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The AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Home Page 027
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萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の解説
萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の原文
萩原1975年特許( pinned photo diode Patnet 1975 )の画像
https://patents.justia.com/inventor/yoshiaki-hagiwara
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ＳＯＮＹの萩原良昭の1975年発明特許の正確な特許請求範囲の記述内容を精読し、
かつ、その萩原1975年特許の実施例（ ILT CCD image sesnor への応用例）と、
1978年のＳＯＮＹの FT CCD image sensorの新聞発表の技術内容を見れもらえれば、
Pinned Photo Diodeの発明者がＳＯＮＹの萩原良昭である事をご理解いただけるかも？
また萩原が SONY original HAD sensor の発明者であることも、ご理解いただけるかも？
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今となっては市場から消えつつある CCD image sensor にせよ、これから
期待される CMOS image sensor にせよ、時間がたつと、多くの企業が
追従し、開発製造が可能です。
しかし、その超感度化を実現する、original の着想は、1975年11月10日出願の
のSONYの萩原発明特許が原点です。
萩原は、電荷転送装置（ CCD型とCMOS 型の両方）に適用できる受光素子を
提案しました。、超感度でかつ、低雑音、低暗電流で残像なしの、高速アクション
撮影を可能とする半導体受光素子、すなわち、P+NPNsub 接合型の受光素子を、
1975年の萩原発明特許で定義しました。
1975年萩原発明特許がすべての超感度で残像なしの image sensor の原点です。
ＣＣＤでもＭＯＳ imager でもありません。ＣＣＤもＭＯＳ imager も 電荷転送装置
として別の重要な役割を持っています。しかし、受光素子ではありません！
本当の image sensor （光情報の感知素子）、すなわち、「人間に目の網膜」に
相当するものは、1975年の萩原発明特許で定義されたP+NPNsub 接合型の
受光素子のことです。
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萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の解説
萩原1975年特許 ( pinned photo diode Patent 1975) の原文
萩原1975年特許( pinned photo diode Patnet 1975 )の画像
https://patents.justia.com/inventor/yoshiaki-hagiwara
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(1) SONYの Sony original HAD sensor と pinned photo diode は同じものです。
この事実は、東北大学の鏡教授の資料の中でも述べています。
(2) SONＹの萩原良昭はSony original HAD sensor を1975年に発明しました。
萩原はこの1975年の発明で、ＳＯＮＹで第１級の発明褒賞を受賞しています。
(3) Image sensor の世界の第一人者で、ＩＳＳＣＣやＩＥＤＭの国際学会などで、今でも
ご活躍の、Delft 大学の教授の、 元 philips 社の Prof. Albert Theuwissen
は 萩原良昭の1975年発明特許出願した半導体受光素子( Hagiwara Diode )は
pinned photo diode そのものだと断定しています。萩原良昭は1975年の発明特許
の中で、この半導体受光素子は、 ITL CCD image sensor なども含むすべての
ＣＴＤ、すなわち、 ＣＣＤだけでなく、 active CMOS imager を含む、すべての
電荷転送装置（ＣＴＤ）に適用できるとしています。
また、この萩原1975年発明の半導体受光素子、当時はまだ pinned photo diode
という名称も、SONY original HAD という商標も登録されていなかった時代ですが、
この萩原1975年発明の半導体受光素子( Hagiwara Diode )を、1978年には、
ＳＯＮＹは FT CCD image sensor に採用した、超感度残像なし低雑音のビデオ
カメラの試作に成功し、記者会見しました。
これが最初の超高感度残像なし低雑音のpinned photo diode の試作発表である
ことも、国際学会でのProf. Albert Theuwissen は 講演の中で引用しています。
このpinned photo diode は、すなわち、このSONY original HAD sensor は
現在でも裏面照射型の ＳＯＮＹのデジタルカメラの CMOS image senosr に
採用され、生きています。この萩原1975年発明の超感度、低雑音で、かつ、
残像なしの高性能受光素子構造( Hagiwara Diode) が今でも採用され活躍
しています。 Hagiwara Diode = Sony original HAD = pinned photo diode.
