Diode

    Pinned Photo Diode Patent by Hagiwara in 1975

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半導体産業人協会主催の2つの秋季半導体技術講座の紹介です。



(1)2018年11月1日~2日開催の半導体入門講座の案内

     2018年度 秋季入門講座カリキュラム詳細版



(2)2018年11月5日~6日開催の半導体ステップアップ講座の案内

    2018年度 秋季ステップアップ講座カリキュラム詳細版

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著書に 「人工知能を支える、
デジタル回路の世界」 


ISBN 978-4-88359-339-2 C3055  青山社 出版、

ハードカバー 475ページ、\9000 + Tax があります。

是非、購入してお読みください。


半導体素子の基本物理動作からその応用回路まで

やさしく解説しています。文系の方でも読みやすい

ように工夫し、むずしい数学のバックグラウンド知識

がなくても、容易に直観的に誰でも理解できるように

わかりやすい解説図を本書には多く用意しています。

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        Yoshiaki Hagiwara, Ph.D.  IEEE Life Fellow、 

  the inventor of Pinned Photo Diode ( SONY HAD sensor )

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(1) 萩原良昭の自己紹介です。


(2) Pinned Photo Diode とは?


(3) デジカメは何でできているのか?


(4) Pinned Photo Diode はもとSONYが萩原が1975年に発明しました。


(5) 半導体まめ知識 PPDとは?


(6) 1975年萩原考案の2つの日本語特許の詳細を説明します。



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(7) 1975年萩原考案の2つの日本語特許の意義を説明します。

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現在、世界ではもはやCCD image sensor は短命で、CCD image sensor より

超高解像度で超感度で低雑音でかつ低暗電流で消費電力も少ない、

CMOS image sensor が主流になっています。


それはどうしてでしょうか?


