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The AIPS ( Artificial Intelligent Partner System ) Home Page

................. a story of the intelligent AIPS image sensor..............

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Fossum is a liar !






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        SONY HAD sensor の秘話

    SONY HAD sensor の特許戦争の秘話

    The evience of the fact that Hagiwara invented pinned photo diode

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Sony に1975年に入社し、すぐに萩原は受光素子の構造特許
を出しました。 HAD+CTD の構造特許です。すなわち、
HADで光電変換してHADに蓄積した信号電荷(電子)をCTD
にCCD転送の様に完全空乏化・完全電荷転送( complete
charge transfer from completed depleted empty potential well )
して、隣接する CTD ( CCDも, BBDも, MOS type CTD もCTD
です、CTDはどれでもよい)に転送を可能とする構造特許です。

萩原が考案し、構造特許として、1975年に特許申請し、その特許
請求範囲で定義された受光素子構造図を下図に示します。

簡単なP+NPNsub接合(thyristor)の構造体で、
この図を特許に添付しなかったのが今問題になっています。

この図では PNP Tr の emitter 端子(P+ 領域)には 
Anode 端子が接続され、外部電圧で、P+領域の電圧は
外部から固定(ピンとめ)されています。
これが pinned photo diode の言葉の由来です。

    Thyrisor defined in wikipedia



Hagiwara at Sony invented the pinned photo diode in 1975


   Hagiwara at Sony filed a Japanese patent in 1975.

   The world does not know the empty potential well

     Hagiwara drew for the first time in the wotld

              in his 1975 patent

      which implies the complete charge transfer mode

            of the pinned photo diode,

         the evidence of the fact that

      Hagiwara at Sony
       invented in 1975
     the pinned photo diode.

    Fossum was not aware of
Hagiwara's empty potential well,

    Fossum led to a false conclusion
      that confused the world
     by his irresponsible paper
" A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"
 by Eric R. Fossum and Donald B. Hondongwa , which was published in
 IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, VOL. 2, NO. 3, MAY 2014

Corrections are requested in his paper..

     The world does not know that
       the pinned photo diode
              and
     Sony original HAD sensor
        are the same thing
   Yoshiaki Hagiwar of Sony
    
          invented in 1975.





Sony に1975年に入社してすぐ、萩原は受光素子の構造特許
を出しました。P+NPNsub接合(thyristor)の構造体です。N層を
浮遊状態(floating)として光信号電荷(電子)を蓄積し、それを
隣接するCTD(CCDやBBB,MOS imagerなど)に電荷転送
する半導体固体撮像装置です。固体撮像装置の未来像がどな
ものかと萩原は思案していました。そして、次の5つ特徴を満足
する半導体受光素子でないといけないと考えました。(1)低残像
( low image lag )(2)低熱雑音 (low CkT noise) 、(3)低界面
準位雑音 ( low trap noise)、(4)超光感度( high quantum
efficiency) (5)過剰電荷放流機能(built-in OFD function)
の5つの特徴を持たねばならないと考えました。


学生時代にBCCD(埋め込みチャネル型CCD)の動作解析を
博士論文の研究テーマとしていました。SCCD(表面型CCD)
よりBCCDの方が電荷転送効率が99.999%以上と期待でき、
将来、 信号雑音比(S/N比)の良い、すなわち感度のいい
固体撮像装置として有望視されていた時代でした。

そのBCCDの動作解析で、1974年2月に自分の博士論文を
ISSCC1974で発表し、翌年1975年2月にSONYに入社し横浜
中央研究所のCCD image sensorの研究開発チームに配属
されました。

ソニー厚木工場からプロセス開発チームが研究棟の4階に
集結し、萩原の所属する設計評価チームは5階に集結して
連携をとり、仕事を進めていました。萩原の所属する情報処
理研究所ではCCD image sensorの設計と評価のチームだけ
でなく、そのCCD image sensorを使ってカメラシステムを組み
立て商品化に耐える性能があるかを評価確認するチームも
ありました。

実はSONYに入社してすぐ気がついたことですが、CCDに
には致命的な欠点がありました。最終的にはあまり未来の撮
像素子としては、実用的でないと萩原はすぐに感じるように
なりました。

なぜなら、初めからMOS imagerを開発ターゲットをしていた、
日立などの会社がありました。MOS imager はCCDより製造
プロセス工程が単純でした。


従来のMOS transistor のプロセスで製造可能で、その
MOS transistor のsource 領域のN+層をfloatingとして
N+Psub接合を受光素子としたものです。

しかし、受光部であり、光電変換された光信号電荷(電子)を
受光時に蓄積するN+領域は、底なし井戸の様に、電子を
水にたとえると、水がいっぱい入った、底なし井戸の水をくみ
出す様なもので、いくらくみ出しても、そこは深く、人が底なし
井戸の水をくみ出すには、限界があり、いつまでたっても、
底なし井戸を空っぽにはできません。

そこで、光が照射されると、井戸の水は光の量に比例して、
井戸の水が増加する仕組みになっています。その比例した
増加ぶんだけの水量、すなわち光信号電荷(電子)を
くみ出すことが可能な受光素子でした。しかし、N+領域は
たいへん濃い濃度をした領域(底なし井戸)で光信号電荷
(電子)を全部くみ出せず、特に光量が多い場合、くみ出し
残りが生じ、それが残像という現象で、撮影した動画に
現れました。せっかく溜まった井戸の水、すなわち光信号
電荷(電子)を井戸から完全にくみ出せないという、不完全
電荷転送装置でした。

●MOS imager の欠点の1つは不完全電荷転送(残像あり)です。


MOS imagerは光信号電荷(電子)の個数に比例したアナログ情報
を取り扱う、典型的なアナログ情報処理回路です。一方、DRAMは
信号電荷(電子)があるかないか、すなわち、1 か 0 を判定する
デジタル情報を処理する回路です。そのアナログまたはデジタルの
信号情報を信号情報蓄積部から読み出す手法は、両者ともほぼ、
同じで、金属または濃い濃度の拡散層N+で形成され、濃い濃度
の拡散層N+も、ほぼ金属と同じような、抵抗値が小さく、電子を導通
される能力のある、垂直読み出し金属信号線と、水平読み出し金属
信号線を装備しています。

しかし、半導体の微細化がまだ十分進歩していなかった
1970年代では、この金属配線間の容量Cが大きく、この容量
Cに起因する熱雑音 ( CkT noise ) が大きくなります。

●MOS imager のもう 1 つの欠点は熱雑音 (CkT noise) です。


しかし、1969年に米国ベル研究所で発明されたCCDは、
濃い濃度のN+領域を必要とせず、ただ単純にMOS容量を、
電荷転送方向に多数並べただけのものでした。

金属電極下の半導体結晶表面(界面)に、浅い電位井戸を
形成することが可能になりました。また、受光時に、MOS容量に
蓄積された、照射光量に比例した、光信号電荷(電子)を、隣接
する受け取り側の容量に、効率良く転送することが、2つの容量の
総合連携結合効果により、実行可能となりました。

蓄積していたMOS容量、すなわち、受光部であり、かつ同時に、
蓄積部の電位井戸から、電子(水)を、受け取り側のMOS容量に、
完全にはき出すことが可能となりました。

すなわち、完全にMOS容量の井戸の水を完全に空(empty)にでき、
すなわち井戸(well)を完全空乏化 (complete majority carrier
depletion) でき、つまり、完全にはき出す ( complete charge
transfer )ことができ、すなわち、完全電荷転送ができることが
できることになりました。

完全蓄積部の空乏化および完全電荷転送 (complete charge
transfer that results in comolete charge-depleted empty
potential well )が可能な固体撮像装置(solid state image sensor )
が、CCDの到来で実現したということで、CCDは脚光を浴びることに
なりました。

この最初に発明されたCCDは、酸化膜と半導体結晶の接触平面
(界面)に光信号電荷(電子)が転送されるので表面型CCD、
すなわち簡単にSCCDと呼ばれました。


(1)SCCDは残像なしの特徴を持っています。


SCCDの発明により蓄積部の完全空乏化と完全電荷転送が可能
となり、その結果、残像のない動画が実現し、高速撮影、action
picture の撮影が可能となりました。



(2)SCCDはさらに、熱雑音 (CkT noise) なしの特徴を持っています。

さらに、長い金属信号配線が必要でないので MOS imager の場合の
金属配間容量に比例した熱雑音がありません。SCCDは、MOS imager
の致命的な2つの短所、すなわち、残像と熱雑音のない、優れたものとして、
脚光を浴びることになりました。


しかし本来、SCCDの中の信号電荷(電子)は、酸化膜と半導体結晶の接触
面(界面)に存在し、移動転送します。その酸化膜と半導体結晶の接触
面(界面)には、電子を捕獲する(trap)界面準位というものがあります。

一種の落し穴です。電子がその落し穴に落ちると、完全転送が出来ず、
不完全転送となります。またこの落し穴に落ちる様子が、毎回一定でなく、
ランダムに起こり、落ちたり、落ちなかたりが無規則に起こり、目的地(隣接
する受け取り側のMOS容量)には、到達する」電子の数がランダム無秩序
となり、映像でその結果、映像に雑音が入っている様に見え、その雑音を
界面準位雑音といいます。



●SCCDには界面準位雑音がある。



SCCDの発明の後、その派生品種、改良型が発明されました。
埋め込みチャネル型のCCD、すなわち、BCCDと呼ばれました。

SCCDよりさらに転送効率がよく、学会では99.999%(five nine)
の電荷転送が可能で、完全電荷転送が実現したと期待されて
いました。

BCCDもMOS容量を単純に並べたもので、濃いN+拡散層が
不要です。MOS容量により、このBCCDでは、埋め込みN層に
浅い井戸を形成することが可能です。蓄積部の完全空乏化が
可能で、かつ完全電荷転送が可能です。

従って、SCCD の良さを兼ね備え、さらに、SCCD と違って、
光信号電荷(電子)は半導体結晶体の表面下に埋め込まれた
薄い濃度のN層の真ん中に形成される通路(channel)、まるで
地下鉄の電車の様に、地下の通路(buried channel)を地上の
落し穴に落ちる事なく、安全に移動することが可能です。

地上のさわがしい交通量(界面準位雑音)からも解放され、
地下鉄(埋め込みチャネル)転送方式は静かで雑音のない
環境(no trap noise )が実現しました。。

ばかばか、地下鉄は騒音が多く、実はやかましいよ(笑)

その雑音ではありません(笑)。

電車が予定通り遅れず目的地に時刻表通りに到着する
どうかのお話です。

ほぼかっきりと予定通りの時間に到着するのが地下鉄です。

いや通勤時はそうでもないよ(笑)。

しかし、地上の乗り物はもっとひどく、渋滞状態が日ごとに
異なり、ランダムとなり、SCCDのランダム雑音となります。


テレビの映像を見ると、何かもやもやした雑音の多い、きた
ない映像に感じる、SCCDのランダム雑音ものになります。

そのSCCDのランダム雑音、界面準位雑音( trap noise )
がBCCDではなくなります。


(3)界面準位雑音 (trap noise) なしの特徴


このBCCD の3つの特徴で未来の固体撮像装置と期待される
BCCDを博士論文テーマに萩原は選択しました。

1972年の秋から1975年の冬迄の間、萩原は母校米国 CalTech
( CaliforniaInstitute of Technology) で、3人 の 指導教官、 
Prof.C.A.Mead 。Prof.James McCaldinと Prof.T.C.McGill の
指導のもと、研究。25歳にして、ISSCC1974で学生論文(PhD
paper)を発表。

論文の内容は、BCCDを使った固体撮像装置がどのくらい高速
に動作するかの可能性について解析した結果報告でした。

すなわち、BCCDの埋め込み層の転送通路(buried channel )
に生まれる電界強度、すなわち、ボールが下り坂をどのくらい
はやくころげ落ちるか、下り坂の傾斜の関係で、どのくらい早く
ぼーるが落ちることかの解析報告でした。


半導体内の光信号電荷(電子)の二次元動作解析を。大学
にあったIBM360を使って Fortran 言語で program して 
computer simulation をして、さらに、 CalTech所属の JPL
(ジェット推進研究所、鉄腕アトムのジェット推進百万馬力を
連想する研究所で、月面、火星へで自動走行する探索機と
地球への通信システム技術を開発する研究所)にある、特殊
なNASAの装置を使い、その計算結果を36ミリフィルムに焼き
付け、お隣のHolywood では、映画撮影関連会社で 16ミリフィ
ルムに焼き付けて、あらかじめ、ISSCC1974の会場で用意して
もらっいた16ミリフィルム映写機を使って、数分のアニメーション
動画としてISSCC74の学会で1000人以上いる半導体集積回路
の技術者の前で映写しました。


