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The AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Home Page 038

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（１）　Introduction

（２）　Sony original HAD sensor の背景

 （３）　the pinned photo diode　と　Sony original HAD sensorは同じもの

 （４）　萩原良昭の自己紹介と活動報告

 （５）　萩原1975年出願特許（　Hagiwara Diode　の発明）のお話

 （６）　米国　Fairchild社とＳＯＮＹの特許戦争について

 （７）　ＮＥＣ日電とＳＯＮＹの特許戦争について

 （８）　Fossum 2014年　Fake 論文について

 （９）　まとめ

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（７）　ＮＥＣ日電とＳＯＮＹの特許戦争について

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最終的にSONYの　SONY original HAD sensorの開発が本命と位置づけられた。

浜崎さんや米本さん、さらにＣＣＤプロセスを担当した神戸さんをはじめ多くの

勤勉な技術者の努力で完成した、　SONY original HAD sensor であったが、

その特許は、1987年出願特許（浜崎、鈴木智、賀川、石川他）として

申請されていたが、明らかに、ＮＥＣの寺西の1983年のＩＥＤＭでの発表と

その関連の寺西特許の方が先行していた、あくまで、ＮＥＣの寺西特許の　

pinned photo diodeの派生構造特許に過ぎず、ＮＥＣから、猛烈な特許工業権利に

関する攻撃には、ＳＯＮＹの半導体開発陣は無能であった。唯一、ＳＯＮＹが武器に

できたのは、最終的に、萩原が　1975年に発明した　Hagiwara Diode 、P+NPNsub

接合型の半導体受光素子だった。この萩原1975年特許の存在のお蔭で、　

SONYのHAD sensorは、　NECの　copy の汚名を受けることはなかった。

事実上、ＮＥＣの寺西のIEDM１９８２に発表した、　buried photo diode　搭載の　

ILT CCD　imager が　SONYの特許の　copy となった。

その結果が、2000年度の萩原のSONY HAD sensorの基本特許の発明考案実施褒賞第1級最優秀賞の受賞である。

これを萩原が受賞して、ＣＣＤの開発部隊の技術者はみなびっくりした。それまで　HAD sesnorは、ＣＣＤ開発ＴＯＰの

越智の部隊が、浜崎さんたちを中心に開発した　HAD sensor は　NECの　copy だと特許請求権に関する論争（特許

戦争）となったからである。その戦争で、完全にSONYの負けが宣告される寸前で、1975年萩原特許はSONYを救い、

ＣＣＤ開発部隊の勤勉な努力を無駄にすることにはならなかった。1980年から20年間、萩原はＳＯＮＹで長い間、

冷たい目で見られていたが、この受賞を堺にして、萩原を見る社内の人間が目が変わった。

しかし、ここでも萩原にとって腹の立つことが起きていた。

この話は、萩原1975年特許の　the pinned photo diodeを本命とせず、

他のＣＣＤ方式を本命とした当時のＣＣＤ開発ＴＯＰへの萩原個人の抵抗と

抗議の話だった。しかし、まんまとその客観的な理論解析内容が利用される

結果となってしまった。

1975年には既にＣＣＤの the empty potential well の電位図の物理的は意味

は周知でした。すなわち、ＣＣＤの the empty potential well の電位図は、

完全空乏化電荷転送の結果で、残像なしの映像をＣＣＤが提供するという

すばらしい特徴をＣＣＤが持っていることは周知でした。

See Fig.53 in p.425 of Physics of Semiconductor devices

by Prof.S.M.Sze, 2nd Edition ISBN 0-471-05661-8

for the detailes of (a)BCCD (b)Enerygy band for an empty

potential well and (c) Energy band when a signal packet

is present. See also D.C.Burt, " Basic Operation of Charge

Coupled Devices," Int. Conf. Technol. Appl. CCD,

University of Edingburgh, 1974, p.1 .

萩原は1975年発明の特許の　Hagiwara Diode ，すなわち、

現在世界で　pinned photo diodeの受光構造でも、ＣＣＤ型の

受光構造だけでなく、the empty potential well が実現可能で

あることを世界で初めて1975年に特許の中で明らかにしました。

NECとＳＯＮＹの特許戦争でもこのthe empty potential well の論点が最大の課題

となりました。萩原が動作に関する記述はKnowHow に所属するのでできるだけ

記述説明を除外せよとの当時のＣＣＤ開発ＴＯＰやそれに従る特許部のＳｔａｆｆの

アドバイスにも抵抗して萩原が「これだけは重要だ」と主張した、この完全空乏化

電荷転送の電位ポテンシャル図の存在のお蔭で、ＳＯＮＹとＮＥＣの特許戦争で、

ＳＯＮＹが勝利できた。これは　萩原が1975年に発明した　Hagiwara Diode　が、

先行特許構造であることの証拠となった。逆にＮＥＣの寺西特許は萩原が1975年に

発明した　Hagiwara Diodeのコピーであることを証明したことになった。すなわち、

萩原が　pinned photo diodeの本当の発明者であることの証拠でもある。

　

Hagiwara Diodeの特許1975の図６に萩原が描いたthe empty potential well は、

完全空乏化電荷転送の結果、電荷蓄積部が完全に空になっていることを意味し、

それは action picture など高速撮像に不可欠な残像なしの映像を可能にします。

萩原は1975年にすでに　Hagiwara Diode ，すなわち、現在世界で　pinned photo

diodeと呼ばれる受光構造でも、「残像なし」というすばらしい特徴を持っていること

を示唆した明らかな証拠です。

この事実は理解するには、半導体物理と半導体素子の動作原理をしっかり

学習し理解する必要があります。

たいへん難しい概念ですが、バケツに入っている水をすべて掃き出せば、

バケツの形状だけが見えることのたとえで、半導体物理原理により、

半導体の受光部のバケツの形状がこの　the empty potential well の形状

となることを萩原は1975年の特許の図６に世界で初めて描き明らかにしました。

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これは70歳じじいのぶつぶつぼやきの独り言でした。

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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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