実は、もともと CCD 型の電荷転送方式は、CMOS プロセス技術の微細化技術の

進歩に負けて、完全に消えることになったのです。


今では、CMOS型の電荷転送方式が主流になり、

CMOS image sensor と 一般に呼ばれるようになったのです。


それでも、CCD型の電荷転送方式は完全空乏層化電荷転送という、

新しい動作原理で機能する半導体素子の発明です。


これは、半導体物理学の分野で、重要な発見と発明です。

半導体物理の分野ですばらしい発明で、ノーベル賞ものです。


CCD型は本来電荷転送用MOS型容量電極が隣接して、

複数個一列に並んだアナログ信号電荷転送用のshift register です。


しかし、本質的、いや致命的な欠点があり、なかなか、実用化が困難で、

ビデオカメラへの応用にSONYは苦労しました。


世界中の他の会社が、民生用のビデオカメラへの応用は難しいと

あきらめていた頃、SONYは世界でただ一社で頑張っていました。


歴史は繰り返すと言いますが、SONYは1947年にトランジスタ―が

発明されたときも、それを小型トランジスターに応用しようと頑張りました。


SONYの創設者の井深さんと、技術系経営者である井深さんの下で、

また技術畑出身者で、地球物理学者だった 岩間和夫さん は、

1954年の冬2人で渡米し、米国のベル研を訪問し、有名なトランジスタの

基本技術特許の使用権を、当時のお金で500ドル(~18万円)で、

購入しました。戦後すぐで外貨のなかった日本にとって大きなかけでした。



このトランジスタの発明の価値が理解できなかったのか、通産省からは、

なかなか外貨使用許可が降りなかった、と井深さんはよく嘆いていました。



井深さんとの訪米中、岩間和夫さんは、ベル研訪問の後、ベル研の技術者

の紹介で、Pennsylvania 大学で開催された、第1回目の半導体集積回路

についての国際会議、今で言う、ISSCC1954 に出席しました。


世界中の企業からは冷たい目で、「あんな量産技術も確立しない、また、

生産が難しく、採算が取れないトランジスタを大量生産して売るなんて、

馬鹿げている。」と、あざ笑われる異端児ベンチャー会社のSONYでした。


SONYの役員で、技術担当最高責任者だった岩間和夫さんは、帰国後、

岩田三郎さんという勤勉で優秀な部下と一緒に、トランジスタの動作原理や

半導体基礎物理、半導体基本素子構造などを有志技術者とともに学び、

ベル研からは、なにも詳細を教えてもらわないで、トランジスタの試作に

挑戦し、独力でSONYの技術者陣はトランジスタ生産技術を確立しました。


「トランジスタ―という半導体素子の存在定理を証明した。」と大喜びでした。

「完全なものが一個できれば、必ず二つできる!」という信念がありました。



岩田三郎さんの開発部隊は、トランジスタの生産技術の確立を確かなものに

するために、生産舞台を、ソニー厚木工場に移し、やがて、ソニー厚木工場は

当時世界最大のトランジスタ量産工場になりました。




そして長年の努力が実り、トランジスタの生産技術の確立に成功し、SONYは

小型トランジスタラジオを世に出し、その市場を制覇しました。そして、それが

原点となり、今のSONYが生まれた、と言っても過言でありません。


当時の経験を生かして、再度、岩間和夫さんは夢を見ました。

小型家庭用の超感度ビデオカメラの実現の夢見ていました。



当時、SONY USA の会長で、SONY本社の副社長でもあり、

かつ、SONYの技術担当最高責任者だった岩間和夫さんは、

世界の半導体技術開発研究の動向には敏感でした。



毎年、半導体素子とその集積回路の分野で新しい発見と発表が

続いていました。世界最大、半導体素子の国際学会である IEDMや、

またこれも世界最大の、半導体固体素子集積回路の国際会議である 

ISSCC が、米国内で毎年開催され、半導体素子とその集積回路の

分野で
多くの新しい発見や開発研究発表がありました。



その時、1969年にCCDが再びベル研の技術者により発明されました。


その頃、萩原はまだ CalTech の大学2年生でした。


大学1年生と2年生の2年間を通して Richard Feymann の3冊の

赤い物理の教科書で古典物理と量子力学を学び、その最後で、

量子力学の応用物理として半導体物理を学び、やっと、その基本

半導体素子である、 bipolar transistor の構造と動作原理を

学んだところでした。


大学3年になり、萩原の恩師、Prof. James McCaldin から、半導体物理の

授業で、 Dr. Andrew Grove  の著書で初版だった本で、まだ出たての、

 Physics and Technology of Semiconductor Devices という題名の本

を使って、MOS transistor の構造とその動作原理を学んだところでした。


当時、まだ Intel 社はベンチャー会社として生まれたばかりでした。


