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The AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Home Page 039

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（１）　Introduction

（２）　Sony original HAD sensor の背景

（３）　the pinned photo diode　と　Sony original HAD sensorは同じもの

（４）　萩原良昭の自己紹介と活動報告

（５）　萩原1975年出願特許（　Hagiwara Diode　の発明）のお話

（６）　米国　Fairchild社とＳＯＮＹの特許戦争について

（７）　ＮＥＣ日電とＳＯＮＹの特許戦争について

（８）　Fossum 2014年　Fake 論文について

（９）　まとめ


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（８）　Fossum 2014年　Fake 論文について


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特許で一番重要なのはあくまでその特許に記載された公式特許請求範囲である。特許に添付

されている実施例はあくまでその特許の有効性を説明するための応用例にしかすぎない。特に

その素子構造の動作に関する記述となると、その素子構造の使い方のknow-howとなりなかなか

特許権利を行使できるほどに正確に記述は難しく、また動作原理を特許審査官に理解してもらえる

ことはほぼ不可能で、可能であっても新規なアイデアであればあるほど時間と努力がたいへん

かかる難問である。いずれにせよ、商品化にあたり、その素子構造をまず採用しないと、その動作は

実現しないのだから動作に関しては記述する必要がまったくないのが構造特許の本質である。


当然、その特許で定義される素子構造の応用例すべてを特許の実施例として添付必要はない。


構造特許に添付される実施例は、ほんの数件の有効な実施例を示すだけで充分である。あくまで

その素子構造に最大の特許の価値があり、それが知的財産として企業の事業展開に大きく影響する。



米国　Fairchild社は、長年萩原1975年特許( 埋め込みＶＯＤ機能付きのpinned photo diode構造）

を攻撃していたが、その攻撃論法は、このFossum 2014 fake paper でも悪用されている。すなわち、

特許に記載された正確な特許請求文を無視して、「特許の実施例を、特許請求範囲そのもので

ある」かの様な論理性欠如した論法で攻撃している。実施例はあくまで応用例であり、特許の公式

な請求範囲を制限するものではないことは誰でも理解できることである。特許の正確な請求範囲

が日本語で単純明解に記述されていているにもかかわらず、日本語が理解できないことが問題か、

それとも日本語で記述した特許自体を入手しておらず、限られた断片的な情報だけで拡大解釈

する攻撃論法を使って、このFossum 2014 fake paperは、間違った結論・虚論を展開している。






　　　ここでも、Fossum 2014年　fake 論文　は、　「もと　NECの寺西が　IEDM 1982で

　　　発明したものが、pinne photo diodeの最初の発明だ。」と、虚論を述べている。

　　　Fossum 2014年の大ウソつきの　fake 論文は、　ここでも、うそを書いている。

　　　Fossum 2014年　fake 論文は、いろいろとある事ない事を非常にバイアスした

　　　記述で、嘘を混ぜて、SONYと萩原を侮辱している。

　

　　これら４つの実施例は、萩原が　1975年に発明した　Hagiwara Diode 、すなわち、

　　のちに　pinned photo diode と呼ばれるものを採用した実施例(派生copy) である。

　　あくまで、pinned photo diodeの発明は、1975年の萩原特許によるものである。


　　　いずれにせよ、　ＳＯＮＹの萩原が　pinned photo diodeの本当の発明者である。


CCD固有の完全電荷転送動作がCCDだけでなく、萩原の1975年の日本語特許で定義される　Hagiwara Diode

でも実現可能であることを示唆するものです。このHagiwara Diodeが、残像なしで低雑音でかつ超感度の半導体受光構造、

すなわち、未来の鉄腕アトムの電子の目の網膜細胞に相当する画期的な発明であることの証拠となります。このたいへん

重要な、萩原の1975年の日本語特許で定義される　Hagiwara Diodeの受光部(N層）のthe empty potential well 曲線の

存在を、　Fossum の　不当な嘘の　fake 論文は　完全に隠しています。たいへん不当( unfar, biased and fake ）論文です。


これはたいへんけしからん話です。　このことをNECとSONYの特許戦争の時にSONYが主張していたことをＮＥＣもその論争の

対象となっていたのはＮＥＣ1983年の寺西特許です。寺西もＳＯＮＹとＮＥＣの特許戦争でＮＥＣが負けたことを知っていたはずです。

なのに、ぬけぬけと自分が　pinned photo diodeの発明者のふりをしていることは、たいへんけしからんことです。偽りの顔です。









　(１) 　Fossum はこのFossum Fake 論文で　次の様にうその記述している。


　　　　"However, the 1975 application did not address complete charge transfer,

　　　　　　lag or anti-blooming properties found in the NEC low-lag device,

　　　　　　and does not seem to contain the built-in potential step and charge transfer device

　　　　　　aspects of the virtual-phase CCD."


