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AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Homepage A005

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　　　　　　　　種々の半導体受光素子（　Photodiode )
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　　　　　　　　種々の半導体受光素子（　Photodiode )
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もとSONYの萩原が1975年に発明した、

種々の半導体受光素子（　Photodiode )

について、その詳細を説明します。



「電子の目」である半導体受光素子（Photodidoe）
の種類は、大きくわけて以下の４つがあります。

（１）　まず単純なPNP接合の「埋め込み　Photodiode」です。
　　　萩原の1975年の発明です。特許 昭50-134985参照。



（２）　次に単純なPNP接合の「空乏化　Photodiode」です。
　　　萩原の1975年の発明です。特許 昭50-134985参照。



（３）　次に、P＋NP接合の 「Pinned　Photodiode」です。
　　　萩原の1975年の発明です。特許 昭50-134985参照。



（４）　そして最後に、P+NPNsub接合の「SONY HAD センサ」です。
　　　　HAD は　Hole Accumulation Diode の意味です。
　　　萩原の1975年の発明です。特許 昭50-134985参照。



この４つの受光素子(photodiode) の発明者がもとSONYの
萩原であることは、萩原が1975年に出願した２件の特許の
短くて単純明解な特許請求範囲の定義文とその特許の
実施例図が証拠となります。下図を参照してください。



萩原が考案した1975年の特許は今も裏面照射型のイメージセンサーで活躍しています。

MOSプロセスの微細化が進歩し、現在では各絵素に３TR型の電流増幅回路が組み込める
様になりました。受光素子のそばで、直に電流増幅することにより、S/N比の大きな信号が
形成され、CCD型の電荷転送装置はもはや不要になりました。しかし、萩原考案の受光
素子は今でも活躍しています。本当のSuper　Starは　萩原が1975年に発明した受光
素子でした。その事を長い年月誰も気がつきませんでした。

超高感度で低雑音の特性はCCD型のMOS容量型受光素子では実現できませんでした。

CCD型の受光素子では不可能なすばらしい特性を萩原の発明は実現しました。









萩原が発明したのは、人間の目でいうと、目の網膜細胞の構造です。

萩原が本当の「電子の目」の発明者だったのです。

これは本当にたいへんな世の中に大きな影響を与えた発明だったと萩原は思っています。

皆さんはどう考えになりますか？？？







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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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