Intel 社は CalTechの卒業生の、Dr. Gordon Moore (萩原の先輩)と

 Dr.Robert Noyce  が創設した会社ですが、 Intel 社で最初に

雇用された社員が、 Dr. Andrew Grove でした。


その著名な、いや当時はまだ著名ではありませんでしたが、彼の著書を

教科書にして、恩師である Prof. James McCaldin から、半導体物理

の授業を萩原は大学3年生の時受けました。


丁度、1969年で、ベル研でCCDが発明された年でした。


半導体物理の授業担当である Prof. James McCaldin からは、

「この授業を受けた学生は、みんな、CalTechの先輩が創設した

ベンチャー会社、 すなわち、先輩の Intel 社で、夏休みにでも、

アルバイトや実習をし、そのまま、希望するなら、卒業後、Intel社に

入社し、先輩の戦力になって応援してほしい。」と、何度も、授業の

合間に話してくれました。


萩原が大学院に入り、埋め込みチャネル型CCDの動作原理とその

構造解析を自分のPhD の論文のテーマにした時、3人の恩師、

Prof. C. A. Mead
、 Prof. T.C. McGill と Prof. James McCaldinの

3人の恩師の指導を受けた時知ったことですが、3人とも、Intel 社

創設者の Dr. Gordon Moore とは大変親しい間柄でした。



事実、たくさんのCalTechの卒業生が Intel 社に入社し、急成長する 

Intel 社の即戦力となり、貢献したことでしょう。


当時、CCDは、未来の半導体メモリ素子でかつ、未来の固体撮像素子

として期待され、学会や学術誌に紹介され、脚光を浴びていました。
  

当時、SONY USA の会長で、SONY本社の副社長でもあり、かつ、

SONYの技術担当最高責任者だった岩間和夫さんは、世界の

半導体技術開発研究の動向には敏感で、そのCCDの将来性に

ついての話を見逃すわけはありません。


これこそ、トランジスタの発明に次ぐ、未来の民生のビデオカメラの

実現を握る世紀の発見だと思ったことでしょう。


しかし、それは岩間和夫さんの誤解であることは、今では明らかと

なりましたが、学生だった萩原もそう信じて、1975年に CatTechを

卒業後、SONYに入社し、CCD video camera system の研究開発

担当技術者として勤務しました。


しかし、すぐに仲間の video camera の組み立て開発部隊の技術者

から、CCDは感度が悪い、暗電流も多く、消費電力が大きいと苦情

を萩原は受けていました。日立ではもうCCDはあきらめてMOS型

の image sensor に注力しているとも教えてくれました。松下も、

CCD 型の image sensor 一本に絞るには危険と判断し、CCD型も

MOS型の image sensor を開発している様だとも教えてくれました。


このままでは、SONYもCCDをあきらめることになると萩原は不安

になりました。
カメラシステム担当の技術者から一言、残像や

clock 雑音が多いが、MOS 型は感度がいいよと萩原は入社して

すぐ教えてもらいました。カメラシステム担当の技術者からは、

どうして宗教の様に、CCDに一本化するのか
信じられない、自分

には半導体物理の原理がわからないので、出てくる性能だけで

しか判断できない。CCDから出てくる特徴は期待した程はよくない、

と正直な意見を、萩原はSONYに入社してすぐ仲間の技術者から

聞かされました。 



世界中の他の会社が、CCDを使って、民生用のビデオカメラを実現

するのはたいへん難しいと、あきらめていた頃、SONYは世界で、

ただ一社で頑張っていました。


「Blue感度さえ取れればCCDは最高だ。それは将来何とかなるだろう。」

と、ソニー中央研究所の吉田博文室長が先導する情報処理研究室の

技術者陣は、半導体物理もCCDの原理もあまり詳しく知らないまま、

CCDのビデオカメラの試作に専念していました。


萩原1人は、学生時代に PhD 論文のテーマに 埋め込みチャネル型の

CCDの動作解析でそのの動作原理とその半導体素子構造を理解していた。


彼のPhD論文の結論は、特に埋め込みチャネル層に生じる強い電界により、

埋め込みチャネル型CCDでは、同時に高速に埋め込みチャネル層の、

完全空乏化が可能で、信号電荷は転送残りなく、完全残像なし映像が

可能で、高速撮影を必要とするビデオカメラの応用に最適であるという

結論だった。埋め込みチャネル型CCDは、高速完全空乏化電荷転送が

可能であるという結論だった。


しかし、CCDは光感度が悪い。特に、短波長の Blue 感度が悪く、MOS型

の image sensor に、 CCD型のimage sensor は負ける。



どうしたら、CCD型の image sensor を救えるのか?


