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AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Homepage 0001
hagiwara-yoshiaki@aiplab.com
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これは70歳じじいのぶつぶつぼやきの独り言です。
（１） 萩原1975年出願特許について
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Story_of_Pinned_Photodiode.html
Difference of Buried and Pinned Photodiode.pdf
JAP 1975-127647.html
JP 1975-127647.pdf
JAP 1975-134985.html
JP 1975-134985.pdf
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もとSONYの萩原は1975年にイメージセンサーの受光素子構造に
関する２つの基本特許を出願しました。その特許に添付された
実施例図を下の図に示します。
イメージセンサーの受光素子構造の特徴には、大きくわけて、
以下の７つの重要な特徴があります。
この２件の特許の請求範囲を定義した定義文と実施例図は、
そのすべての、７つの特徴を持つ受光素子構造が、すべて、
萩原がその発明者であることを明示しています。これは、
ある意味ではたいへん欲張った主張内容となり、萩原自身も
今さらのごとく信じられない状態です。しかしそれが事実です。
この２件の特許とその実施例図が、「萩原が発明者である」
ということの、動かぬ明白な証拠になります。問題は現在
まで、この２つの単純明快な基本特許の存在と技術内容が
社会に周知徹底されていなかった事です。
特許は企業に所属するものとして萩原自身もあまり執着せず
また企業も社員から譲渡された特許であり、釣った魚には
餌を与える必要もないので、社外から特許戦争で攻撃された
時には武器として利用するがそれ以外にはあまり価値のない
ものとして、特許に関してもその発明者に対しても企業は
一般にたいへん冷酷な扱いをします。発明者もあまり執着
せず自己主張をせず素直に企業に対して忠誠を誓い企業に
勤務会社人生を全うする場合が多いです。
しかし、発明者を誤認することとは話は違います。発明者を
誤認することは絶対にあってはならない事です。事実は事実
です。だれが発明者なのかは真実でなければなりません。
日本発明協会の公式WEBサイトはその意味で真実を掲載
していません。事実誤認もはなはだしく、嘘の内容を掲載
しています。これは許される事ではありません。
これらの特許の実施例図が、その証拠となります。まず、
以下の７つの項目に関する萩原の主張をご理解していた
だきたいと希望しております。
（１）萩原は、PNP接合型の埋め込み Photodiode,
すなわち、Buried Photodiodeの発明者です。
この特許の実施例図がその証拠になります。
（２）次に、同じPNP接合型の埋め込み Photodiode でありますが、
さらに特別な特徴を持ち、残像のない映像を提供するもので、
受光部 ( Charge Collection Region ) が reset する時、
受光部が、完全空乏化 される事を特徴とする、完全空乏化
Photodiode、すなわち、Depletion Photodiode の発明者です。
この特許の実施例図がその証拠になります。
（３）次に、同じPNP接合型の完全空乏化 Photodiode でありますが、
さらに、暗電流抑圧効果のある、表面に、P+層を持つ構造で、
その表面の Hole Accumulation層の存在により、表面電位
が固定され、すなわちピン留めされた Pinned Photodiode
の発明者です。この特許の実施例図がその証拠になります。
この Hole Accumulation Diode (HAD) は SONYの商標の
SONY Original HAD センサーの語源でもあります。
じつは、「この萩原が SONY HADセンサーの発明者である」
証拠が、この２件の特許とその実施例図が示しています。
（５）更に、自動的に縦型 Overflow Drain （VOD)機能が組み
込まれた、P+NPNsub 接合サイリスタ―型の受光素子で
ある、 Pinned Photodiodeの発明者です。この特許の
実施例が、萩原がその発明者である証拠となります。
（６）次に、特許の実施例図に裏面照射型の受光構造が明記
されており、萩原は、また、裏面照射型の Pinned
Photodiodeの発明者でもあります。この特許の実施例が
その証拠となります。
（７）最後に、CMOS Image Sensorには不可欠な、Global
Shutter 用の Buffer Mmeory 用に、電荷転送電極（CTD)
のMOS容量を使って Image Sensor動作させる事を、特許
の請求範囲を定義する範囲定義文に明記しています。
これは萩原が CMOS Image Sensor 用の Global Shutter
に必要な Buffer Momory の発明者である事の証拠です。
JAP_1975_127647.html
JP1975-127647.pdf