発明されたBCCDの有望性を明らかにするために、この埋め
込み層型CCDの埋め込みN層の中を、界面準位から守られた
光信号電荷(電子)のかたまり(packet)が流れる様子をアニ
メーション動画として再現しました。世界で初めてで、多分また、
最後のBCCDの完全電荷転送をコンピュータアニメーション
化したものでしょう。それも当時最新のIBM360コンピュータを
使って、さらにJPLのNASAの film 描画装置を使って、さら
に Holywood の会社で16mmにして、コンピュータアニメー
ション動画にしました。

BCCD の3つの特徴、すなわち、(1)低残像(2)低熱雑音 (CkT
noise) (3)低界面準位雑音 (trap noise) の特徴を兼ねてもつ、
極めて有望な未来の固体撮像装置として期待されるものでした。

学生時代にBCCD(埋め込みチャネル型CCD)の動作解析を
博士論文の研究テーマとしていました。SCCD(表面型CCD)
よりBCCDの方が電荷転送効率が99.999%以上と期待でき、
将来、 信号雑音比(S/N比)の良い、すなわち感度のいい
固体撮像装置としてBCCD有望視されていました。

そのBCCDの動作解析で、1974年2月に自分の博士論文を
ISSCC1974で発表し、翌年1975年2月にSONYに入社し横浜
中央研究所のCCD image sensorの研究開発チームに配属
されました。未来の固体撮像装置の性能を満足する為には
次の5つ特徴を満足するこが必要だと職場の先輩に教えて
もらいました。(1)低残像( low image lag )(2)低熱雑音
(low CkT noise) 、(3)低界面準位雑音 ( low trap noise)、
(4)超光感度( high quantumefficiency) (5)過剰電荷放
流機能(built-in OFD function)の5つの特徴があります。

なるほど、BCCDは(1)、(2)、(3)の特徴があるが、(4)の
感度に関しては今いちで、(5)のOFD機能はBCCDで実現
できるとは全く思われませんでした。それにBCCD感度も金属
電極を持つMOS容量構造を受光部としてもつBCCDは、
金属が光を反射するして光を通過させないのでまったく感度
を考えるとMOS容量構造を受光素子ともつ固体撮像装置
には未来がない、CCDでは未来がない、と不安になりました。

せっかく、CCDをスーパスターと信じ、学生時代、自分の青春
時代を過ごしてきたのに、他にスーパスター、自分の夢になっ
てくれるものがあるはずと思うようになりました。日立の技術者も
同じことにすでに気づいていて、早期にCCDを未来の固体
撮像装置としての候補から外していました。

当時 Intel社は MOS transistor 技術で MOS ICを商品
化し、IBMという大型顧客をつかみ Intel のMOS transistor
技術で製造された DRAM chip がバカ売れしていました。

その創設者の Gordon Moore 社長が会社に経営ビジョンとして
半導体の微細化構造のscaling則を根拠に、3年ごとに2倍の
集積度を持つ、すなわち同じ大きさで2倍の数の MOS transistor
が組み込まれて MOS IC chip を市場に提供すると宣言して
いました。

すなわち、MOS imager の致命的な欠点は熱雑音 (CkT noise)
は、いずれ、MOS transistor の微細化努力で CCDより
MOS imager が勝つと信じているようでした。事実、SONYが
CCD imager を世に出すより、はるか前に、日立はきれいな
MOS imager を試作を世に発表し、学会でもその詳細を報告
していました。しかし、ソニーのカメラ事業部の要求は厳しく、5つ
の特徴をもつ撮像素子でソニーは高性能カメラを市場提供し
販売すべきと譲りませんでした。

ソニーのカメラ事業部とそのために固体撮像素子を開発すべく
模索している開発部隊の見解としては、不完全電荷転送(残像)
と熱雑音 (CkT noise) を持つ MOSimager は当然使い物に
ならないという見解でした。

その頃、ISSCC1974で BCCDの動作解析を博士論文として
学生論文を発表しました。彼の博士論文は 3つの特徴、(1)低
残像( low image lag )(2)低熱雑音 (low CkT noise) 、(3)低
界面準位雑音 ( low trap noise)を兼ね備えたBCCDをテーマ
にしており、ISSCC1974の学会でBCCDが将来有望で、論文
の中に萩原が使った正確な言葉を言うと、 low light imaging
の応用でBCCDは最適であると論じていました。

それを信じて萩原は1975年1月最終博士論文の論文発表会で
合格した、その足で6月の卒後式も待たず、すぐ帰国し、1975年
2月20日にソニーに入社し、横浜中央研究所に配属され、未来
の固体撮像装置の開発研究に挑戦しました。

Sony に1975年に入社してすぐ、萩原は受光素子の構造特許
を出しました。P+NPNsub接合(thyristor)の構造体です。N層を
浮遊状態(floating)として光信号電荷(電子)を蓄積し、それを
隣接するCTD(CCDやBBB,MOS imagerなど)に完全空乏
化電荷転送する半導体固体撮像装置です。未来の固体撮像
装置の性能を満足する次の5つ特徴を満足します。(1)低残像
( low image lag )(2)低熱雑音 (low CkT noise) 、(3)低界面
準位雑音 ( low trap noise)、(4)超光感度( high quantum
efficiency) (5)過剰電荷放流機能(built-in OFD function)
の5つの特徴があります。

この特請求範囲で定義・提案する構造体は、特徴(1)から(3)
の特徴は構造を見ただけでだれでも理解できるものでさらに
この構造体は酸化膜の上に金属電極がない構造なので、そ
の構造を見るだけで特徴(4)超光感度( high quantum
efficiency) も、言葉しして説明することもないもので、特徴(1)
から(4)の説明はいらないだろう。図を1枚描けば素人さんに
は読み取れないが、固体撮像素子の実践開発担当従事して
いる技術者には簡単に認識できるはず、と萩原は考えた。会社の
特許関係者も、見る人ぞ見るで、あまり素人さんや後発メーカ
の教材になるような説明の詳細は必要ないので省略してもよい
のでは、それに時間をかけるより早く職場に戻ってこれを造って
下さい。との話で、実はあまり会社の特許弁理士が私の説明を
口頭で聞いた(録音機つき)を文章化して清書して特許に説明
文は2~3分で棒読みだけで、しかし、特許の請求範囲を定義
する文書は、単語1つ1つしっかりチェックし、図もしっかり考えて
実施例として、すなわち、特許請求範囲の有効性を示す具体
的な特殊例、1例を示す図として提示しました。

しかし、この実施例を、特許の本質の特許請求範囲の定義する
ものと誤解する技術者も多く、社外でもかなり笑われ、私の書いた
特許請求文をまじめに読まずに、ほんの 1 例の実施図 5 を見て
これが私の特許に意味するところすべてだと誤解し、この実施
図 5 を見た社内の上司や同僚からは 「受光絵素部に1個づつ
金属コンタクトをつける構造などものになるかよ、お前ばかか?」
とよく笑われました。

別に金属コンタクトの存在は特許請求範囲の定義には記述されて
いないよ、実際金属配線は受光絵素部以外でもいいんだけよ。この
時はどうするかまでは考えれおらず、どででもいいことで、特許は
あくまで 受光部のたて構造( P+NPNsub Vertically Stacked
Junction )のみに請求範囲を限定するものだよ。 とにかく受光
蓄積部のN層の上にP+領域をとり、このP+層がなにかの外部端子
で固定されていて、浮遊状態(floating)でない、一定ので電圧に
固定(ピンどめ)されるべきものであることを明示するための実施例
にすぎないと主張したが、どれだけ私の説明を理解されたか不明
である。しかし、百聞は一見にしかず、でこの道の実践専門家なら
いろいろなことが見て認識できるはずと思っていました。

結局、社内だけでなく、この特許は日本国にしか申請しておらず、
日本語で記載された特許範囲請求文をしっかり読み理解してい
る人間は、おそらく社内でもこの特許を目にした人は特許関係の
数人だけで、日本国内の他社でも特許をしかり調査をして目を
ひからせる数人の優秀な技術者だけで、外国の技術者は当然
目にしていなくて当然です。この特許は国内での商売の時のみ
特許請求権が発生するもので、外国の技術者には読む必要も
ないものです。外国の技術者は萩原の特許を見たこともなく、
時々萩原が学会に招待講演で紹介するこの1975年の萩原特許
の内容しか外国では公表されていないことになります。

実際、2013年にISSCC2013で説明した時にもこの特許の構造体が
潜在的に完全空乏化電荷転送が可能で残像なしという重要な
ことをコメントしませんでした。しかし、図には埋め込みチャネルの
N-層と同じ濃度のN-が使われていることが明示されていています。
これが完全空乏化電荷転送の存在のヒントになり、ここに提示した
受光構造はすべて残像なしの映像を提供することは自明と萩原
は考えていて、あえて、残像の話はこのIEEE SSCS出版の技術
マガジンの記事には説明文を入れませんでした。

いずれにせよ、1975年の萩原特許の1つの実施例の示す図5と
図6は、必ずしも、特許請求範囲を、限定制限するものではないが、
(1)低残像( low image lag )、(2)低熱雑音(low CkT noise) 、
(3)低界面準位雑音 ( low trap noise)、(4)超光感度( high
quantumefficiency) 、(5)過剰電荷放流機能( vertical built-in
OFD function、VOD )の5つの特徴がもつことを示している。


これが今のSONYのHAD技術搭載の固体撮像素子の特徴です。

SONYのHAD技術搭載の固体撮像素子は1975年に発明考案し
た萩原特から生まれました。当時のMOS構造をもつCCDの受光
構造よりはるかに超感度の特徴を持ち、残像 free であることを
1978年、SONYは初めてSONY original HAD技術搭載の
FT CCD image sensor video camera に原理試作に成功しました。

そのすばらしい感度を持つ SONY original のHAD技術搭載の
固体撮像素子を採用した FT CCD image sensor video camera
をVTRとカメラの一体化 8mm ムービーとして SONYは 1978年、
盛田会長と木原さんが New York で 、岩間社長と森尾さんが
東京で、同時記者会見し、その超感度 SONY original のHAD
技術搭載のFT CCD image sensor video cameraを世の中に公開
しました。


その受光構造構造を発明し、sensor chip 全体を一人で設計した
萩原と、CCDプロセスを担当した阿部と、評価を担当した岡田の、
3人で東京で開催の固体素子コンファランスで技術の詳細を報告。

ここで世界は誤解しました。

SONYが強調した超高感度は、萩原が考案しSONY original の
HAD技術による試作・原理実証された受光構造構造であるのに、
CCD そのものが超感度の性能を持つと世界は誤解しました。

CCDは単純にアナログ信号伝達線として採用されているだけです。

CCDは単純にアナログ信号伝達線の役割しかなく、将来MOSの
transisor 技術に負ける運命にあることを誰も予想しませんでした。

従来のMOS transistorの金属信号伝送線の配線間容量が格段
に少なくなると、熱雑音が小さくなり、実用に耐えるレベルになると、
プロセス工程の単純なMOS transistor のプロセス技術がCCD
を置き換え、CCDを市場から排除するのではないかと萩原は不安
でした。最後はデジタルが勝つ。そう思って萩原はCCDの開発部
から完全に離れ、社内のSRAM、DRAM、ADC,Sony マイコン、
そして PS2 および PS3の Cell Processor を見るようになりました。

固体撮像受光素子構造 (Solid State Image Sensing Element
Structure )は 1975年の基本構造で未来像が見えた。人間でいうと
目の網膜細胞にあたる「電子の目」はこれで多くの技術者の努力
(diligence)で完成する。しかし「賢い電子の目」、「人工知能を
搭載した賢い電子の目」を造るには、まだまだ勉強することが多い。

母校 CalTechの Richard Feynman も、一生研究を続け、癌で
たおれ死ぬ直前まで、物理の授業を学生に講義し、自分の知識
を後進に伝承する努力に惜しまなかった。1967年に CalTechに
入学し、最初に手にしたのは赤い分厚い3冊のFeymann Physics
の教科書だった。萩原は電子工学を major専攻、物理を minor
専攻として両方の電子工学と物理で博士号を取得してが、大学
院生として物理学部の学生に量子力学の教える授業の授業補助
(Teaching Assistant)として量子力学の宿題の模範解答や中間
試験問題、期末試験の模範解答と採点などを講義する偉い教授
のアシスタントもしており、Richard Feynmanの授業も何度も聴講
し、彼の研究室で話を聞いたこともある。その時の話題の1つが、
bipolar PNP transistor の動作原理である。Feymannの3冊の本
は1冊目が古典物理、2冊目が電磁気学3冊目が量子力学となって
いるが、3冊目の後半の 第14章に Semiconductor と題して半導
物理の紹介があった。大学2年生だった萩原、当時19歳にして、
はじめて Section 16-4 に紹介されたbipolar taransisor の構造
すなわち PNP接合型 bipolar transistor の構造とその動作
原理を学んだ。図 16-11には、3つの外部端子(Emiiter, Base,
Collector 端子)が同じ電圧、すなわちバイアスなし( no bias)の図
であった。PNP接合型 bipolar transistor の内の正孔(hole)が
見る正電位( positive charge hole potential )の図である。これを
上下さまさまにすると負電位( negtive charge electron potential )
の図となる。現在の業界で良く使われるなじみの図となる。



