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The AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Home Page

................. a story of the intelligent AIPS image sensor..............

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　Fossumは、萩原の1975年の日本語特許を読めないし、読んでもいないくせに、

　　　　ある事ない事を、Fossum2014論文でけなし、世界をだまし、

　　英国王室や日本皇室までも欺き、　本当に非礼極まりない失礼な奴だ（怒）

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FOSSUM 　は、2014年のFOSSUM 論文で　萩原とＳＯＮＹをけっちょんけちょんに

侮辱していた（大涙）。こんに陰口を叩かれていたとは知らなかった。


これはいじめである。断固を許せない。


" A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"



「ＳＯＮＹ　original HAD は、もともと　ＮＥＣの寺西さんが発明した　pinned photo

diode 　であり、　Sony original でない。」　と、FOSSUM は、虚論を展開している。

世界をだました。



さらに、「自分が　デジタル　ＣＭＯＳ　image　sensor カメラの発明者だ」

とも、FOSSUM は嘘の主張をし、世界をあざむた。


デジタルとは　それまでの　film　カメラに対して、半導体メモリや磁気　floppy diskを

使って画像情報を保存するカメラのことを言い、これは　SONYの技術者が最初に

考案し、商品化したものた。その半導体メモリの最初は、萩原がＩＳＳＣＣで発表した

世界発の高速　4 M bit Cache SRAM を使ったデジタルカメラである。



笑えてくる。。。。



Fossum 2014年最大の虚論は、論文の中で、

　「萩原1975年特許 には　残像なし（完全電荷転送）の記述がない。」

との大嘘をはいていることである。Fossumはひきょうにも萩原1975年特許に

記述された　empty potential curve の曲線を隠しに隠して虚論を展開した。

自分の都合の悪いものは隠し通し、ほんの一部の記述を、あたかもそれが

すべてのような誤解を招く虚論を展開し、世界をだました。これは断じて許されない。


Hagiwara Diode の「残像なし」の特徴を示す、一番重要な図が、

萩原1975年特許の中に描かれている。下の図を参照。



Fossum の虚論にとって、この　empty potential well の図は、非常に都合の

悪い図であり、Fossum は、隠しに隠して虚論を展開し、世界をだました。





萩原1975年特許の、この6図を見れば、Hagiwara diode が 「残像なし」の特徴を持つことは一目瞭然である。

半導体物理を志す大学の学生・研究者の中には、この　empty potential well の意味を理解していない者はいない。



1975年、Hagiwara Diodeが萩原により発明され、　1978年にはその原理試作をSONYが発表した。




しかし、ＳＯＮＹには、Hagiwara Diodeの価値を理解した　ＴＯＰはだれもいなかった。


1978年の　Hagiwara Diodeを採用したFT ＣＣＤの発表の後は、ＳＯＮＹは、残念ながら、

Hagiwara Diodeを採用したILT CCD の開発に着手せず、横型ＯＦＤで透明電極を使った

より単純なプロセスのILT CCDの開発量産商品化に部隊の全力を集結した。





萩原は寂しかった。萩原はその時点で、一時的に、ＳＯＮＹのＣＣＤ開発部隊から離れた。



新しく発足した、放送局用の高級撮像装置に使う　高速ＳＲＡＭの開発部隊のチームリーダー

として活躍し、ISSCCにその成果は世界発の高速　４ＭSRAM として発表し、新しくできた

SONYのメモリー事業部の看板となった。


話は戻すが、ＳＯＮＹが、1980年に全日空のジャンボに搭載で成功した、横型ＯＦＤで透明電極

を使ったより単純なプロセスのILT CCDの開発量産商品化に部隊の全力を集結していたころだった。


1983年になり、、Hagiwara Diodeを受光部として　ＮＥＣの寺西さんが　転送部を　ITL CCD

としたものをＩＥＤＭで発表し、世界を驚かせた。



SONYも驚いた。一方、萩原は大喜びだった。


ＮＥＣの寺西を尊敬した。多分、彼は私の特許を見ていない。でも、自分で考えたかも。




そうだとすると、すごい



。しかし、1978年には特許1975年特許と、Hagiwara Diode の構造と特性は公開されている。


そして、ＳＯＮＹの　1978年の　FT ＣＣＤでの発表の後は、当然、　ILT CCD での開発が、


ＳＯＮＹの外から見れば自然の流れに見えるはず。しかし、ＳＯＮＹはその道を選ばなかった。


萩原は1人寂しかったが、ＮＥＣの寺西さんは理解していた。


ＳＯＮＹの代わりに、萩原の夢を実現してくれた。


自分と同じ思考力を持つ、ＮＥＣの寺西さんとは学会で会うたびに親しく一緒に食事をとり

懇親を深めた。彼の業績は大きい、英国王室からも日本皇室からも世界からも評価されて

当然のもとＮＥＣの寺西さんであると信じる。


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しかし、1983年にＮＥＣの寺西さんが　IEDMで発表した構造は、　1975年に萩原特許で

