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The AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Home Page 029
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以下、その詳細な説明です。
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(1) SONYの Sony original HAD sensor と pinned photo diode は同じものです。
この事実は、東北大学の鏡教授の資料の中でも述べています。
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下の図は 2014年のFossum論文 に引用されている pinned photo diodeの図です。
この図は、1975年萩原出願特許の超感度低雑音残像なしの半導体受光素子、すなわち、
Hagiwara Diode ＝ Sony original HAD sensor と同じものであることは、半導体物理
を学習した学生なら誰でも簡単に理解できるものです。
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(2) SONＹの萩原良昭はSony original HAD sensor を1975年に発明しました。
萩原はこの1975年の発明で、ＳＯＮＹで第1級の発明褒賞を受賞しています。
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(3) Image sensor の世界の第一人者で、元 philips 社の Prof. Albert Theuwissen
は 萩原良昭の1975年発明特許出願した半導体受光素子( Hagiwara Diode )は
pinned photo diode そのものだと断定しています。萩原良昭は1975年の発明特許
の中で、この半導体受光素子は、 ITL CCD image sensor なども含むすべての
ＣＴＤ、すなわち、 ＣＣＤだけでなく、 active CMOS imager を含む、すべての
電荷転送装置（ＣＴＤ）に適用できるとしています。
また、この萩原1975年発明の半導体受光素子、当時はまだ pinned photo diode
という名称も、SONY original HAD という商標も登録されていなかった時代ですが、
この萩原1975年発明の半導体受光素子( Hagiwara Diode )を、1978年には、
ＳＯＮＹは FT CCD image sensor に採用した、超感度残像なし低雑音のビデオ
カメラの試作に成功し、記者会見しました。
これが最初の超高感度残像なし低雑音のpinned photo diode の試作発表である
ことも、国際学会でのProf. Albert Theuwissen は 講演の中で引用しています。
このpinned photo diode は、すなわち、このSONY original HAD sensor は
現在でも裏面照射型の ＳＯＮＹのデジタルカメラの CMOS image senosr に
採用され、生きています。この萩原1975年発明の超感度、低雑音で、かつ、
残像なしの高性能受光素子構造( Hagiwara Diode) が今でも採用され活躍
しています。 Hagiwara Diode = Sony original HAD = pinned photo diode.
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(4) 以上のことから、pinned photo diodeの発明者が萩原良昭であることは自明です。
SONYは 独自に商標登録し、SONY original HAD sensor と 呼んでいますが、
これが pinned photo diodeと全く同じものであることを世界は知りません。
Hagiwara Diode = Sony original HAD = pinned photo diode.
今では、 pinned photo diode の名前で その価値が近年になり再評価されて
このpinned photo diodeの派生特許が各社から活発に出願されています。
ととえば、1995年にＫＯＤＡＫが出願した CMOS image sensor に pinned photo
diode を採用した Active CMOS image sensor の特許も、萩原1975年特許の
派生特許にしかすぎません。萩原1975年特許は非常に強力な特許で、すべての
隣接するＣＴＤ （ ＣＣＤや ＣＭＯＳ active sensor を含むすべての電荷転送装置）
に pinned photo diodeを採用することを特徴とする固体撮像装置としています。
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これは70歳じじいのぶつぶつぼやきの独り言でした。
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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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