2年生の時に授業で説明された時は早口の英語でまったくこの図の
意味するところが理解できなかった。3年生になって Prof.McCaldin
の Physics of Semiconductor の教科書で半導体物理だけの授業を
受けた。そして 大学2年で学んだ図は半導体の Band 図であること
を知った。さらに、そして大学院になるとCCDの新しい原理で動く
半導体素子の話を聞き、CCD potential wellの図を良く見るよう
になったが、これも半導体の Band 図であり、大学2年で学んだ図
とおなじものとわかった。

Feynmanの物理の教科書で大学2年の時学んだ図が、萩原が初めて
学んだ potential well の概念図だった。

バイアスなし( no bias )状態でも、すなわち、このPNP接合型 
transistor の電流 off 状態でも、両方の emitter-base 接合と、
base-collector 接合の両方の、majority carrier が存在できない
空乏層領域ができる。そこに生じる電界で、P領域の正孔(hole)と
N領域の電子(electron)が分離し、再結合することなく、それぞれ
自分の陣営(領域)でじっとしているとのイメージがCCDの動作
原理を勉強している時、同じ potential well を見て気がついた。



電位で水平になっているのはそこにmajority carrier がたっぷり
集まっている(accumulation mode) 状態で、あたかも池に水が
たまると、水面は水平になっているのに似ているということになる。

PN接合の接合面付近の空乏層には電界があり、それがこの電位
の電位の勾配となり、そこは水平でなくなる。

また、N層(池)の電子(水)が空っぽになると、すなわち、完全空乏
化すると、N層(池)の底の形 (potentail profilel) が見えるはずだ。

もしPNP transistor のbase N層の電子が完全空乏化したら、もし、
濃度が均一なら単純な二次曲線となり、完全空乏化したN層内の
電位曲線はN層の中央付近に極小点を持つことになる。これをよく
CCDの文献で見るようになったが、PNP transisorの N層でも
同じ様な極小点を持つ曲線になるはず。

これは今話題のBCCDの埋め込みN層の empty potential well と
同じはずだ。Bipolar Transisor base N 層も CCD の埋め込み層
の N層も、完全空乏化して電荷が空っぽにすると電位曲線はflat
にはならない。N層は極小点を持つ曲線、empty potial wellとなる。

そのことを明示するために萩原は特許の図6BのPNP transisor の
base N 層の中の電位図として、empty potial wellの曲線を描いた。

幼年期にお寺の池で水亀を盗んで家に持ちかえり近所の子供と遊ん
でいたが、その池の水を抜いたら、ほぼ平らな底が出てくるが、それ
とは違うことになる。半導体物理は古典物理ではない、電磁気学の
世界で、さらに、量子力学の世界にも首を突っ込んでいる。



萩原はこの大学時代の時に学習した CCDのpotential wellと
PNPのpotential wellの共通関係を思い出し、1975年出願の
特許の図6Bに empty potial well 図を描いた。


未来の固体撮像装置の性能を満足する5つ特徴、(1)低残像
( low image lag )(2)低熱雑音 (low CkT noise) 、(3)低界面
準位雑音 ( low trap noise)、(4)超光感度( high quantum
efficiency) (5)過剰電荷放流機能(built-in OFD function)
のうち、(1)低残像( low image lag )の特徴をこの萩原特許でも
期待されることを明示するためにempty potential well を図6B
に明示した。また、(2)はCCD転送回路を使えば1975年のプロ
技術でも実現可能であった。(3)低界面準位雑音 ( low trap 
noise)は、受光・電荷蓄積部のN層が emitter  P+N 接合で
守られているので問題ない。(4)超光感度( high quantum
efficiency)の特性も、P+層の上は酸化膜(ガラス)だけで保護
されているので要求される感度を満足している。

ただ、 (5)過剰電荷放流機能(built-in OFD function)も
この萩原特許では実現可能な構造となっており、その有効性を
図6BのPNPtransistor の動作事例で emmiter 接合で順方向
電流が放流電流として流れる様子を 電子(e-)が1個だあるが、
base領域から流し(drain)となる P+ emiiter 領域へ移動する
様子を示しており、これで 萩原特許1975は、未来の固体撮像
装置が保有すべき5つの特徴をすべて兼ね備えた受光素子構
造体であることが理解できる。


かなり長い論評文になりましたが、以上の説明で、


SONY HAD Technology 搭載の solid state imager は、

(1)低残像( low image lag )

(2)低熱雑音 (low CkT noise)

(3)低界面準位雑音 ( low trap noise)

(4)超光感度( high quantumefficiency)

(5)過剰電荷放流機能(built-in OFD function)


の特徴を持っていることをお理解いただけたでしょうか?






いずれそれは、Intel の創設者Gordon Mooreが提唱した
半導体MOS transistorの微細化技術による進歩のおかげで、
金属配線間容量が極端に減少し、単純に CMOS transistor
と微細化された金属信号線で構成されるアナログ信号電荷
転送回路が、CCDをカメラ市場から完全に排除しました。

しかし、1975年に萩原が発明した超感度超低雑音残像なしの
Sony original HAD sensor 技術は今も生き残っています。

1978年の Sony original HAD sensor 技術搭載の FT
image sennsor で世界は CCD image sensor は感度が
いいんだ、雑音もないのだ、色再現もすごいのだと騒がれて
CCDがちやほやされたいて萩原はさびしい思いになりました。

萩原は実はSony original HAD sensor 技術がすごいの
だと世界に理解してほしかったです。1978年にはじめて
HAD技術を世界に紹介し、それから40年がたちました。

今ではCCDはどこかに消え、Sony original HAD sensor 
技術 と 超微細化された CMOS transistor 技術の融合
に現在の固体撮像素子が完成しました。


Sony original のHAD技術搭載の CMOS image sensorが、
今では、世界に カメラ市場の50%以上をSonyが占め、
その単体image sensor chip としての売り上げは1兆円以上と
なっています。

これもすべて、萩原が26歳の若い技術者が考案した未来の
固体撮像素子の構造体特許があっての Sony original
HAD sensor 技術と言えるものです。

先日、半導体産業人協会主催の若手社員向けの半導体講座で
「賢い電子の目, solid state image sensor 」の題目で講義を担当し、
春の講座が先日終了し、秋の講座では資料を最近版にして補充
する必要があります。

丁度、今、世の中で騒がれている pinned photo diode sensor
の発明者として注目されるもとNECの寺西さんの内容を秋の講座
資料に取り込もうと思い、寺西さんが、1983年にIEDMで発表した 
「世界で初めての残像なしの ILT型CCD imager の原理試作
とその特性の詳しい発表」の論文内容と、pinned diode sennsorの
構造とその特徴を勉強し、秋の講座の教材に使用しようと、その
内容を詳細に学習しました。

すると、びっくり、Sony originalの Sonyの商標 HAD sensor
(私の1975年の発明もの)とまったく同じ構造体で、またその特
徴(1)から特徴(5)まですべてほぼ同じことに気がつきました。

一体なにが原因でこうなったのかをこの2週間調査して、やっと
その原因が解明されました。

(1)すべとの世界の誤解は 2014年に投稿された Fossum 論文
  の萩原の過去の仕事に対する評論コメントが、事実誤認で
  バイアスされていて、SONYをも敵対する姿が見える論文でした。

  その中で、SONYのHAD technology と 萩原の 1975年
  特許ともに今の pinned photo diode ではないとの結論でした。

  彼の論評は、

  (1)1975年の萩原特許には 完全電荷転送に関する記述がない

  (2)受光部に金属コンタクトがある

  (3)従って、pinned photo diode の条件を満たしていない。

  (4) 従って、1983年に IEDM で発表した NECの寺西氏が

     pinned photo diode の発明者である。

  となっているが、彼は萩原の日本語特許を直接見ておらず、

   理解していないのが原因のようだ。



彼の論評の(1)と(2)は真っ赤な嘘である:
 


彼の論評(1)が真っ赤な嘘である証拠:

   
   萩原1975特許の実施例の図6Bに描かれている、

   完全電荷転送を示唆する empty potential well の存在を

   彼は把握していない。


   彼の論文ではこのempty potential well の存在の

   記述が全くない。この結論は都合の悪いものを隠している。

   事実誤認で、彼の論文を読む読者をだます結果となった。


彼の論評(2)が真っ赤な嘘である証拠:

   萩原1975特許の実施例の図5、金属コンタクトが描かれた

   図5はあくまで実施例である。

   萩原1975特許の特許請求範囲を制限するものではない。

   萩原1975特許の特許請求範囲には金属コンタクトの記述

   はない、金属コンタクトありなしに関わらず、このP+NPNsub

 接合 type、すなわち dynamic thyrister type の受光

   素子構造は萩原1975特許の特許請求範囲に含まれる。




結論として、以下の論理が成立する。


  (1)1975年の萩原特許には 完全電荷転送の記述がある。

  (2)1975年の萩原特許の受光素子構造体は5つの重要な
 
   今の固体撮像装置の特徴を兼ね備えている。

  (3)1975年の萩原特許の受光素子構造体は、

    今話題のpinned photo diode そのものである。

  (4) 従って萩原が 1975年にpinned photo diode を発明したことになる。

  (5) 従って、萩原が 1975年に発明したpinned photo diode を

    原理試作し、NECの寺西氏の1983年に IEDM で発表しが、

    NECの寺西氏は、 pinned photo diode の発明者ではない。
 
  (6)世界初めての pinned photo diode の原理試作は 1978年に

    新聞発表の形で、SONYの盛田と岩間が、

    学会では 萩原、阿部、岡田が、 FT image sensor の形で
  
    発表している。

  (7)1975年の萩原特許に添付に実施例の図には、萩原発明の

    受光素子構造体、すなわち、pinned photo diode を 

    ILT CCD image sensor の形で事例として明示している。

  
  (8) これとまったく同じ構造をNECの寺西氏の1983年に IEDM で
 
    発表したが、SONYでは 1975年の発明から萩原を中心に原理

    試作の努力は続けている。会社としては学会発表より、生産立ち

    上げに注力した。そのおかげで社外にKnowhowが流れることも

    なく、SONYが萩原が生んだ HAD 技術を武器に世界の image

    senser 市場をほぼ独占するまでに至った。
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   萩原良昭の出版図書の紹介
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    人工知能パートナー(AIPS)を支える  
           デジタル回路の世界
            補足資料(Appendix)
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ISBN 978-4-88359-339-2 C3055
本体 9000円+税 
B5サイズ 上製 475ページ (ハードカバー)
TEL: 042-765-6460(代)        青山社
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 人工知能搭載の「賢い電子の目」

      とそれを支える

    デジタル回路の世界

   をやさしく 紹介しています。


  将来への展望を語っています。


 若い技術者、大学の学生諸君には、

  是非、読んでもらいたいです。



   文系理系にかかわらず、

   一般社会人の方でも、

 高校数学程度の知識があれば、

じっくり時間をかけて楽しく読めます。


   会社や大学の図書館で

是非一冊買ってもらってください。

  そして、勉強してください。

   頭の体操になります。

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           New Topic  June 7, 2018
  
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今回の課題はかなり technical です。 意欲ある若者には、

半導体産業人協会主催(SSIS)の半導体講座を受講すること

をお勧めします。 その中で 「賢い電子の目」 、the intelligent

AIPS image sennsor の講義を講師として担当しています。 




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.............SONY HAD sensor is the origin of our AIPS sensor................
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Please visit the following sites to learn about Sony HAD Sensor.

https://en.wikipedia.org/wiki/HAD_CCD

https://www.ptgrey.com/exview-had-ccd-ii-sensor-technology

https://en.wikipedia.org/wiki/Hole_accumulation_diode

https://www.sony.net/SonyInfo/News/Press_Archive/200002/00-007/



"HAD" technology for CTD (charge transfer device) sensor

that includes CCD,BBD,MOS and many kinds of other applications,

was invented by Yoshiaki Hagiwara at Sony in 1975.


****************************************************
  

   Dear college students, professors and friend,

          please judge for yourself.


