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AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Homepage 0005

　　　　　　　　hagiwara-yoshiaki@aiplab.com

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これは70歳じじいのぶつぶつぼやきの独り言です。

　　　（５） NEC1980年出願特許について　

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NECの白井・寺西さん出願の1980年の特許は　
Pinned Photodiode の特許ではありません。

寺西さんを「Pinned Photodiodeの発明者」と
社会は認知に評価していますが、これは大きな
間違いです。社会認識と社会評価が完全に
間違っています。Pinned Photodiodeの発明者
は、もとSONYの萩原です。1975年にもとSONY
の萩原はPinned Photodiodeを発明しています。


NEC1980年出願の埋め込み型「空乏化フォトダイオード」は
残像のない事を特徴としていますが、表面暗電流が発生する
欠点があり、表面がピン留めされておらず、Pinned Photodiode
ではありません。

NEC 1980 invention is the buried photodiode with the
completely depletion mode of no image lag feature, but
it suffers the serious surface dark current. The surface
potential is not pinned. Hence this is not the Pinned
Photodiode patent.




実際にSONYのHADとNECの埋め込みPhotodiodeとの
水面下の特許戦争にかかわる文書が残っています。

NEC1980年特許とSONY1975年萩原特許との間の特許戦争

NECは負けてSONYが勝ち、その結果、敵対していたNECは特許
戦争に負けてビジネスが傾く、image sesnor のビジネスから撤退
したという醜い冷酷なお金の亡者の特許戦争が裏にありました。




1978年の東芝の特許では、基板自体がNPNトランジスタ―のCollector
端子となっている、電導領域が３つの部分で構成される構造特許です。

また、1980年のNECの特許では、基板自体に埋め込み 層を形成する
としている、単純な電導領域が２つの部分で構成される構造特許です。

一方、1975年のSONYの萩原のと特許は、基板（Nsub)に　P+NP接合を
形成するとしています。電導領域が4つの部分で構成される複雑な動作
が期待できる構造特許です。大は小を兼ねるの理論で、この萩原特許
は、1978年の東芝の特許も、1980年のNECの特許構造も含む複合構造
特許となっています。従って、萩原がこの３つの特許の発明者です。

すなわち、（１）東芝の1978年出願のVOD特許も、（２）NECの1980年
出願の完全空乏化埋め込みPhotodiodeの特許も、この２つの特許
ともに重複特許で、無効となります。すべて、（３）萩原の1975年出願
特許の構造が持つ機能の一部です。


また、このNECの1980年出願特許の実施例図２は、
「この特許が　Pinned Photodiode　の特許でない」
と言うことを証明する証拠になります。

あきらからに、表面がピン留め（Pinned)されておらず、
表面電界の存在により暗電流が発生する問題を
かかえた構造となっています。これは　Pinned
Photodiode の特許でないのは明らかです。

従って、正確には、NECの寺西さんは　Pinned
Photodiodeの発明者ではありません。

この意味で、世の中のイメージセンサーに対する認識と
その社会評価は完全に間違っている事になります。


このNECの1980年出願特許は単純に電荷の蓄積部が　
Reset 時に完全空乏化する Photodiode、すなわち、
空乏化Photodiodeを示唆した特許です。

暗電流を抑圧する　Pinned Photodiodeの特許ではありません。

また、空乏化 Photodiodも、萩原が、1975年に既に、
Pinned Photodiode 構造特許として、出願しています。

Pinned Photodiode は、空乏化Photodiode でもあり、
埋め込みPhotodiodeでもあるからです。

従って、既に、1975年時点で、空乏化Photodiode も、
埋め込みPhotodiodeも、1975年の萩原の発明です。

Pinned Photodiodeの発明がこの２つの発明をも含みます。
萩原は1975年SONY時代２つの重要特許を出願しました。そのひとつが昭50-127647
です。N+NP+N接合型のPinned Photodiode 構造をしており、MOS型の電荷転送電極
（CTG)を　Global Shutter 用の一時記憶メモリ、Bufffer Memoryとして利用したものです。

もう片方は昭50-134985の日本国特許です。P+NPNsub接合型のPinned Photodiode
構造をしており、構造に自動的に縦型　Overflow Drain(VOD)機能が組み込まれた
構造をしています。また表面はP+層があり、Hole Accumulation 状態となっており、
表面電位はピン留めされています。この表面のP+層は正の電荷を持つ、表面の
固定捕獲準位　Qss を無能化（quench)して、深刻な表面暗電流の発生を防ぎます。


Hagiwara at Sony filed two Japanese Patents in 1975.

One ( JAP 1975-127647 ) is the N+NP+N　junction type Pinned Photodiode
with the MOS type CTG used as the Global Shutter Buffer Memory.

And the other (JAP 1975-134985) is the P+NPNsub junction type
Pinned Photodiode with the built-in vertical overflow drain (VOD) and
the hole accumulation surface P+ layer with the pinned surface potential.
This is the original 1975 Japanese Patent of SONY HAD Sensor invented
in 1975 by Yoshiaki Hagiwara at SONY when he was 27 years old...

The P+ layer quenched the positively charged surface fixed trap states Qss
and prevents the serious surface dark current

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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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