萩原はSONYに入社して一人悩んだ。


その時にヒントになったのが、1971年と1973年に当時実習に指導員を

担当してくれた宇野義道主任がソニー厚木工場のプロセスラインの

中を案内してくれていた時にいつも言っていた言葉だった。


「大門くん、このプロセスラインは東洋一の半導体量産工場なんだよ!」


萩原(旧姓大門)は、1975年2月にソニー入社して1971年と1973年に

実習し bipolar transistor のプロセス製造・生産・測定一貫技術の

訓練実習を受けたことを思い出した。


bipolar transistor 構造は、当時の周知の MOS型 image sensorの

N+P型の photo diode の延長線上にある受光構造で、MOS型の

image sensor
にも、もしかして、CC型の image sensorにもなじみが

あるかも? よく考えると、埋め込み型CCDの埋め込み層(N-)と同じ

薄い濃度に P+N-P接合型 ( PNP transistor 型)の受光構造なら、

base 領域が完全空乏化が低電圧で可能にできるので埋め込みCCD

型の CCD image sesnor ともなじむはず。。。


それがヒントで、萩原は2つのトランジスタ型構造の受光構造を発案した。

1つは基体( Nsub) に P+NP 接合のトランジスタ型構造の受光構造の

基本特許( 1975 -134985 ) で、もう1つは、裏面照射型として、

ほぼ同じ受光構造で、NPNN+
接合のトランジスタ型構造の受光

構造の基本特許( 1975 - 127647) をほぼ同時に出願した。


この2つの基本特許は、後にSONYでは SONY original HAD sensor

と呼ばれ、SONY以外では一般に、 Pinned Photo Diode と呼ばれる

ものである。


超光感度、低雑音、低暗電流で、残像なしの、高性能な「賢い電子の目」

となる、人間でいうと、人間の目よりはるかに超感度の、目の網膜細胞

の役割を果たす、「賢い電子の目」、超感度 Robot Vision の発明である。



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     萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の解説  

     萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の原文

     萩原1975年特許( pinned photo diode Patnet 1975 )の画像

      https://patents.justia.com/inventor/yoshiaki-hagiwara

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以上を再度まとめます。

   日本国特許の検索サイト に、萩原良昭 と入力すると、萩原のSONY時代の

   特許リストとその内容が閲覧できます。 「71件ヒット」 と掲示されます。


   そこをクリックして 71件のリストの中から、

   66番 50-134985 (P+NPNsub接合型のPinned Photo Diode の発明特許) と、

   67番 50-127647 (NPNN+ 接合型のPinned Photo Diode の発明特許) を見てください。


また、海外版の日本国特許検索サイト では、 Japanese Patent Number の欄に 


  (1) 1975-134985 と入力しますと、 萩原がSONY時代に申請した、

   P+NPNsub接合型のPinned Photo Diodeの発明特許の詳細が閲覧できます。


  (2) 1975-127647 と入力しますと、萩原がSONY時代に申請した、
 

   NPNN+ 接合型のPinned Photo Diodeの発明特許の詳細が閲覧できます。


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 Pinned Photo Diode の基本特許

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世界初の裏面照射型のイメージセンサーの基本特許でもあります。