      

 Who is the inventor of the pinned photo diode

     which has the light sensing P+N junction

 with complete charge transfer operation mode like CCD ?

 
And also, who is the true inventor of the virtual phase CCD ?


*********************************************************

The following figures may give a hint to answer the above questions.

  Please study the figures drawn by Yoshiaki Hagiwara at SONY

         for the first time in the world in 1975.

**********************************************************



   See  The 1975 patent claim of Hagiwara Photo Diode

 

  

 The 1975 patent claim of Hagiwara Photo Diode        

         was on the (2) structure.


        Hagiwara drew the Fig.5 as an example

         which shows a combined structure

         of  the following four parts.

      (1) the pinned photo diode by a metal contact

      (2) the surface exposed, not shown but protected

         by SiO2 layer over , the pinned photo diode

         which can be pinned somewhere outside.

      (3) The buried channel CCD transfer Gate
    
          with the lightly doped N- layer

      (4) The read-out buried channel CCD
    
         to transfer the signal charge (electons)

          to the output buffer circuts.
      

 Image sensor experts can easily recognize these four parts

      and their operations of complete charge transfer

      

  (1) and (2)  for the pinned photo diode charge transfer modes,

         as claimed in Hagiwara 1975 patent claim.

   So it is concluded that Hagiwara is the inventor of

            the pinned photo pinned diode.

 
 the combination of (2) and (3) is now known and named as

        the virtual phase CCD charge transfer mode,

      which is shown in ig. 5 drawn by Hagiwara in 1975.


   So it is concluded that Hagiwara is the inventor of

            the virtual phase CCD .




  (3) and (4) are for the buried channel CCD charge transfer mode

           invented by Bell Lab in 1969,

    which was studied intensively when he was a PhD student

       under the lederships of Prof. C. A. Mead ,

       Prof. Tom McGill and Prof. James McCaldin.






Hagiwara also drew Fg.6 in his patent in 1975.


Fig.6 shows many important features of pinned photo diode.


And Hagiwara phtoto diode defined in his 1975 patent

may be identical to the pinned diode ?



Please judge by yourself.








By just looking at Fig.6, image sensor experts

may be easily led to obesrve the following facts:


(1) Empty Potential Well impolying the N region

is completely depleted, so there is no photo-electrons left.

All the electrons have been transfered complete;y

to the adjacent to the CCD

which is the most important feature

of the pinned diode

(2) pinned photo diode with the P+ region

connnected to the metal wiring.

This is just an exmample which

does not limit the scope clained in the patent

(3) P+N VOD mode as an example.

NP VOD is not shown, but by symmetricity arguments

P+N VOD leads to NP VOD.

Furthermore, one can exxpect P+NPNsub VOD modes.

(4) the dashed line to show the flat potential (surface)

of the photo electrons packet in the potential well

(5) At the full storage level , over-flowing electrons

are draining to the P+ region in this P+N VOD mode





        This empty potential well (1)  shown above

      was  drawn by Yoshiaki Hagiwara at Sony in 1975
    
              for the first time in the world.


       This fact may prove that Hagiwara is the inventor of

                the pinned photo diode

 

****************************************************

  The world did not know  the empty potential well ,

   drawn by Yoshiaki Hagiwara at Sony in 1975,

          which is the evidence

    of the complete charge transfer operation mode
        
          of  the pinned photo diode.


****************************************************
.



     Image sensor device experts may be convinced that

    Hagiwara is the true inventor of the pinned diode,.

   the the pinned P+N junction photo sensing device,

  which was revealed as the photo sensitive emitter junction

     of a PNP transistor on the N type substrate,

 that was defined clearly in the short Japanese paragraph

 in the Japanese patent claim written by Hagiwara in 1975.


   Unfortuantely the world did not know this fact

  simply because the Japanese patent filed

    by Hagiwara in 1975  was described in Japanese.



           Moreover, the world was confused

     because Hagiwara did NOT in his patent draw a figure

     of the simple PNP transistor on the N type substrate

  which is well known by bipolar process and device engineers.

 

   An expert can easily picture himself in his mind, however,

        and quickly can draw on a sheet of paper

  the structure of the PNP transitor on the N type substrate

      which also can function as a pinned photo diode.


     As a matter of fact, Hagiwara worked at SONY

         in the summers of 1971 and 1973

   as a part-time student engineer in the bipolar process lines

        in the SONY Atsugi Plant, Kanaggawa Japan,

         where the bipolar transistors and ICs were

    in full production for SONY color televisions in 1970s.

    
            In either way, it is a true fact that

      the empty potential was drawn by Hagiwara in 1975

      which is the evidence of the complete charge transfer

  in the pinned diode with the completely empty N storage region.






    In 1970s, it was widely known that CCD is important

    becuase of the built-in complete charge transfer mode

    which results in a low lag picture of high quality.


        Hagiwara did NOT describe anything

         about the low imager lag effect

       in his 1975 patent claimed structure

     but  image sensor experts can see easily that

       the empty potential well drawn by Hagiwara,

         in 1975 for the first time in the world

         implies the low image lag effect

          in high speed action pictures.


    Hagiwara gave a hint by showing the empty potential well

 that explains one usefulness aspect of the pinned diode structure,

  that is, the low image lag effect in high speed action pictures.

      As claimed and defined clearly Hagiwara 1975 patent,

     the N storage region of the dynamic PNP tansistor

          is directly conneted to CTD near by.


      CTD, that is charge tranfer device in short,

       does not have to be CCD, it can be a type

      of CMOS imagers in full production these days.




     However, Hagiwara chose CCD as an example

         in the figure in his 1975 patent

        to explain another useful aspect

     which is now called virtual charge transfer opeation.


     As seen in the figure given as an example structure,

       the floating dynamically operationable N layer

             has a smooth transition

            from the left structure of

   the vertical stack of the exposed SiO2 on the pinned P+layer

         over the N layer in the P type substrate


            to the left structure of

   the vertical stack of the exposed SiO2 on the CCD metal gate

        over the N - and N layer in the P type substrate.

  
     It is now clear that this protion of the structure was

         revealed for the first time in the world in 1975

      in a figure drawn by Hagiwara, in Sony, 1975.


     Experts can easily see that this is the structure of ,

           the virtual phase CCD charge transfer,

    that is, the combination of two complete transfer modes.

     

    One transfer mode is the pinned diode charge trasfer mode,

    and the other is the buried channel charge transfer mode.

    
      In short , by drawing the figure of two structures

  next to each other, along the line of the semiconducter surface,

      Yoshiaki Hagiwara in 1975 disclosed
   
        for the first time in the world

     the device structure of the vertual phase CCD.


   From the combinational structure revealed in the figure

         which was drawn by Hagiwara in 1978,

      image sensor device experts can be convinced that

    Hagiwara was the true inventor of the virtula phase CCD.




 
     

 
        Hagiwara 1975 patent does not care about

  how the proposed dynamic photo sensing structure operates.

 

       That is , any company can use the structure,

         whatever way they wish as long as
   
       the company pays the patent fee to SONY.

  

  Sony as the patent holder comapny has the right to claim

    the patent fee to any company using the structure.


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A story of  1975 Hagiwara Photo Diode

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Does the Hagiwara photo diode

described in his 1975 patent

differ from the pinned diode ?


Please study the difference if any.


Hagiwara thinks they are the same.


Is he wrong ?

****************************************************



The original PPD structure, while invented in 1975

by Yoshiaki Hagiwara in the

form of P+NPNsub junction photo seinsing element,

the 1978 FT CCD application by Hagiwara, and

the Teranishi's 1983 low lag ILT CCD application,



shares a strong resemblance

to the Hynecek virtualphase CCD structure,

with the exception of the VOD



The two inventions

were solving different problems

with essentially the same device structure

and operating principles.






In 1975, Hagiwara at Sony filed a patent application

on bipolar structures for CCDs

in which a pnp vertical structure was disclosed,

among several structures [24].




In 1975, Hagiwara at Sony filed a patent application

on a photo sensing vertically stacked P+NPNsub structure

with the floating N base region

as the storage for the photo electrons

from which the photo electrons are to be transfered

to a charge transfer device[24].




.



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Dear college students, professors and friends,

please read the following very interesting review paper.

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" A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"

by Eric R. Fossum and Donald B. Hondongwa , which was published in

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, VOL. 2, NO. 3, MAY 2014

****************************************************************************


There are many false descriptions in this paper,

maybe simply because of lack of information ?



But it is a very good educational paper for college students

if the false descriptions are all corrected.



I belive poeple can say anything,

but the false comments shoud be corrected.



The truth shall make you free.



Yoshiaki Hagiwara in CalTech from 1967 to 1975.




***************************************************



*******************************************************************


The following is the quoations from the paper

by Eric R. Fossum and Donald B. Hondongwa.



Corrections are requested as followed.


*******************************************************************

C. Other Contributions to the PPD Invention


The PPD structure, while invented for low lag ILT CCD application,

shares a strong resemblance to the Hynecek virtualphase CCD structure,

with the exception of the VOD.


*******************************************************************

(1) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

*******************************************************************


The original PPD structure, while invented in 1975 by Yoshiaki Hagiwara in the

form of P+NPNsub junction photo seinsing element, the 1978 FT CCD application

by Hagiwara, and the Teranishi's 1983 low lag ILT CCD application,



shares a strong resemblance to the Hynecek virtualphase CCD structure,

with the exception of the VOD



The two inventions

were solving different problems with essentially the same device structure

and operating principles.



*******************************************************************








*******************************************************************


In 1975, Hagiwara at Sony filed a patent application

on bipolar structures for CCDs

in which a pnp vertical structure was disclosed, among several structures [24].


*******************************************************************

(2) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

*******************************************************************

In 1975, Hagiwara at Sony filed a patent application

on a photo sensing vertically stacked P+NPNsub structure

with the floating N base region as the storage for the photo electrons

from which the photo electrons are to be transfered to a charge transfer device[24].



*******************************************************************










*******************************************************************


The top p layer was connected by metal to a bias used

to control full-well capacity


*******************************************************************

(3) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

*******************************************************************

An example case is depicted in a figure in which

the top P+ layer was connected by metal to a bias used

to control not only full-well capacity but gamma corection

and high beam action picture-acquisition for highly intelligent

AIPS camera Hagiwara had been dreaming of.


Therefore from the figure, the P+ layer can be set, or pinned

to any external voltage value. Hagiwara had already in his mind

the concept of the pinned diode now universally ell known.


It should be noted that the patent claim does not say

any comments on the metal connection.

Therefore the p layer can be connected to anything anywhere.


In 1978, another example of a P+NPsub photo sensing structure

with the P+ layer connected to the Psub substrate

was demonstrated in one-chip FT CCD imager for 8 mm video camera



*******************************************************************











*******************************************************************



In an unusual paper,



*******************************************************************

(4) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

*******************************************************************

In a review paper,

*******************************************************************












*******************************************************************


Hagiwara, in 1996, revisited the 1975 invention and claimed

it was essentially the invention of both the virtual phase CCD

and the NEC low-lag structures, as well as the basis

of the Sony so-called “Hole Accumulation Diode,” or

HAD structure [25].



*******************************************************************

(5) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

*******************************************************************


Hagiwara, in 1996, revisited the 1975 invention and claimed

it was exaclty the same semiconductor photo sensing structure

vertical stacked picture element of both the virtual phase CCD

and the NEC low-lag structures, as well as the basis

of the Sony so-called “Hole Accumulation Diode,” or

HAD structure [25].

*******************************************************************







*******************************************************************




However, the 1975 application

did not address complete charge transfer, lag or anti-blooming

properties found in the NEC low-lag device, and does not seem

to contain the built-in potential step and charge transfer device

aspects of the virtual-phase CCD.





*******************************************************************

(6) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

******************************************************************

Hagiwara's 1975 patent claim was intended only to claim rights

on the device structure. His patent does not restrict any applications

with any operational modes on his application. Howevee, for the

first time in the world he drew the electrically empty potential

well of the floating N base storage region for majrity charge

photo electrons in one of the patent figures.


This is the evidence that Hagiwara did address the complete

charge transfer by drawing in the N base photo electrons storage

an empty potential well which results no lag action picture.







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Hagiwara repeats these claims

in a 2001 paper [26] and shows a VOD structure that is not

found in the 1975 patent application.




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(7) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

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Hagiwara repeats these claims

in a 2001 paper [26] and shows a VOD structure

of the P+NPNsub vertically stacked one

which is not shown in the figures in the patent

becuse of its simplicity, but definedexactly

in the patent claim in Japanese.




Sony did not seem

to pursue the HAD structure until well after the

NEC paper was published.