この特許請求範囲の定義文で重要な項目は
（８）上記転送用電極に所要の電圧を印加することにより
（９）上記転送領域に転送し、
とあります。
この時点で、電荷転送用電極下へと、信号電荷が、
受光素子部の電荷が、転送されることを意味します。
すなわち、電荷が一時的に電荷転送用電極下に
保存され存在することを意味します。これは
この電荷転送電極が Global Shutter 用の一時
記憶メモリー、MOS 容量型の Buffer Memoryとして
利用できることを示唆しています。そして次に
(10)上記電荷転送電極に
(11)上記所要の電圧とは異なるクロックを印加して
隣接する電荷転送装置（CCD型でもCMOS型でもOK)
に信号電荷を転送すると記述しています。
JAP_1975_134985.html
JP1975-134985.pdf
この萩原のこの特許の重要なことは、まず、
（１）半導体基体に
という言葉で、特許請求範囲の定義文の記述が始まることです。
その上に P+NP/Nsub 接合構造のサイリスタ―というたいへん
複雑な構造体を定義して特許です。その構造体の動作は、
構造が複雑なほど、多様化して当然の特徴をもつ特許です。
事実、1980年出願の東芝の山田さんの特許構造も
1980年出願のNECの白井・寺西さんの特許構造をも
含み複合体を定義した特許を既に1975年に萩原が
２件にして、構造特許して出願しています。
JAP 1975-127647.html
JP 1975-127647.pdf
JAP 1975-134985.html
JP 1975-134985.pdf
東芝の山田さん出願の1978年の特許の
縦型 Overflow Drain （VOD) の特許では、
N型基板を、直接に、NPN接合トランジスタ型の
Photodiode のVOD用の Drain 端子としています。
この特許は萩原の1975年出願特許の重複特許です。
無効特許です。萩原が縦型OFD（VOD)の発明者です。
また、NECの白井・寺西さんの1980年の特許の
埋め込み型Photodiodeの特許も、単純構造です。
基板はすでに特許構造の構造体に組み込まれています。
特許請求範囲は以下の様になっています。
（１）一導電型を有する半導体基板上に該半導体基板と
（２）反対の導電型を有する第１の微小領域と
（３）これに接して形成された該記基板と同一の導電形
の第２の微小領域と
（４）これらの微小領域を含む前期半導体基板上に
形成された絶縁膜上に少なくとも1/2段以上の
電荷転送段とを設うけた撮像素子の単位セルに
おいて、「種々の電位値」を30 voltt以下と
することを特徴とするインターラインCCDセンサー
とあります。
これは単純な、P 型基板に N型の電荷蓄積領域が
埋め込まれた、PNP接合型の受光素子構造です。
萩原はすでに「繻子の電位値」が ２０ volt 以下の
特性をもつ、PInned Photodiode 搭載の Frame
Transfer 方式の CCD Image Sensor の原理
試作に成功しています
1978年の国際学会 SSDC1978 の
固体素子コンフェレンスで論文発表 しています。
この萩原1975年発明のP+NP接合型のPinned Photodiode
の受光素子構造は、受光素子構造でいかなる電荷転送装置
（CTD)にも採用可能です。
Frame Transfer 型CCD電荷転送方式のImager でも、
Interline Transfer 型CCD電荷転送方式のImager でも、
CMOS型電荷転送方式のImager でも、採用可能な事は
明らかな事実です。 従った、NEC1980年の出願特許は、
萩原の1975年出願特許の重複特許で無効です。
萩原が逆に、埋め込み Photodiode の発明者でもあります。
JP1975-127646.pdf
JAP_1975_127647.html
JP1975-127647.pdf
JAP_1975_134985.html
JP1975-134985.pdf
JP1978-1971.pdf
JP1980-123259.pdf
「萩原がGlobal Shutter 機能を持つPinned Photodiodeの発明者である」
ということの証拠は、萩原の1975年の発明特許 1975-127647 がその
証拠となります。特にこの特許の図７に明示された電位分布図がそれを
意味します。そのもとになるのは、Pinned Photodiodeの本質によるもの
です。Pinned Photodiode 特有の特徴であります。すなわち、Resetの
時、信号電荷が完全空乏化転送された後は、その蓄積部の電位はある
一定の値に固定（ピン留め）されて、それ以上深くならないという特徴が
あることです。電荷転送電極を充分深くすると、受光素子の蓄積されて
いた信号電荷をすべて電荷転送電極（CTD)下に一時的保存することが
可能となります。すなわち、隣接する電荷転送電極（CTD)をそのまま、
MOS容量型の一時記憶用 Buffer Memory として活用できることを
意味します。萩原はそのことを1975年出願の特許1975-127647の特許
請求範囲の定義文に明示しています。
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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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