その発明者は当時26歳のSONY勤務だった萩原良昭です。

この構造が今の世界の超感度デジタルカメラの原点です。

この特許の出願日は 1975年10月23日です。





また、世界で最初の残像なし受光部を持つ、pinned photo diodeの発明でもあります。

シリコンチップを薄く削り、裏面を受光面として N+N層として、

受光部で電荷蓄積部を埋め込みのP層として、N+NP接合を形成します。


その結果、N+NPN 型の Pinned Photo Diode となっています。


シリコンチップを薄く削る前に表の表面層に従来のMOSトランジスタ回路

を形成します。CCDもその時に形成できます。今ではCCDは不要になりましたが。

図7は、裏面から照射された光で光電変換された信号電荷( Hole = e + ) を

表側に形成された MOS 型の転送電極下に吸い取られる状態を描いています。

この信号電荷( Hole = e + ) が完全に吸い取られることができることも

図7は明示しています。すなわち、完全空乏化電荷転送が可能であることを

示唆しています。これはたいへん重要なことです。残像なしの高速アクション

撮影が可能なビデオカメラを実現することができます。さらに、CCDの様な

MOS型の受光構造でないので、光が通過できて超感度のビデオカメラを

実現することができます。


この特許の存在を世界は知りません。




1975年当時、萩原がSONYでこの特許を出願した時、

こんなシリコンシップを薄く削って両側に半導体デバイス構造を

形成するなど実現不可能と上司に笑われた記憶があります。


SONYにはまったく pinned photo diodeの良さについて理解して

くれる人は誰もおらず、萩原は孤独でした。


SONYでただ一人の理解者が当時の岩間社長でした。

岩間社長は物理学者であり、SONYでトランジスタを開発した

最高責任者でもあり、半導体物理を理解した唯一の萩原の

相談相手でもありました。


岩間社長の一存で、プロセスがより単純なFT型のCCD imagerに、

この萩原考案の pinned photo diodeが搭載され試作に成功し、

1978年にSONYは東京で岩間社長がNewYorkで盛田会長が

同時に新聞発表をする、SONYではビデオカメラ時代の到来を

示す歴史的なイベントとなりました。






裏面照射型の特許出願 1975年10月23日の後、

もう1つ、PNP型の 表面照射型の pinned photo diodeの特許も

1975年11月10日に出願しています。



このPNP型のpinned photo diodeを採用した FT 方式 image sensorの

試作に成功し、SONYは1978年にその内容を新聞発表しています。


このPNP型のpinned photo diodeは、あくまで受光部の構造特許であり、

FT 方式 image sensorだけでなく、 IT 方式の image sensorでも

CMOS image sensor でも搭載可能です。


NECの寺西さんの開発部隊が IEDM1982に pinned photo diodeと搭載した

 IT 方式の image sensorの原理試作を世界ではじめて発表しました。


しかし、pinned photo diodeと搭載の IT 方式の image sensor は、

萩原の1975年特許の実施例の1つとして明記されており、あくまでこれは

萩原の発明で、NECの寺西さんは pinned photo diode を発明していません。

 







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特許名称  固体撮像装置

特許番号 昭50-134985

出願 1975-11-10

公開番号 昭52-058414

特許公開日 1977-5-13  

発明者  萩原良昭

出願者 ソニー株式会社

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    特許請求の範囲 (非常に短く単純明快な構造特許である)

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半導体基体(Nsub)に、第1誘電型の第1半導体領域(P)と、

之の上に形成された第2誘電型の第2半導体領域(N-)とが形成されて

光感知部と之よりの電荷を転送する電荷転送部(CTD)とが

上記半導体来たいの主面に沿う如く配置されて成る固体撮像装置に於いて、

上記光感知部の上記第2半導体領域(N)に整流性接合(P+)が形成され、

該接合をエミッタ接合(P+N-)とし、上記第1及び第2半導体領域間の接合を

コレクタ接合(N-P)とするトランジスタ(P+N-P)を形成し、

該トランジスタ(P+N-P)のベースとななる上記第2半導体領域(N-)に

光学像に応じた電荷を蓄積し、ここに蓄積された電荷を

上記転送部(CTD)に移行させて、その転送を行うようにしたことを

特徴とする固体撮像装置。




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この特許は単純に次の4つの部分で形成された構造体特許です。

半導体基体(Nsub)、エミッタ接合(P+N-)、コレクタ接合(N-P)、転送部(CTD)。


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この特許は非常に単純ですべての撮像装置の基本となる特許です。

具体的には、単純に、P+N-PNsub接合を光感知部としています。

隣接する転送部(CTD)に電荷を転送する固体撮像装置ということです。

また、第2半導体領域(N-)に光学像に応じた電荷を蓄積し、

ここに蓄積された電荷を上記転送部(CTD)に移行させて、

その転送を行うようにしたことを特徴とする固体撮像装置としている。


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またその具体的な電荷転送が完全空乏化電荷転送であることを、特許の図6Bが示しています。

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また特許の図5では、この受光部(N-)の濃度を隣接する埋め込みチャネルCCDの埋め込み

チャネル層の比較的薄く制御された濃度(N-)と同等と図示しています。これがさらに受光部(N-)

の完全空乏化電荷転送を可能にすることを示唆しています。この事例図では受光部に金属

コンタクトが存在しますが、あくまで option (自由な選択肢)です。特許請求範囲には金属

コンタクトのことはなにも言及していません。あくまでこの図は事例、実施例図です。

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     2018年度 秋季入門講座カリキュラム詳細版



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    2018年度 秋季ステップアップ講座カリキュラム詳細版

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        Yoshiaki Hagiwara, Ph.D.  IEEE Life Fellow、 

  the inventor of Pinned Photo Diode ( SONY HAD sensor )

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