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(8) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

*******************************************************************

Sony did pursue the HAD structure,


first in the 1978 demosntration of FT CCD imagers

with the SiO2 exposed P+NPsub photo senising elemnt

with the P+ and Psub connected without VOD.



then in the production model of ILT CCD iamgers

with conventioanl lateral

with the SiO2 exposed P+NPsub photo senising elemnt

with the P+ and Psub connected without VOD.

This product is called HAD sensor camera !



hen in the production model of ILT CCD iamgers

with the SiO2 exposed P+NPsub photo senising elemnt

with the P+ and Psub connected without VOD.

This product is called super HAD sensor camera !


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*******************************************************************



until well after the

NEC paper was published.




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(9) This comment is WRONG. Correctioms are requested as followed

******************************************************************


It is easy to publish a proto type in the technical

company, but HARD to produce as the product !



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]









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However, the “narrow-gate” CCD

with an open p-type surface region for improved QE also

disclosed in the 1975 application was reported in more detail

by Hagiwara et al. at Sony in 1978 [27].




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(10) This comment is too short. Correctioms are requested as followed

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However, the “narrow-gate” CCD

with an open p-type surface region for improved QE also

disclosed in the 1975 application was reported in more detail

by Hagiwara et al. at Sony in 1978 [27].



It is not open P type surface, it it pinned to the substrate volatage

like the one in ILT aplication.

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A similar structure was used extensively by Philips [28].

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(11) This comment is too short.. Correctioms are requested as followed

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A similar structure was used extensively by Philips [28]


in 1983, five years after .....


28] G. Beck et al.,

  “High density frame transfer image sensor,”

   Japanese J. Appl. Phys., vol. 22 supplement 22?1,

   pp. 109?112, 1983.



The PPD, as it is most commonly used today, bears

the strongest resemblance to the Teranishi et al. ILT CCD device.



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Thus, these days Teranishi is considered as the primary

inventor of the modern PPD [29].


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(12) This is a wrong conclusion. Correctioms are requested as followed

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Since the 1975 Hagiwara photo diode is idenical to the modern PPD,


Thus, these days Hagiwara is considered as the primary

inventor of the modern PPD[29]..

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      萩原良昭の出版図書の紹介
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   人工知能パートナー(AIPS)を支える   

 デジタル回路の世界

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ISBN 978-4-88359-339-2 C3055

本体 9000円+税 

B5サイズ 上製 475ページ (ハードカバー)

 TEL: 042-765-6460(代)        青山社


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      この 賢い AIPS image sensor は、 

  萩原が ソニー時代にその技術開拓に挑戦した

 ソニーのHADセンサー と Play Station Processor

        の 融合技術から生まれます。


       その展望と夢(vision)について、 

      2008年7月にソニーを定年退社後、

    ヨーロッパの国際集積回路技術の学会で

      招待講演を受けて説明しています。


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まずは、SONY の HAD sensor のご紹介です。

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.............SONY HAD sensor is the origin of our AIPS sensor................
*********************************************************


Please visit the following sites to learn about Sony HAD Sensor.


https://en.wikipedia.org/wiki/HAD_CCD

https://www.ptgrey.com/exview-had-ccd-ii-sensor-technology

https://en.wikipedia.org/wiki/Hole_accumulation_diode

https://www.sony.net/SonyInfo/News/Press_Archive/200002/00-007/



"HAD" technology for CTD (charge transfer device) sensor

that includes CCD,BBD,MOS and many kinds of other applications,

was invented by Yoshiaki Hagiwara at Sony in 1975     


*********************************************************



            実は、ここには、

        SONY の HAD sensor に深く関係し、

         萩原良昭が 1975年に 出願した

          半導体受光素子の構造特許

             の存在があります。    




       1975年萩原良昭申請のHADsensor基本特許 

              に深く関係するお話です。


******************************

          SONYは HAD sensor を

         自社ブランドとして 世界に紹介し、

         超高感度、低雑音、残像なしで、

      かつ 高速 action pictureも誠実に撮りこむ 

       超高性能のHAD sensor 搭載カメラ

           を世界中に提供しています。 

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.............SONY HAD sensor is the origin of our AIPS sensor................
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Please visit the following sites to learn about Sony HAD Sensor.


https://en.wikipedia.org/wiki/HAD_CCD

https://www.ptgrey.com/exview-had-ccd-ii-sensor-technology

https://en.wikipedia.org/wiki/Hole_accumulation_diode

https://www.sony.net/SonyInfo/News/Press_Archive/200002/00-007/



"HAD" technology for CTD (charge transfer device) sensor

that includes CCD,BBD,MOS and many kinds of other applications,

was invented by Yoshiaki Hagiwara at Sony in 1975
     


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       SONYの HAD sensor 誕生にまつわる

    米国 Fairchild 社と SONY との特許紛争のお話 

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この紙面にも記載されていますが、米国 Fairchild 社は自社が保有

する2つの基本特許でSonyを訴えていました。Sonyはそれに対抗し

て、Sony 社員保有の 「神戸 CCD process 基本特許」と 「萩原

image sensor 基本構造特許」で対抗しました。その請求額は当時で

600億円~800億との話でした。 負けていたら、SONYの年間売り

上げが1兆円近くなる今ですから、その1%としても、毎年膨大な額の

特許料の支払いとなるところでした。



ILT CCD imager の技術開発では NECは SONYを抜き、学会

発表にも積極的に発表し、外国の技術者と情報シェアに努力してい

ました。当時、 DRAMで一人勝ちしていた日本の代表企業として、

NECは、勝ち負けの苦い感情を残す半導体戦争の経験を2度とす

ることのない道を探っていました。


一方、SONYは、ILT方式のCCDの量産立ち上げに、開発部隊総力

をあげて全力努力集中していました。暗黙を続けていました。。。


Sonyは早くから  Type(1)は生産候補からはずしました。


Type(1)構造は、 従来構造のCCDのMOS容量型受光素子構造です。

低残像で、低雑音の映像を提供してくれますが、上部に金属端子があり

光感度が悪い構造となっています。





Sony は、1975年に萩原が考案した受光素子構造をまずは FT CCD image

sensor に採用しました。SONYはまず、 (2) と (3) の構造はchip全面に

ボロンイオンを打ち込み、その濃度と注入エネルギーを調整しならが条件

出しをしながら、感度と雑音で最適値を求めました。


受光部に P+NPsub 構造(3)を採用した FT 型 imager では、 P+ 層を

基板(Psub)と導通形としました。 萩原が1975年に申請した構造特許

では、その実施例では 上部のP+に金属コンタクトがあり、このP+領域が

受光素子の外部電圧に固定(pinning)されていることを提案する図ですが、

SONYで 1978年試作の FT 型 imager では、このP+を基板Pと導通

させることにより、P+層を基板(P)電圧に固定(pinning)した構造になってい

ます。1975年に萩原により考案されたこの構造は、まずプロセスが単純な

FT 型 CCD  imager で 条件出しを実行し、 最適条件を見つけ出して

続いて、ILT型 CCD imager の受光部にも適用され開発を進めました。



最終的には、まず構造(3)の受光構造で、横型OFD機能を採用して

HAD sensor 採用の ILT型 CCD imageの生産を開始し、まず、

生産・販売・信頼性評価に注力し世界発のパスポートサイズのビデオ

カメラを商品化することに成功しました。








構造(3)で充分生産実績を進めて、KNOWHOWを積み、慎重に構造(4)の

生産に入りました。


その効果が出て、早期に、1975年の萩原構造特許で提案する構造(4)の受光

構造で、かつ、縦型OFD機能を採用して HAD sensor 採用の ILT型 CCD 

image搭載のカメラを商品化することに成功しました。





萩原の1975年特許において、特許請求範囲本文では、その提案構造を 

bipolar tranistor 構造と呼んでいます。 ここで bipolar transitorには

通常の電流増幅に static 動作をするのは周知です。しかし、この特許の

非常に短く簡潔な請求文を読んで、「これは bipolar transitor じゃない、

萩原は半導体物理とデバイス物理を理解していないでは?」と先輩に意見

されたことがあります。その時、bipolar transitor でも 電流 ON modeも

あれば、 電流 OFF mode もあり、 static mode もあり、 DRAMの

dynamic mode の様な、すなわち、 source 領域を floating 動作させる

dynamic mode があります。


 





この萩原特許で提案する P+NPNsub 構造特許の実施例を示す図5の 

中には、萩原が わざと base 領域と呼ぶ領域があります。すなわち、 

図の中のN層のことになります。このN層は DRAMの読み書きする

NMOS プロセスの NMOS transistor で、souece 領域(N+) と基板(P)

の間にできる N+Ps接合容量において 通常 N+ を floating 状態に

して dynamic mode で 動作させます。 従来の MOS  imager も、

同様で、受光構造として N+P 接合容量を使ってN+ に信号電荷を

蓄積します。 埋め込み channel CCD では、埋め込み channel を

floating 状態にして、 daynamic mode で、 charge transfer 動作を

させます。 そういう周知情報の延長思考で容易に萩原提案の受光

構造、P+NPNsub  junction capacitance type の 光電子(HAD電子)

の蓄積領域であるN層は floating であると連想できます。実際、

萩原特許の図6Bには、この dynaimic 動作を明示する為 N層には、

完全に空乏化した時の  empty potenrtial well を示す電位曲線が

描かれています。 これが この構造が、今の学会用語では、pinned

diode sensor であることの必要条件である Low Lag 効果を実現する

半導体素子となっています。






















NECが試作発表した センサー部にP+NPNsub構造でNPNsub接合

の、つまり bult-in NPNsub transistor の punch-thru mode で、

すなわち、 この寄生 NPNsub transistor の base N 領域の電荷

を、完全空乏化転送 mode で、すなわち、結果的にbase N 領域

が完全に空乏化し、majority carrier の光信号電子がすべて取り除

かれ、その結果、base N 領域には 電子の電位曲線が、埋め込み

チャネルのCCDのN層が完全空乏化する時に生じる曲線と同じ様

な形状、すなわち  empty potential well の曲線形状ととなることを

特徴としていました。



 

 


これは日本とアメリカの貿易摩擦という大きな問題、今でもかかえて

いますが、その貿易摩擦問題のいう大きな戦争(war)の中の1つの

戦場(batle)でのほんの一瞬の出来事(incident) のお話です。半導体

戦争がまだ激しかった時代の話です。今は HAD sensor のブランド

名でSONYが一人勝ちしています。世界のビデオ市場の半分近くを

占める時代になりました。










 1975年に萩原良昭は 半導体受光素子の構造特許を申請しました。

 
    これは 半導体受光素子 ( image sensor element )

         の製造技術・KnowHow にも かかわる 

     基本構造特許(特許料請求権利が生じる部分)です。


  特許内の具体的な実施例には特許権は主張していませんが、

     この基本構造の有効性を証明するために

          いろいろ新規な応用例や、

    この構造の新規な動作 modeなどの説明図が

     具体的な実施例として提示されています。


 この半導体受光素子の製造を助けるヒントとなる情報が含まれます。

  それらは、公開情報となり、各社自由に使用することが可能です。



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    1975年萩原良昭申請のHADsensor基本特許について 

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  1975年に萩原良昭は 半導体受光素子の構造特許を申請しました。
 





上の図の1975年に特許出願した萩原考案の構造
  

と、下の図に示す、 

寺西さんが1983年にIEDMで発表した受光構造 


は同じものではないでしょうか????


Dear college students, professors and friends,

please judge for yourself. The truth shall make you free.


Yoshiaki Hagiwara





この上の図は 寺西さんが発明したことになっていますが、

彼はその構造特許を出しているのでしょうか?

この受光構造は   pinned diode sensor と世間では

呼ばれていますが、1975年の萩原考案の構造特許と

同じではないでしょうか????






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誰が本当の pinned photo diode ( HAD sensor ) の発明者でしょうか?
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 (1)  Sony全体の開発部隊が総力をかけて本命である
   
     Interline Transfer 方式 CCD one chip image sensor

     の試作開発に専念する中、なかなかプロセスが複雑で、
    
    きずが多く、完成 chip ができない状況が続いていました。

        その頃、同時に Sonyのセット部門は、

  次の 8mm ビデオの商品化プロジェクトが進んでいました。

        CCDの試作品の完成がずるずると遅れる中、

      
       ILT CCDの設計・評価も萩原が担当でしたが、

      自発的に FT CCDの設計・試作・評価作業に挑戦し、

       FT CCDは比較的工程数の少ないプロセスで

    試作が可能なこともあり、早期に完成 chipができました。

       
        1978年には、HAD 受光素子を採用した 

     FT CCD one chip  image sensor の試作に成功し 

    VTRカメラ一体化8mmビデオをSONYは発表しました。


.