定義された　Hagiwara Diode そのもので、その発明者は　寺西さんではなく萩原である。


　　　　　　　　　　　　　　これだけは萩原は譲れない。


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ＳＯＮＹも寺西さんの発表を堺に、今まで萩原が熱心に主張してきたが、ことごとく冷たく

無視したＳＯＮＹのＴＯＰ幹部も、ＮＥＣの寺西さんの発表により、萩原の主張を認めざるを

得なくなった。のちに、この　1975年　Hagiwara Diodeの発明で、ＳＯＮＹの発明特別１等賞

（賞金100万円）を萩原はもらった。その時にＳＯＮＹ特許の最高額は200万円だったが、、、


特許審査会の言い分は、「萩原1975年特許はもう過去のもので、これから効力を発揮する

未来に役に立つ若く未来ある特許には200万円出すが、萩原特許にはそこまでの価値は

ない」との冷たい態度だった。萩原はここでも寂しい思いをしたが、家族に賞金100万円を

もらったと話すと、欲のない家族は大喜びだった。その笑顔で萩原は癒された。


ＦＯＳＳＵＭは、論文の中で、「　pinned photo diode と　Hagiwara diodeは全く違うもの」

と嘘に証言をしただけでなく、「ＦＯＳＳＵＭ自身が、今の　デジタル　CMOS image sensor

の発明者だ」との虚論を展開している。


あきれてものが言えない。
　

すべてＳＯＮＹの技術陣の努力で、デジタル　ＣＣＤカメラの技術を土台にして、今ある

ＣＭＯＳ　image　sensor カメラが、完成した。


その量産技術の確立に努力した生産担当の従業員の努力で完成したのだ。



ＳＯＮＹの勤勉な日本人技術者は、言語のバリアもあり、


この4年間　ＦＯＳＳＵＭ論文に　嘘に気が付かなった。




ＦＯＳＳＵＭが,その嘘で世界をだまし、英国王室と日本皇室を騙すまで、

SＯＮＹの勤勉な日本人技術者は、言語のバリアもあり、この4年間、

ＦＯＳＳＵＭの嘘に気がつかなった。今も気がついていないかも。



本当に評価されるべきは、ＳＯＮＹであり、ＳＯＮＹのデジタル　ＣＭＯＳ　

image　sensor カメラを開発実用化努力したＳＯＮＹの技術人であり、

その生みの親である萩原である。


1975年に萩原の頭脳から生まれた　Hagiwara Diode は、1978年に

原理動作が実証され、ＳＯＮＹの盛田・岩間により世界に公開された。


後に、SONY　original HAD sensor 搭載　ILT CCD image sensor として

量産拡販され、世界の市場を独占した。そして、その技術は今の裏面照射

型 MOS image sensor にも継承されている。それをこの図が証明する。





今も、裏面照射型の　CMOS imager の　受光部に採用され、

萩原の1975年出願のHagiwara Diode　は生きている。




しかし、そのことも知らない世界はだまされた。


ＦＯＳＳＵＭの嘘の狂言と、それを支える、悪魔の心を

持った陰謀者により、世界はだまされた。



ＦＯＳＳＵＭは、、萩原の1975年出願のHagiwara Diodeを痛烈に批判し、

あることないことを言って、虚論をはき、攻撃することにより、世界をだます

という大罪を、成し得たわざである。




ＦＯＳＳＵＭは　「1975年の萩原発明の　ＨＡＧＩＷＡＲＡ　DIODE

は　pinned photo diode ではない。」と　まっかな嘘を主張をした。


ＳＯＮＹのoriginal HAD senor も　pinned photo diode も、ＮＥＣの　

buried　photo diode も、すべて、　1975年萩原発明の、ＨＡＧＩＷＡＲＡ　

DIODE である。そのことを、全く知らないのか、理解できていないのか、

ＦＯＳＳＵＭは　平気で、論文の中で、萩原と　ＳＯＮＹを侮辱した。


あきれる限りである。



1975年出願の萩原の日本語特許を読んで理解したことは、一度もなくいのか？


それとも、知らないことを知っているように話す、ペテン師、嘘つき、大詐欺師なのか？




もともと、FOSSUMは回路設計者で、半導体物理を知らない素人なのか？




FOSSUMは、いずれにせよ、世界を、英国王室を、日本皇室をだました大ウソつき、


詐欺師で、ペテン師である、


「萩原申請の1975年の日本語特許」を正確に理解した者なら、すぐに気がつくものである。





萩原はともかく、「愛するＳＯＮＹを侮辱すること」は断じて許されることではない










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　　　 Fossum led to a false conclusion
　　　　　　that confused the world
　　　　　by his irresponsible paper

" A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"

　by Eric R. Fossum and Donald B. Hondongwa , which was published in
　IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, VOL. 2, NO. 3, MAY 2014







