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AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Homepage 0002
hagiwara-yoshiaki@aiplab.com
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これは70歳じじいのぶつぶつぼやきの独り言です。
（２） 日本発明協会の公式WEBサイトについて
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以下の発明協会のWEBサイトを参照してください。
http://koueki.jiii.or.jp/innovation100/innovation_detail.php?eid=00059&test=open&age
Image Sensor の開発歴史に関する記述がありますが、
事実誤認もはなはだしい内容になっています（大涙）。
日本の発明協会がこんな間違った事実でない「嘘」を報じる事は
あってはならない事です。日本の発明協会の見識を疑います。
本当の発明者である萩原良昭がたいへん迷惑を受けています。
非常に金銭的にも多大な損害を被る結果となっています（大涙）。
萩原の主張が正しいかどうか、これからその詳細を説明します。
日本発明協会が即刻WEBサイトの間違った記述を訂正される
ことを切に萩原は希望します。
まず基本的にイメージセンサーの受光素子であるPhotodiode
の構造の種類とその動作の区別を全く技術的にご理解されて
いません。いろいろな構造の区別を理解されず混同されています。
イメージセンサー受光構造(photodiode)には、次に５種類があります。
（１）古典的なN+P接合型の受光素子( photodiode )があります。
N+層を 完全空乏化する事は不可能です。また隣接する
電荷転送電極（CTD)とN+の拡散層との間の酸化膜容量
結合作用により信号電荷量に比例するRESET電圧誤差
が原因で、映像に残像が生じる事が最大の問題でした。
（２）PNP接合型の埋め込み型受光素子( Buried Photodiode )があります。
この構造自体にはなんのメリットもない問題だらけの構造です。
（３）PNP接合型の空乏化受光素子（ Depleted Photodiode )があります。
信号電荷を蓄積する、埋め込み N層の濃度を薄くすることにより、
完全空乏化 Photodiode として機能し、残像のない映像が実現します。
（４）P+NP接合型のピン留め受光素子( Pinned Photodiode )があります。
さらに受光部の表面を濃いP+の Hole Accumulation 層とすることに
より、金属コンタクト（オーミックコンタクト）が可能な濃度となり、表面
電位を固定化（ピン留め）が可能となり、表面に強い電界が発生しなく
なり、表面電界に起因する暗電流雑音が抑止できます。暗電流雑音が
非常に少ない映像が実現します。これはS/Nを向上し超感度 Image
Sensorの実現に不可欠な技術です。
（５）P+NPNsub接合型の受光素子で SONYが特許庁で商標登録した
SONY original Hole Accumulation Diode （HAD)があります。
この基板（Nsub)にP+NP接合型の受光部（Pinned Photodiode)
を形成する事により、自動的に、バイポーラトランジスタの製造
工程と同様に、サイリスタ―構造となり、Punch-thru などの
動作も期待されます。その１つは、縦型 overflow drain （VOD)
の動作機能( function) が自動的に組み込まれた構造となります。
今世界市場を制覇しているのは、このSONYのHADセンサー搭載の
CMOS Image Sensor です。昔、CCDが脚光を浴びていた時代では
SONY HADセンサー搭載の CCD Image Sensor として世界を制覇
してきたことは皆さんもたいへんよくご存じですが、このSONY HADの
記述が Image Sensorの開発歴史の記述には全く記載されていない
ことも、その発明者の萩原としてはたいへん不満に感じています。
大は小を兼ねると言いますが、萩原は1975年にSONYのHADセンサーを
発明しました。このSONY HADは、
(5) P+NPNsub接合型の受光素子であり、それはまた、
(4) P+NP接合型のピン留め受光素子( Pinned Photodiode )でもあり、またそれは、
(3) PNP接合型の空乏化受光 素子（ Depleted Photodiode )でもあり、またそれは、
(2) PNP接合型の埋め込み型受光素子( Buried Photodiode )でもあります。
従って、SONYの萩原は、
(2) PNP接合型の埋め込み型受光素子( Buried Photodiode ) の発明者であり、
(3) PNP接合型の空乏化受光素子（ Depleted Photodiode ) の発明者でもあり、
(4) P+NP接合型のピン留め受光素子 ( Pinned Photodiode ) の発明者でもあり、
(5) SONY HADセンサの P+NPNsub接合型の受光素子の発明者でもあります。