1978年の FT CCDでの HAD sensor の原理試作の成功から、

1980年に入り IT CCDでの HAD sensor の原理試作に成功

していましたが、Overflow 構造は絵素部の横につく方式でした。


なかなか、1975年の日本国特許の請求文通りに書かれた

HAD sensor搭載の Interline  Line 方式 image sensor

の試作は難しかったと記憶します。


この一番下の 基板の Sub は 実施図にはありませんが、

特許請求文には P+NPNsub junction 構造を受光素子と

する固体撮像装置としています。この縦型VODがSONY

は遅れて試作・生産に成功し、HAD sennsor で1990年

になると市場を独占する勢いで事業化が進みました。


このHAD sensor の技術は学会発表よりも、開発・生産

と信頼性技術の構築を優先したことが幸いして高品質

高信頼性でかつこの図に見られる構造とその派生構造

改良構想で現在でも HAD sensor の brand で

世にいいものを送り出しています。







(1)実施例の図5には、 半導体基体(Nsub)は描かれていませんが、

この図はあくまで実施例の1つの特許の請求範囲を制限するものでは

ありません。 特許請求文には明確に 基体(Nsub), 第1領域(P)、

第2領域(N)、それに emitter 接合 (P+N接合)をつけるとあり

ます。図5図から、光信号電荷を蓄積する領域を第2領域としています。

また、N層の完全空乏化転送を示す Empty Potential Well の曲線図も

この特許の図6Bに挿入しています。この機能がこの HAD sensor

にはあることになります。 






図6の事例ではNsub の存在はありまんが、請求文では

はっきりと基体(Nsun)と明記してNsubの存在が特許

請求文に記載しています。


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SONY厚木工場の半導体部門に1971年の夏と

1973年の夏に自習生として訪問、品質評価室

の宇野主任が指導官となり当時のSONY半導体

特に、 Bipolar Transistor のプロセス flow を

学びました。 その時に学んだことを土台として

特許が PNP transistor の dynamic 動作、

すなわち、 base 領域の完全空乏化による、

CCD like の、隣接する CTDへの転送を

特徴とする固体撮像装置となっています。

CTDは MOSでも CCDでいいことは周知

としています。また PNPNsub 構造は本来

thyrister 構造となり、構造が複雑になること

に比例して期待されるそのoperation mode

も多様化することは簡単に理解できます。

構造だけ明確に特許請求文で定義すれば、

その構造に関係する動作 mode のほんどは

どんなに複雑なものでも新規なものでないの

なら 大学生が学ぶ教科書に掲載されています。

実際、 thyrister の動作原理は多様で受光時は

dynamic junction capacitor の sandwich と

機能し、過剰電荷の放流(drain)の場合は

P+N接合, NP接合、NPNsub のpunch thru

などの VOD 機能も 構造特許を取得して

いれば、他社から 動作特許を請求されても

高い特許料を支払わなくても逃げ切れること

になります。そういう意味で、Sony の HAD

sensor 技術が この Hagiwara1975特許

に基づくものなら HAD構造でSONYは

他社に特許料を支払うことはないはずです。

 

*******************************************************

 最後に 1975年に出願した特許請求文 を

     ここにそのまま掲示します。
    
*******************************************************

1975年11月10日特許申請

発明の名称  固体撮像装置     

発明者 萩原良昭



******************************************************

特許請求の範囲


(1)半導体基体(Nsub)に、

(2)第 1 誘電型(P)の第半導体領域(Pregion)と、

(3)之の上に形成された第2の誘電型(N)の

  第2半導体領域(Nregion)が形成されて 

(4)光感知部(Nregion)と 

  之よりの電荷を転送する電荷転送部(CTD)とが

  上記半導体基体の主面に沿う如く配置されて成る

  固体撮像装置に於いて、

(5)上記光感知部の上記第2半導体領域(Negion)に

  整流性接合(junction)が形成され、

  該接合をエミッタ―接合(emiiter junction)とし、

  上記第 1 及び第2半導体領域の接合を

  コレクタ接合(collector junction)とする

  トランジスタ(transistor)を形成し、

(6)該トランジスタ―のベース(base)となる

  上記第2半導体領域(N)に光学像に応じた

  電荷(HAD electron)を蓄積し、

  ここに蓄積された電荷を 

(7)上記転送部(CTD)に移行させて、

  その転送(charge transfer action)を行うようにしたことを

  特徴とする固体撮像装置 ( solid state image sensor )。

としています。

******************************************************




******************************************************


現在、Sony の HAD sensor と 一般に pinned diode sensor とは

次のような構造上の共通点があります。それが同一のものである

ことを判定するには詳細に両者の構造に精通する必要があります。


  (1) 構造が HAD sensor は P+NPNsub 構造としている。

       P+NP構造の受光部を採用して IT CCDの CTDを

       具体的に使った実施例を提示している。

      pinned  photo diode は P+NPsub 構造をしている。

      P+ の電圧は固定化 ( pinned ) 状態であること。

      pinned photo diode では、P+領域は P type substrateと

      導通しているが、HADsensor では、P+NPNsubのP+端子は

       自由な外部電圧で固定化(pinned) してもよいことを

       実施図で提示しているが、これは特許請求範囲を

       狭め、制限するものではない。特許請求範囲には

       金属コンタクトの言及はなくい。


       また、P+NP の受光構造を SONYは 1978年に

       frame transfer 方式 CCDの 受光部の構造に

       採用し、この P+NP構造を受光構造として、

       P+と基板Pとを導通させている、

            

  (2) HAD sensor も pinned photo diode もともに、 

      CCD 転送の様に image lag free を可能とする

      「完全空乏化転送」が可能となる構造をしている。

      萩原のHAD特許1975には図6Bに中に

       電荷蓄積領域N層内の完全空乏化状態を意味する

         empty potential well の曲線図がある。

    この図6Bが その evidence となり、HAD sensorは

     image lag free を提供する受光構造であることが確認できる。



  (3)  信号電荷の蓄積部のN領域が 

      外部金属コンタクトがない floating 領域であること。



  (4) 信号電荷のN層の濃度が完全空乏化可能な濃度であること。

 
     HAD sensor では、特許の実施例から見てとれる様に、

      光電子を蓄積するN層の濃度は埋め込みチャネルCCDの

      埋め込み層の濃度と同等の濃度としている。


    蓄積部のN層と、埋め込みチャンネルCCDの埋め込みN層は、

      同一層で、同一濃度としている。

      埋め込みチャンネルCCDの埋め込みNと同様に

      低い濃度のN層を蓄積部とするとしている。

      完全空乏化可能となる低い濃度にすると言う意味になる。


   (5) 以上のことから、 上記転送部(CTD)に移行させて、

  その完全転送( complete charge transfer action)をを

   行うようにしたことを特徴とする固体撮像装置 
   
   ( solid state image sensor ) となる。


******************************

    以上の考察から 1975年に萩原が発明した image sensor の

     構造とすの重要動作 mode は、 pinned photo diodeを

       定義する 動作 mode と 構造特徴を満たすことになる。


    従って、1975年に萩原が発明した image sensorは、

         pinned photo sensor そのものであると結論する。

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結論として、 現在 世界的に話題になっている

       pinned photo diode と言われる半導体受光素子は

   1975年にSONYの萩原が発明しSONYが申請した日本特許で

        記述定義される半導体受光素子と、

       構造面でも、その重要動作の特徴 modeにおいても

      同一の半導体受光素子であると判断できる。

*********************************************************

     従って、もとSONYの萩原良昭が 

           pinned photo diode の本当の発明者であり、

         SONYはその pinned photo diode
  
       は 1978年に frame transfer 方式の

       CCD方式ですでに原理証明し、SONYでは、

      萩原特許を武器に、HAD sensor ブランド名で

        慎重にその製品の完成度と品質を保証するたまに

       NECに試作発表では先を越されたが NEC以上に

         IT 方式CCDでも 全日空ジャンボでの搭載など

        世界で初めての商品化に成功している。

        まだ、その受光部には 萩原考案のHAD sensorあ

      構造は採用されていないが、当時、すべて同時に学会

       活動しているが、 fram transfer 方式 CCD  imager も

       interline 方式 CCD imager 両方を 萩原が主体となり

        設計開発したもので、その先には 1975年ni

        萩原が構想し SONY original 特許の 萩原考案の

      受光構造を interline 方式 CCDに採用するのは

         時間の問題であった。

  
    現在世の中で話題になっている pinned photo sensor は


    萩原は観察します。

       

        その特許の中にある empty potential well の曲線を

      見たことのない技術者の誤解によるものであると信じます。


       
          






 


      以下の内容は、上記の日本語記述の内容をもとに

        より詳しく英文で記述したものです。

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Please visit the following sites to learn about Sony HAD Sensor.

https://en.wikipedia.org/wiki/HAD_CCD

https://www.ptgrey.com/exview-had-ccd-ii-sensor-technology

https://en.wikipedia.org/wiki/Hole_accumulation_diode


https://www.sony.net/SonyInfo/News/Press_Archive/200002/00-007/



"HAD" technology for CTD (charge transfer device) sensor

that includes CCD,BBD,MOS and many kinds of other applications,

was invented by Yoshiaki Hagiwara at Sony in 1975.




Sony revealed a one-chip frame transfer CCD imager

with "HAD" technology in 1978 for the first time in the world.





Hagiwara's "HAD" technology , applied from original CCD

and back-illuminated CMOS image sensors, suppresses

fixed pattern noise that results from unwanted dark current

that occurs regardless of the amount of absorbed light.


By fabricating a hole-accumulation layer below the surface

of the image sensor, dark current can be suppressed at source.


By combining these two technologies, fixed pattern noise

can be substantially suppressed to improve signal-to-noise level

by 25 times and more.



In addition to improving image quality, image lag has also been

suppressed by optimizing pixel construction.



By adopting L-shaped gate for "HAD", electrons in the pixel

can be effectively transferred for lag-free image.


All of these achievements could not be possible without

Hagiwara's invention and his personal engineering efforts at Sony.


"HAD"means "Hole Accumulation Diode" officially,

but it also means "Hagiwara diode ",

honoring his invention in 1975.



"HAD" technology, invented in 1975 and developed

by Hagiwara at Sony is Sony's original creation.


Yoshiaki Hagiwara is the inventor of Sony HAD sensor.



Sony never paid any patent fees

to any other competing companies

for this "HAD" technology.


Confusingly, since HAD is a trade make of Sony,

the HAD technology has another name, that is,

the PPD ( pinned photo diode ) technoloy.



The name PPD is now more widely used,

specially in the technical world.



Confusingly, it is not well understood that

HAD and PPD are the same structure

originally invented by Hagiwara in 1975.


Yoshiaki Hagiwara is the inventor of pinned photo diode sensor.



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      萩原良昭の出版図書の紹介
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   人工知能パートナー(AIPS)を支える   

 デジタル回路の世界

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ISBN 978-4-88359-339-2 C3055

本体 9000円+税 

B5サイズ 上製 475ページ (ハードカバー)

 TEL: 042-765-6460(代)        青山社


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What is HAD/PPD? How does it work ?

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Sony HAD ( Hole Accumulation Diode ) sensor

is based on the dynamically operated P+NPNsub junction

photo sensing structure invented by Yoshiaki Hagiwara

and revealed in his patent in November 10, 1975









SONY HAD Sensor and
pinned photo diode are
the same thing.

Hagiwara invented in 1975
the pinned photo diode
widely used now.

Sony
P+NPNsub
(HAD) sensor
was also named later as
the pinned photo diode (PPD)  
because the accumulated
majority carrier holes in the P+ layer 
pins  the
P+  layer  voltage
at a fixed value by
some external voltage,
such as the substrate voltage
or any voltage from external metal wiring
by the metal contact on the P+ layer..





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Dear college students, professors and friends,

please read the following very interesting review paper.

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" A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"

by Eric R. Fossum and Donald B. Hondongwa , which was published in

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, VOL. 2, NO. 3, MAY 2014

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There are many false descriptions in this paper,

maybe simply because of lack of information ?



But it is a very good educational paper for college students

if the false descriptions are all corrected.



I belive poeple can say anything,

but the false comments shoud be corrected.



The truth shall make you free.



Yoshiaki Hagiwara in CalTech from 1967 to 1975.




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" A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"

by Eric R. Fossum and Donald B. Hondongwa , which was published in

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, VOL. 2, NO. 3, MAY 2014

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This paper does not describe about
the potentile well

which was revealed by Yoshiaki Haiwara in Sony at age 26

in his Japansese patent in 1975.


Hagiwara drew an
Empty Potential Well

in his patent in November 10, 1975 ,

which may be the evidence to prove the fact that


Hagiwara is the inventer of the pinned diode.




Dear college students, professors and friends,

please judge for yourself.