FOSSUMは、上記の引用文に見るように、萩原の過去の論文を　（５）　unusual paper と形容した。

こんな言葉が純粋な学術論文で許されるはずがない。あきらかに萩原を侮辱して技術者として恥ずべき発言だ。

FOSSUMは、上記の引用文に見るように、（５）　did not address complete charge transfer と嘘の証言をしている。

明らかに、　FOSSUM は、萩原が　1975年特許の実施例(application)の中で、empty potential well の図を理解しいない。







あきらかに、FOSSUM論文は偏見と野心満ちたうそのかたまりである。


どうして、ＩＥＥＥ　ＥＤＳ　学会は、こんな嘘の論文だけを特別に　ＷＥＢで　公開したのか、

そのもの、ＩＥＥＥ　ＥＤＳ　学会の論文 editor や　事務職をも騙して、FOSSUM論文を

ほかのもっと優秀な論文を差し押さえて長年2014年からこの4年間　公開していた。

このことは、ＩＥＥＥ　ＥＤＳ　学会にも責任があると萩原は感じる。


みなさんはどうお考えですか？　



Many corrections are requested.





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Many corrections are requested and the final corrected version should be read as
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The original PPD structure, while invented in 1975 by Yoshiaki Hagiwara in the

form of P+NPNsub junction photo seinsing element, the 1978 FT CCD application

by Hagiwara, and the Teranishi's 1983 low lag ILT CCD application,



shares a strong resemblance to the Hynecek virtualphase CCD structure,

with the exception of the VOD



The two inventions

were solving different problems with essentially the same device structure

and operating principles.



In 1975, Hagiwara at Sony filed a patent application

on a photo sensing vertically stacked P+NPNsub structure

with the floating N base region as the storage for the photo electrons

from which the photo electrons are to be transfered to a charge transfer device[24].


An example case is depicted in a figure in which

the top P+ layer was connected by metal to a bias used

to control not only full-well capacity but gamma corection

and high beam action picture-acquisition for highly intelligent

AIPS camera Hagiwara had been dreaming of.


Therefore from the figure, the P+ layer can be set, or pinned

to any external voltage value. Hagiwara had already in his mind

the concept of the pinned diode now universally ell known.


It should be noted that the patent claim does not say

any comments on the metal connection.

Therefore the p layer can be connected to anything anywhere.


In 1978, another example of a P+NPsub photo sensing structure

with the P+ layer connected to the Psub substrate

was demonstrated in one-chip FT CCD imager for 8 mm video camera





In a review paper,



Hagiwara, in 1996, revisited the 1975 invention and claimed

it was exaclty the same semiconductor photo sensing structure

vertical stacked picture element of both the virtual phase CCD

and the NEC low-lag structures, as well as the basis

of the Sony so-called “Hole Accumulation Diode,” or

HAD structure [25].



Hagiwara's 1975 patent claim was intended only to claim rights

on the device structure. His patent does not restrict any applications

with any operational modes on his application. Howevee, for the

first time in the world he drew the electrically empty potential

well of the floating N base storage region for majrity charge

photo electrons in one of the patent figures.


This is the evidence that Hagiwara did address the complete

charge transfer by drawing in the N base photo electrons storage

an empty potential well which results no lag action picture.








Hagiwara repeats these claims

in a 2001 paper [26] and shows a VOD structure

of the P+NPNsub vertically stacked one

which is not shown in the figures in the patent

becuse of its simplicity, but definedexactly

in the patent claim in Japanese.





Sony did pursue the HAD sensor structure,


First as seen in the 1978 demosntration of FT CCD imagers

with the SiO2 exposed P+NPsub photo senising element

with the P+ and Psub connected without VOD.



Second, in the production model of ILT CCD imagers

with conventioanl lateral OFD , without VOD

with the SiO2 exposed P+NPsub photo senising element

and with the P+ and Psub connected,

which is called HAD sensor camera.



Then finally in the production model of ILT CCD imagers

with the SiO2 exposed P+NPsub photo senising element

with the P+ and Psub connected without VOD.

This product is called super HAD sensor camera.


It is easy to publish a proto type in the technical

paper, but HARD to introduce to the world as a

reliable final product to custonmers.





The “narrow-gate” CCD with an open p-type surface region

for improved QE also disclosed in the 1975 application was

reported in more detail by Hagiwara et al. at Sony in 1978 [27].



It is not open P type surface, it it pinned to the substrate volatage

like the one in ILT aplication.




A similar structure was used extensively by Philips [28]


in 1983, five years after .....


28] G. Beck et al.,

　　“High density frame transfer image sensor,”

　　 Japanese J. Appl. Phys., vol. 22 supplement filed

　　　pp. 109 to 112, 1983.



Teranishi et al. ILT CCD device in 1983 has

the strongest resemblance to the P+NPNsub device structure

of Hagiwara's 1975 invention, which is now called as

the pineed photo diode.




Since the 1975 Hagiwara photo diode is idenical to the modern PPD,


Thus, these days,

Hagiwara is considered as the primary inventor of the modern PPD[29].


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ISBN 978-4-88359-339-2 C3055

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