下図は Fossum 2014 論文に引用されている pinned photo diode です。
Fossum 2014 論文に引用されている pinned photo diode （上図）が
萩原が 1975年に発明した Hagiwara Diode （下図）と全く同じものである
ことは、半導体物理を学習した学生なら誰でも簡単に理解できます。
明らかに Fossum は萩原1975年の特許の内容を理解できないのか、
またはその日本語で記載された特許請求範囲の記述文を読んだことが
ないか、または故意的に無視し、自分の都合の良い虚論を展開したのかも？
もと東京工業大学の松澤名誉教授は、「この Fossum 論文 を fake である。」
とあきれていました。「どうしてこんなバイアスされたものが論文として採用された
のか、理解できない。」とおっしゃっていました。また、image sensor の世界の
第一人者で、 ＩＳＳＣＣ や ＩＥＤＭの国際学会などで今でもご活躍の、
Delft 大学の教授で、もと 元 philips 社の Prof. Albert Theuwissen
は 「Fossum からFossum 論文の共著になってくれとの依頼を受けたが、
論文内容が懐疑的( doubtful ) で、sensitive な内容であるので、共著を
断った。」 との話でした。誰が pinned photo diodeの発明者であるかを
断定することは、企業間の骨肉の醜い特許戦争にもかかわる、sensitive
な内容であり、当事者の会社同士で決着つけるもので、部外者としては
関係ない話で、共著を断った。」 との主旨でした。
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Fossum 2014 論文は、この事実をうまく隠し、世界をあざむいたfake 論文です。
この事実関係は、Prof. Albert Theuwissen との e-mail での内容からも明らかです。
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-----Original Message-----
From: hagiwara [mailto:hagiwara-yoshiaki@aiplab.com]
Sent: Tuesday, July 10, 2018 7:42 PM
To: 'albert theuwissen'
Cc: 'Yasuhiro.Ueda(SONY)' ; 'Terushi.Shimizu(SONY)'
Subject: Who is the Inventor of PPD ?
Albert, thank you for your e-mail.
>After some doubt I declined his (Fossum 2014 paper) invitation,
>because I do know that the discussion about the inventor of the PPD
>is very sensitive, and I do agree with you
>that the structure you developed is indeed a PPD,
>maybe not called that way at that time (1975 )
>and also invented for some other purpose (Vertical OFD) .
>But it still remains a PPD !
>At Philips, in the late '70s a very similar structure was implemented
>in the CCDs, this was before I joined Philips in 1983.
>So yes, there were several p+/n-/p- structures known by the time
>that Teranishi issued his patent. I fully agree to that.
Thank you very much for your kind comments.
from Yoshiaki Hagiwara
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事実、 Fossum 2014 論文では、（１） SONY original HAD と pinned
photo diode が まったく同じものであることを隠しています。 すなわち、
1975年発明のSONY original HAD と NECが ＩＥＤＭ1982で試作発表した
pinned photo diode が まったく同じものであることをうまく隠しています。
（２）SONY original HAD と pinned photo diode が まったく同じものである
となると、その発明者、pinned photo diode の発明者は、すなわち、SONY
のSONY original HAD の発明者と同一人物（萩原良昭）になることになります。
Fossum 2014 論文は、この事実をうまく隠し、世界をあざむいたfake 論文です。
Fossum は この Fossum 2014 fake 論文 を武器に、自分に有利な評価環境を
学術学会だけでなく政治的に働きかけ、構築し成功しました。最終的に多くの技術
専門家をもあざむきました。無知な人々まで多くを巻き込みました。完全なる詐欺
行為です。 英国王室からの受賞に関しても、偽りの推薦書を集め、ＮＥＣの寺西
さんを pinned photo diodeの真の発明者と担ぎあげ、さらに Fossum 自身も、
デジタル CMOS image sensorの真の開発者であると、Fossum 自身に有利な
評価環境を構築しました。本当のデジタル CMOS image sensorの真の開発者は、
勤勉なＳＯＮＹの技術者です。
Fossum の一連の行為は絶対に許されない詐欺行為です。
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今となっては市場から消えつつある CCD image sensor にせよ、これから
期待される CMOS image sensor にせよ、時間がたつと、多くの企業が
追従し、開発製造が可能です。
しかし、その超感度化を実現する、original の着想は、1975年11月10日出願の
のSONYの萩原発明特許が原点です。
萩原は、電荷転送装置（ CCD型とCMOS 型の両方）に適用できる受光素子を
提案しました。、超感度でかつ、低雑音、低暗電流で残像なしの、高速アクション
撮影を可能とする半導体受光素子、すなわち、P+NPNsub 接合型の受光素子を、
1975年の萩原発明特許で定義しました。
1975年萩原発明特許がすべての超感度で残像なしの image sensor の原点です。
ＣＣＤでもＭＯＳ imager でもありません。ＣＣＤもＭＯＳ imager も 電荷転送装置
として別の重要な役割を持っています。しかし、受光素子ではありません！
本当の image sensor （光情報の感知素子）、すなわち、「人間に目の網膜」に
相当するものは、1975年の萩原発明特許で定義されたP+NPNsub 接合型の
受光素子のことです。
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これは70歳じじいのぶつぶつぼやきの独り言でした。
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The AIPS image sensor watching at its inventor, Yoshiaki Hagiwara.
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