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Hagiwara at Sony in 1975 conceived the idea

of a photo sensitive dynamic device structure,

filed a Japanese patent in November 10, 1975 ,

explained in Japanese in the official patent claim paragraphs

and disclosed the PNP transistor structure on N substrate,

with the floating photo sensitive base N region ,

serving also as the the photo electons storage area,

with the empty potential well

waiting for the majority carrrier photo electrons,

with the built-in complete charge transfer operation mode

which results the final completely depleted empty potential well

in the N photo sensive floating base N region

of the dynamically operated PNP transistor on N substrate,

which is the origin of the pinned photo diode sensor.



Yoshiaki Hagiwara revealed ,

in his 1975 Japanese patent ,

this photo sensitive dynamic PNP transistor structure

with the floating photo sensitive N base region.


The structure for this unique operation mode

is now called as

the pinned diode as shown below.




.


Please compare the above picture with the figures below.





The Fig.5 and Fig.6 shown above

are included in Hagiwara's 1975 patent.


*************************************************************

The evidence of the fact is explained as below:


(1) In Fig.5 shown above is just one example of

the dynamic P+NPNsub structure described in Japanese

in Hagiwara 1975 Japanese patent claim,


Fig.5 shows a photo sensetive dynamic PNP transistor structure

with the floating N type base region

which serves as the majority carrier photo electrons storage area.


This observation alone may lead to the conclusion that

Yoshiaki Hagiwara in Sony at age 26 in 1975,

convieved for the first time in the world,

the photo sensetive dynamic PNP transistor structure

with the floating N type base region,

which is exactly the same structure

of the pinned photo diode,

now widely used in image sensors.



Dear college students , professors and friends,

please jude for yourself.



(2) Fig.5 also shows the CCD structure

with the lightly doped region

under the charge transfer gate.



This portion of the N-/N region

is intended to give a potential diectionality

for the photo electrons

to move in the right direction under the transfer gate.


The structure is made so that

the photo electrons can be transferred smoothly

to the left buried channel N layor storage area

under the same buried channel CCD gate.



Dear college students, professors and friends

please jude for yourself.



(3) Furthermore, Fig. 6B in his patent shows


an empty potential well,



which implies the potential well ,

being completely depleted

of the majory carrier photo electrons

in the floating N storage area in dynamic operation.



This may be considered as the evidence of


the complete-depletion-mode charge transfer operation

of the SiO2 exposed and dynamically operated base N region

of a photo-sensing P+NP transistor in the curent-cut off mode

with the floating N layer storage

for the majority carrier electrons.





CCD is important because of

its dynamic operation mode of

the empty potential well

which is the evidence of

the complete charge transfer of

CCD capacitor structure.






The pinned diode (P+NP structure) is important because of

its dynamic operation mode of

the empty potential well


which is the evidence of

the complete charge transfer of

the floating transistor base N of

the emiiter junction capacitor structure.


The P+NP structure on the N substrate with base N floating

was originally invented by Yoshiaki Hagiwa of Sony in 1975



So it may be concluded that

Yoshiaki Hagiwara is the inventor of the pinned diode.


Dear college students , professors and friends,

please judge for yourself.

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The first Pinned PD , in the form of P+NP sensor element

on Nsub strruncture with the floating N layer for complete

charge transfer , was invented and filed in a Japanese patent

by Hagiwara at Sony in 1975, and was used in his FT CCD

imager in 1978 with P+NPsub sensor element, in which

both P+ and P are connected.


Later Teranish in NEC disclosed his ILT CCD PD's .


Soon after, Sony introduced on the market,

the HAD sensor video camera

with the P+NPNsub image sensing structure.


HAD is Hole Acumulation Diode in brief,

which was first revealed in the form of

the emitter junction (diode) of

a photo sensitive dynamic PNP transistor structure

invented by Haiwara in the 1975 patent.



Sony now enjoying the big sensor business with the back

illuminated CMOS imager with the HAD sensing element

which was Hagiwara's invention.



Confusingly enough, HAD sensor and the pinned PD,

Teranish's ITL CCD PD's, and

Haiwara's P+NP transistor structure on the Nsub

are all the same thing.


The VOD punch thru mode operation

of the P+NPNsub structure

was well understood in 1975 in public.


However , the well known P+NPNsub structurre,

this time with the floating base N region

in the complete depletion mode built-in,

resulting in the complete charge transfer of

the majority carrier photo electrons

from the floating base N region

was revealed by Hagiwara, in his 1975 patent.



The pinned diode and the HAD sensor are

the same thing which is a P+NPNsub structure

with the floating N base region.




So who is the true inventor of the pinned diode ?




Dear college students , professors and friends,

please judge for yourself.




And what is the truth ?



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I belive poeple can say anything,

but the false comments shoud be corrected.



The truth shall make you free.


Yoshiaki Hagiwara from 1967 to 1975 in CalTech
.

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*




















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Hagiwara of Sony invented the pinned diode sensor in 1975
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テレビがアナログからデジタルハイビジョンテレビになり、

高画質で高精彩な画像を家庭に提供しています。

さらに、家庭のデジタルテレビはますます賢くなります。



家庭用の小型ゲーム機感覚で、たとえば、

任天堂のDSやSONYのPlayStationの感覚で、

家庭ごとに、人工知能搭載のコンピュータが、

もうすぐ、近い将来、登場することでしょう。


それを萩原は AIPS BOX と呼びました。










萩原は、2008年にSONYを60歳で退社したのと同時に、

         神奈川県に、 NPO法人 

    「特定非営利活動法人AIPSコンソーシアム」

を設立しました。 その活動目標は、家庭で使う、人工知能搭載の、

高速並列処理コンピュータと、それに従って、 real timeで、

敏速に動く、ロボットの実現のための技術開発に貢献することです。



老人を集め、ほそぼそと活動して来ましたが、

もう活動仲間が、私を含め70歳~80歳となり、

いつポックリ行くかもしれませんので、

「葬式」だけは生きている間に、

後始末で若者にも迷惑にならない為にもと考え、

10周記念を最後に、このNPO法人を

閉鎖することにしました。

しかし、みんな元気なうちは続けようと、

個人グループ同好会の形で、楽しく活動を続けています。



この人工知能搭載の家庭用 AIPS BOXと、それで動く

ロボットの目(電子の目)には、 固体撮像素子、すなわち、

Image Sensor なる半導体部品が不可欠です。人間の

目よりも感度がいい、「賢い電子の目」です。



それを実現すべく、萩原はSONYに1975年2月に米国の

大学、 CalTechを 卒業して、入社しました。 

入社後、数か月で出願した特許があります。


         図1 (萩原特許1975の実施図)





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まず、当時は特許はあまり今ほど注目されるものでは

ありいませんでした。この2つの図は1975年の時代では

特許請求した内容以外にも、新規的なほかのデバイス構造

要素が見てとれます。今なら各社確実に特許にする内容です。

(1) センサー部のTOPのP層に金属コンタクトがある。

   実際はこれは実施例の1つで、特許の請求文には含まれません。
    
  金属コンタクトの構造の内容はまったく請求文には触れておらず、

    
    したがって、金属コンタクトはなくてもいいことになります。


     ただこのP領域が floating になってはこまります。

 この特許は その下の N層が floating 動作されることを意図しています。
   

 当初、センサーに金属コンタクトがあり、この構造で
 センサーを造るのは難しいのではと思い、素子分離
 のP+の拡散とつないでプロセスを簡素化して
  Interline 方式ではなく、FT方式で、SONYでは
   最初に試作し、新聞発表しました。


別にPNP構造で PNP transistor にたとえて、
emitter 側のPを、collector側のPにつないでも
十分、 受光素子として使えることを確認しましした。


当然、この構造なら Interline 方式でも試作可能です。

この萩原特許を知っている技術者なら、すぐこの構造を
Inerline 方式でも使えること確信できます。

このHADセンサー搭載の IT方式のCCD imager も、、
このFT型のCCD imagerの受光部分と同じ、PNP構造で 、
HADセンサーの名前は後でつけたものです。

IT方式のCCD imager でも、HADセンサーの、
PNP transistor の emitter 側に対応する P層を、
collector側のP層に直接つないでいます。

t


 





しかし、最終裏面構造のHADセンサーにしますと、裏面から光を

受けるので、この金属コンタクトを、 製造に採用されるかは別ですが、

つけることは可能です。でも 1978年発表の FT CCD の時と同様に

やはり金属コンタクトは取ったほうがいいか。。。


1975年の萩原特許では金属特許をつけることは特許請求範囲では

まったく言及していませんでした。




特許請求範囲と特許の本文はわかりにく日本語になっているので、

実施図を見るだけで、本文の正確な文章を読まず、

「萩原さんの特許の実施例ではセンサー部に金属コンタクトがある。

 こんなもの造れるかよ。やはり、まだ入社そこそこの新米技術者で

 実践経験が少ないので無理ないけどね。」と同僚や先輩に

言われたことが何度もありました(涙)。


本当は P+NPNsub  サイリスタ―構造を 有効に活用して、

Nsub に流す方法もあるのは知っていたけど、これも Bipolar

技術で punch thru の怖さを 実感していたので正直あまり

関心を持てませんでした。




CCDが本格量産に入り、私は その後、DRAM,SRAMを

Sony内での事業化に挑戦しましたが、DRAMは試作開発に

とどまり、社外発表はできませんでしたが、 ISSCCの学会で、

世界発の 8 M bit の DRAMを 設計担当の 宮司さんが

考案のアイデアでしたが、この CMOS imager でも 使える 

bit line 信号線を読み出し時に floatingにすることにより、

高速にデジタル情報ですが高速増幅できる原理を使って

他社にさきがけて発表できました。この宣伝効果は大きく、

intel社からも cache memory 用のSRAMの受注を受け、

多くの日本の会社がDRAMの生産でおおもうけしている中、

SONYでもうけていました。



その後、ソニーのマイコン事業の設計の仕事を手伝いました。

ソニーは 8 bit と 16 bit マイコンを生産していました。

日立のH8マイコンの性能が良く、ソニー内のユーザ^も、

日立のマイコンなどを採用することになり、商売は先細りに

なりました。 


その頃、SONYが ゲーム機 PS1 の事業を始めました。

へえ、誰が? すごい、 という感じで友達に聞くと、

久夛良木さんだよ、とのことでした(拍手)。



彼は1975年の入社同期でした。入社時の配属は違いましたが、

私が入社時からお世話になっていた吉田室長の情報処理研究室に

私が CCDの開発生産のため移動して出た後、すぐ情報処理研究室

に配属になりました。同じソニー厚木テックの中にあり、時々古巣の

情報処理研究室に遊びに行っていましたが、そこで 彼がやっていた 

joystick などを使って テレビに映った顔を自由に real time で 

動かすデモを見せてもらったことがあります。


コンピュータを使って 映像を自由に操作し楽しめるものを造りたい

との夢を話していました。私はその半導体チップ側の人間で、ビデオ

カメラやデジタル処理用のプロセッサーやメモリーチップの開発者

でしたが、映像を使って、カメラを使って、デジタル回路を使って、

人間にやさしいコンピュータ支援システム AIPSと今は呼びますが

久夛良木さんの話を聞いて、俺も頑張らなきゃと感じました。


2000年に初孫が生まれ、私も50歳を過ぎたころには、

もう現役で仕事は難しく、技術管理系や技術研修係の

仕事を担当しながら、半導体技術企画室長などの立場で、

2000年に入り、2008年定年まで、 東芝の斎藤さん、

日本IBMの西原さん立ちと私は久夛良木さんの半導体

関係をサポートする仕事を最後にSONYを定年退職しました。


私が現役技術者として image sensor を 担当したのは、

まだ中研時代の吉田さんが率いる情報処理研究室のメンバーで

ほんの数人で CCD imager の設計・評価測定部隊でした。

1980年代になり、厚木テックで本格的な量産実験の時期となり、

1990年になるとソニー国分工場で生産が本格化するまでは、

SRAM事業やマイコン事業を担当していた私でしたが、

たいへん気になり、もとのCCDの職場の仲良し仲間から

話を聞き、いろいろアドバイスをできる範囲でしたがしていました。









考案してから40年が過ぎることになります。

この構造でも表面のP+ 接合領域は重要な役目をはたしています。

上部酸化膜と半導体基板の接触界面の原子レベルの結晶体の

乱れによる dark 電流を低減できます。










話がそれました。

ごめんなさい、もとの話にもどします。


1975年の特許出願の話でしたよね?