　　　　　この文章からも明らかな様に、 Fossum は、　萩原特許に含まれ例図6Bの存在を全く知らない無知な人間か、

　　　　　それとも、わざと自分の都合の悪いことを隠す極悪非道な詐欺師かどちらかである。


　　　　　嘘の虚述で、完全に萩原を侮辱している。


　(２) また、Fossum はこのFossum Fake 論文で　次の様にうその記述している。


　　　”Hagiwara repeats these claims in a 2001 paper [26] 　and shows a VOD structure

　　　　that is not found in the 1975 patent application. ”


　　　　[26] Y. Hagiwara, “Microelectronics for home entertainment,”

　　　　　　　in Proc. ESSCIRC, Sep. 2001, pp. 153–161.




　　しかし、　1975年萩原発明の　　Hagiwara DiodeのP+NPNsub junction 構造そのものが　

　　VOD 機能を持つ構造であることは自明である。彼はまったく萩原特許を理解していないばかものである！




（３）また、Fossum は このFossum Fake 論文で　次の様にうその記述している。


　　　" Sony did not seem to pursue the HAD structure until well after the

　　　　　NEC paper was published. "


　　しかし、1975年の萩原特許で Hagiwara Diode は発明され、　1978年には　FT CCD imagerの

　　試作に Hagiwara Diode （　P+NPsub junction 型　photo diode ) はその受光構造として採用されており、

　　これが後になって　Sony　original　HAD 　sensor と商標名が登録されただけで、HAD　sensorの

　　開発は、萩原が　1975年に　Hagiwara Diode を発明した時点から始まっている。


　　SONY内の　TOP（越智さん）の反対にもめげず、萩原はSONY内のプロセス担当者( 狩野さん、阿部さん、

　　松本さん）の支援を受けて、自分でimage sensor を設計し、さらに自分でプロセスラインに入り試作している。



（４）　また、Fossum は このFossum Fake 論文で　次の様に事実誤認の認識不足の記述をしている。

　　" However, the “narrow-gate” CCD with an open p-type surface region

　　　for improved QE also disclosed in the 1975 application was reported in more detail

　　　by Hagiwara et al. at Sony in 1978 [27].


　　　[27] Y. Daimon-Hagiwara, M. Abe, and C. Okada,

　　　“A 380Hx488V CCD imager with narrow channel transfer gates,

　　　　” Japanese J. Appl. Phys., vol. 18, supplement 18–1, pp. 335–340, 1979.


　　まさに、この論文に、Hagiwara Diode （　P+NPsub junction 型　photo diode ) を搭載したFT CCD imagerの

　　試作結果を報告している。その性能は、単純に超感度だけでなく、残像のない、低雑音な受光構造であることを

　　実証した論文である。ＳＯＮＹが東京とNYで大々的に記者会見した超感度で残像がない低雑音のimage sensorの

　　世界最初の　pinned photo diode ( Hagiwara Diode ）　搭載の新聞発表である。これが最初の、pinned photo

　　diodeの原理試作であることは、多くの世界のCCD 開発の権威者も認めている。





　　以上の例以外にも多くの虚述がこの　Fossum 2014年論文には存在する。



（５）　そして最後に、このうその論文は、次のように嘘論をはいた。



　"The PPD, as it is most commonly used today, bears the strongest resemblance

　 to the Teranishi et al. ILT CCD device. Thus, these days Teranishi is considered

　 as the primary inventor of the modern PPD . "


　と嘘の証言をしている。


この嘘の結論は、上記　(1),(2),(3),(4) の嘘の証言の上で出された嘘の結論である。

　

これを真実とは到底認めることは不可能であり、断固として、萩原とＳＯＮＹはこれに抗議する。


　このままでは、　SONYの商標名、　brand name の　SONY original HAD sensor は、

　もと　NEC の寺西の　pinned photo diode の発明によるものとなる。


　SONYの商品は　NECのcopy品であるという、汚名を受けることになる。


　これは絶対に許されない。　萩原とＳＯＮＹに対する大きな侮辱である。


　　Fossum がこのFake 論文を書いた目的がはっきりした。


　　SONYと萩原をけちょんけちょんにけなし攻撃する事により、

　　Fossum 自身の業績が強調でき、Fossum自身が　

　　modern didital CMOS image　sensor の開発者であると主張することである。


　しかし、今世に見る　modern didital CMOS image　sensor は　SONYの多くの技術者の

　努力の結晶により完成したもので、　Fossum 1人が開発したなどとは到底考えられない。


Fossum は、暗闇の中で、政治的に動き、技術的に素人である方々さんを多くだました結果である。　



　　どうして嘘をならべて萩原とＳＯＮＹを攻撃したかがこれで明らかである。


　　萩原とＳＯＮＹの存在が邪魔だったわけだ。。。



　　Fossum 2014年　論文は、　嘘の虚術を並べた、絶対に許されない詐欺行為である。





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これは70歳じじいのぶつぶつぼやきの独り言でした。

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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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