SONY HADセンサの P+NPNsub接合型の受光素子には
構造上 Built-in Vertical Overflow Drain （VOD) 機能が
組み込まれ います。
従って、萩原はこの縦型 Overflow Drain (VOD) の発明者でもあります。
この事実と全く矛盾する、問題のある日本特許庁のWEBサイトの記述です。
萩原が1975年出願特許した特許の実施例図（下図参照）を
見ていただければ、「萩原が真の発明者である」事は明白だ
とご理解いただけるものと信じていおります。
この２つの特許出願から、その実施例図が意味する内容からも、
（１）萩原は埋め込み Photodiode の発明者である。
（２）萩原は残像のない特徴を持つ、空乏化 Photodiodeの発明者
（３）萩原は暗電流を抑圧した、Pinned Photodiodeの発明者
（４）萩原は縦型overflow drain (VOD)の発明者
（５）萩原は裏面照射型のPinned Photodiodeの発明者
（６）萩原はCMOS Image Sensorには不可欠な
Global Shutter 用の Buffer Memmoryを持つ
Pinned Photodiode の発明者である。
この事実を全く発明協会も今の技術専門家も知りませんでした。
単純に、萩原が出願した２つの特許の技術の詳細内容を
理解する能力がないからか、それとも単純に見落としていた
からでしょうか？この２つの特許の図を見れば上記の重要な
６つの発明の発明者は、萩原がその発明者である事を、
ご理解いただけるものと信じております。
いかがでしょうか？？？？？
1978年には、SONYの萩原は、この P+NP接合型の Pinned Photodiode の
原理試作に成功し、380 H x 490 V 絵素の Frame Transfer 型 CCD 転送
方式のimage sensor に採用し、その特性を学会発表しています。
また、1980年には、SONYの萩原は、この P+NP接合型の Pinned Photodiode
を採用した、570H x 490V 絵素のFrame Transfer 型 CCD 転送方式の image
sensor の原理試作に成功し、SONYの 8 mm VTR と ビデオカメラ一体化の
ビデオムービー（仮称）のSONYは、1980年7月1日に新聞発表を、SONY社長の
岩間和夫氏が東京で、SONY会長の盛田会長が New York で 同日に Press
Conference を開催し、大々的に、新聞発表しています。
また、日本発明協会の公式WEBサイトでは、
「Pinned Photodiode は NECの寺西さん
の発明である」とされていますが、その特許
出願は1980年のものです。しかし、萩原が
1975年に出願特許が先行しています。
従って、NECの寺西さんが1980年に出願
した特許は、重複特許であり、無効です。
さらに、それだけでなく、NECの寺西さんの特許の詳細を見ると、
その実施例図２に示される様に、表面が空乏化しており、強い
電界が生じ、暗電流が生じる構造になっています。
これは、正確には、暗電流を抑圧する Pinned Photodiodeの
特許でないという証拠になります。
NECの寺西さんは、絶対に、Pinned Photodiodeの発明者では
あり得ない、誰も否定できない、証拠となります。
この事を、日本発明協会のみなさんにはしっかりとご理解を
いただき、日本発明協会の公式WEBサイトの偽の発明者の
記載を訂正して、至急に、「萩原が真の発明者だ」と、記載
訂正をしていただきたいと、切に萩原は希望しています。
しかし、発明協会のWEBサイトでは 「1979年にNECの寺西さんが
Pinned Photodiodeを発明した」と記述しています。これは嘘である
事になります。真実ではないということです。もっと、しっかりと、
特許の内容を技術的に精読してから、何が真実なのかを、確認
する必要があると感じます。残念ながらイメージセンサーの学会
の技術者や専門家でも、直截に日本語特許をすべて入手し網羅
する事は不可能です。どこかに抜けが不幸にも生じた結果、学会
で、特に日本国特許を入手し把握できる環境に乏しい国際学会で
たいへんな情報不足による事実誤認が生じたものと観察します。
しかし、日本の社会では、特許庁の公開特許は公式文献であり、
その存在意義は重いもので尊重されるべきものです。
萩原が1975年に出願した、２件の日本国特許、1975-127647 特許
と 1975-134985 特許の詳細を吟味された技術者専門家なら必ず、
萩原の主張が正しいと断定していただけるものと確信しております。
これままでは、真の発明者の名誉と誇りをないがしろにした事になり、
間違った人間を発明者と公言する事は、たいへん遺憾です。
真の発明者に対しての、たいへんな迷惑行為になっています。
こんな事が本当に世の中で許されるものかと、萩原は本当に、
今、驚いています。たいへん悲しい状態です。
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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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