この2つの図は、1975年の時代では

特許請求範囲に入っていないが、新規的なデバイス構造要素が、

今なら、各社確実に特許にする内容があります。

(1) センサー部のTOPのP層に金属コンタクトがある。

    実際はこれは実施例の1つの特許の請求文には
     金属コンタクトの構造の内容はまったく触れておらず、
           特許請求していません。


        つまり金属コンタクトでなくてもいいということです。

    ただし、 floating で あってはならないのが条件ですので、

        言葉で説明しないであえて入れています。





(2)センサー部のN層が 左側の転送部の埋め込み
    チャネル側のN層と同一プロセスで製造可能な
    構造になっていること。


(3)センサー部から、左の埋め込み型CCDへ
   光電変換された信号電荷を転送する
   MOS型の転送ゲート構造が
   従来のNMOSトランジスターでなく、

    Source側は N+層でなく、
    そのままの受光部N層となっていること

(4)その転送ゲート構造の電極下がN-とさらに
   濃度勾配を持ち、埋め込みCCD側には
   埋め込みCCDの転送MODEで
   電荷を完全空乏化転送ができること。

(5)下の第6図では、受光素子であるPNP接合の
    N層を CCDの埋め込みチャネルCCDの
    埋め込み層のN層と同じぐらいなので
    完全空乏化が可能であることを
    意味する図になっています。

(6)さらに複雑になりますが、専門家なら
       理解可能なことですが、

   この転送ゲートのポリシリコン電極と 
   埋め込みチャネルCCDの電極が
   同一電極になっている構造の意味です。

ここで、埋め込みチャンネルのCCDの電極にプラスの
電圧をかけることにより、信号電荷は埋め込みチャネル
のCCD側に引き付けられます。

左のN層の受光部のPNP層に保存された電荷は、
そのまま、自然に図では左から右へと方向性が生じ、
転送ゲート下の埋め込みチャネルの (N-/N)層を通った
電荷はさらに深い谷になっている、右の埋め込みN層に
完全空乏化転送の形で流れることになる構造になっています。

実は、この転送ゲート部分も埋め込み型のCCD動作
をするゲートです。同じCCD用電極で、濃度をN-にして
垂直転送領域の埋め込みCCDのN層に対して、
方向性(図では左から右へ流れる傾向バイアス)を
つけるということです。


専門家には構造を見ただけで、その動作は自明です。



従ってこの図は電荷が左の受光構造(PNP)から
転送ゲート下に移動し、さらに埋め込み型CCD側に
「完全信号電荷の空乏化転送」 mode で移動する
ことが可能な構造となっています。




図はあくまで実施例の1つですが、

トランジスタに光を照射する、 

単純な PNP transistor 構造を

受光部素子とする特許です。


ただし、base領域の N 層に蓄積される電子を完全に引き抜き

空にする機能(完全空乏化転送機能)を備えた半導体装置の

構造の提案特許となっています。あくまで構造特許で特許請求

には、当時、単純な構造特許として出す方が特許審査官にも

理解が用意だという判断で会社は構造特許としてのみ権利

主張するとして、その特許の価値は実施例でできるだけ、

KNOWHOWになるので、素人には気が付かない形で、しかし、

その筋の世界の権威ある技術者には見えとってすぐ理解できる

様にということで、考えて当時26歳の萩原が描いた図です。



このNPN構造で、N層が完全空乏化転送が可能でないと、

特許の意味がありませんよね!  光を電気信号(電荷)として

せっかく貯めたものを テレビに映像信号として描画したいわけ

ですから、瞬時にそのためたお金を銀行からあり金全部すっきり

とはでに使いたい気持ちで、そういう気持ちですので、せっかく

N層(銀行)に蓄積した信号電荷(お金)の全部をCCD(お店)に

もって行かないと気がすみません。これを学術用語では、信号

電荷の完全空乏化転送といいます。この受光部 N層からそこに

たまった信号電荷をすべて転送し、そのN層を完全にからっぽに

するということを説明しないとこの特許の価値がありません。


特許を簡単に通すために難しい原理の説明は特許に入れるなと

言われたが、満足できるこっそり、この完全空乏化状態のN層の

様子を電子の電位曲線 ( potential curve ) をこっそりと挿入し

ました。 また、光が照射した時に、光電変換で電子が発生し、

N層に蓄積されると言いましたが、特許は構造特許ですので、

そんなことも特許文には記載されていませんが、図6には、

光から 電子(e-) と ホール(e+)  が発生する様子んも描かれて

います。わかるかな?  また、光があたり、どんどん電子が

たまったとき、過剰電子(e-)が N層の上のP層側に流れる様子も

図には描かれています。また、あたかも器に水がたまって行くように


器に水がたまるとその水面は平になりますので、その水面を点線で

ちょこっと描いてその様子を示しています。多分、特許の審査官には

気づかれないだろう、これは動作説明のさし絵ですので、特許請求

範囲には入っていませんので、お気遣いなく、、、と逃げることが

できるかも? 構造特許では可能かも?しかし、これは構造と関係

ないので、余分な KNOWHOWにかかわる説明図の絵を描き

加えるなと言われれかとドキドキでしたが、すんなり通って、社内の

上司の目も、特許出願審査官にも注文が出ず、胸をなでおろし

ました(笑顔)。萩原は、このN層の信号電荷をCCD読み出し側に

N層から完全空乏化転送することを、KNOWHOWと考えてあえて

それを特許にすることはないかと思っていましたが、KNOWHOW

を会社に出すということは、他社がそのKNOWHOW情報を見て、

技術競争で追従をうけ、自分の会社が不利になる危険があり、

それが心配でした(涙)。




このPNP受光構造に、光電変換された電子が、そのN層に、

受光時間にゆっくり時間をかけて蓄積された信号電荷(電子)が、

読み出し時に、瞬時に、右側にあるCCDに 転送されます。


本当にこの特許の価値は 器の水をからにする「完全空乏化

転送」にあります。しかし、その部分は、実施例として動作の

ほんの一例ですと、しています。


信号電荷(電子)の電位のカーブとしてPNP構造のN層が

信号電荷が「完全空乏化転送」された結果N層が完全空乏化

していう様子を電位図のカーブで描いています。


これは何かと図を見て尋ねられたら、「器の水(信号電荷)が

空になっている図」ですと上司にも特許弁理士にも同僚にも

説明していました。


構造特許にして、早くこの構造のものをまずは、製造したい

気持ちが会社にはありました。萩原は構造特許と動作特許

の違いもまだわからない、初めて会社で書いた特許でした。



この実施例は、ほんのこの特許に実施例構造の1つですが、

当時、学会で脚光と浴びていたCCDに、信号電荷を転送する

構造になっています。


しかし、この構造特許の正確な短い公式特許請求文ではCCDと

せず、もっと広い意味で CTD=電荷転送装置としています。

当時、CCDは日本語では 電荷結合装置と訳されています。


CTDは、文字どおり、電荷を転送する装置です。

CCDだけでなく、BBD なども含む文字どおり、

通常の電気回路では、電流が流れますが、

電流を、水道管に流す様な水の流し方とは違い、

CTDは、電荷のかたまり、 charge packet を

転送する装置の総称です。


BBDなど他の装置は転送残りがあります。

原因は NMOS トランジスタ―の drainとsource領域の

拡散層の不純物濃度を濃くして、金属との相性を良くして、

拡散層と金属端子のコンタクトをとるためです。



CCDは転送効率が99.999%にもなり、

それを完全空乏化転送と言いて私の学生時代、

CCDは大変脚光を浴びていました。




拡散層の不純物濃度を濃くして、金属との相性を良くして、

拡散層と金属端子のコンタクトをとれるのは上部のP+層、

すなわち、PNPトランジスタでは emiiter 端子でけでいい

のでは、PNPの baseと collector は 薄くしも 金属

コンタクトをとらなきゃいいんだ。その代わり、横の

特別な 転送電極(従来のNMOS トランジスタ―とは

異なる構造で、CCDやBBD,MOS imager の bit

line (垂直信号転送部)に信号を転送すればいいと

考えました。


CCDの完全空乏化転送が話題になっていた時代でした。


濃度の薄い拡散層(N層)の完全空乏化転送の原理は 

だれでも簡単に連想できるものと思っていました。


まだ、萩原は26歳で会社に入ってばかりで、あまり、

半導体業界や半導体専門技術にかかわる学会の

情報など知る余地がない歳でした。 




今、この「完全空乏化転送機能」を持つ「賢い電子の目」が

今世の中で普及しています。高感度で、雑音が少なく、

かつ 高速 shutter 機能や、高速 action picuture の

高品質映像を可能にしています・



近年、学会でも大きく取り上げられ、話題になり、世界中の

半導体技術者の注目のまととなりました。多くの技術者が

この「完全空乏化転送機能」を持つpinned diode 構造に

ついて多数論文を発表しています。その論文の1つに掲載

された図が下の図2(現在学会で話題になっている図)です。


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 わあ、この図2(現在学会で話題になっている図) と、はじめに

 説明した  図1 (萩原特許1975の実施図)を比較してください。

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        図2  (現在学会で話題になっている図)



    See  " A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"


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 わあ、この図2(現在学会で話題になっている図) と、はじめに

 説明した  図1 (萩原特許1975の実施図)を比較してください。

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        図1 (萩原特許1975の実施図)




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 わあ、この図2(現在学会で話題になっている図) と、はじめに

 説明した  図1 (萩原特許1975の実施図)を比較してください。

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両方の図の中に、同じ構造の、すなわち、酸化膜(ガラス)に

保護されたPNP構造が存在することがを誰でもわかりますね?

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どうしてかというと、CCDカメラという用語が現在世間一般に

いますが、実は今普及しいるカメラはもうCCDカメラではあり

ません。この構造をもつカメラなのです。それで学会で大きく

取り上げられているわけです。


萩原が1975年の考案した特許の実施例の図の中の

PNP構造と同一です。萩原の図では金属端子がTOP

のP層 (PNP トランジスタ―構造の 高濃度 emitter

領域)とコンタクトを取っています。金属配線と相性を

よくするにはこのP層は比較的濃度を濃くする必要が

あることは周知です。図ではPと描いていますが、


現在学会で話題になっている図2では、P+ となって

いますが同じ濃度のものです。いずれにせよ、図1

ではPNP構造、図2ではP+NP 構想としています。


これは同じ  PNP junction 構造を 受光素子として

つかうという画期的なことを提案している図になります。


萩原の1975年の特許の一番法的に効力ある構造

特許は、もっと請求範囲を会社ですのでがめつく

請求権を主張するために、 PNP bipolar 接合

トランジスタの emitter 端子に相当する端子、

すなわちP+濃度を解釈できる請求文になっています。


(1)半導体来基体(Nsub領域)に

(2)第1の半導体領域(P層)があり、

(3)その上に電荷蓄積領域の第2の半導体領域(P層)があり、

(4)そのP層に(どこでもいい) PNPトランジスタの

   emitter 接合を形成するとあります。

当然、 emitter は 濃度を濃く造りますので、P+ のことです。



従って、 萩原特許1975は、 P+NPNsu junction 構造を

「賢い電子の目」の網膜細胞に相当する、半導体受光素子として

採用するといく特許です。それが、1975年、今から50年以上

前に萩原が26歳の時に考案した構造が今実現したということです。





また、図1 (萩原特許1975の実施図)から、この構造を使って

P+NPNsub junction 構造の 電荷蓄積領域のN層から隣接する

CCDに信号電荷を「完全空乏化転送」をする実現できる構造で

あることを明示した具体例となっています(笑)。


残念なことに、この特許は日本だけに出願し、この特許の実際に

目で見た人はあまりいません。出願した私もきれいなものを持って

おらず、1975年に 「萩原さん、特許のdraftができたよ」と

特許担当者から送られたコピーでかなり落書きしてあるものしか

自分は保存していないのが現状です。


     1975年に萩原出願のHAD Sensor 基本特許




添付の図5と図6は、ほかにもいろいろあるが、特許を理解

する上で助けになるなるかと、補助的な目的で、特許に

描かれた補助図です、特許の有効性を説明しても、請求

の請求範囲を制限するものではありません。


(1)実施例が CCD構造だが、 

   請求文では 広く CTD として言及、今の裏面型も含みます。。

(2)実施例が PNP transistor 構造だが、

      請求文では P+NPNsub の thyrister 構造特許しており、

      特許請求範囲は、VODの一例のみしか言及していませんが、

       P+NPNsub の thyrister 構造のすべての動作 modeを

       期待した構造特許で、過剰電荷を上に流しだす例を
       
         説明しているだけですが、特許請求によくやる、

       「対象倫理」で、 上なら、その反対の下は容易に連想できる

         としていますのです。だから、後で、VODの動作に

         関わる特許が出願されても その特許をいじわるして、

         もう1975年の時の VODの提案の容易に連想できる

              派生動作 MODEであると主張し、

           その特許の無効性を主張できます。

       あくまで、この構造で 動作特許を後で出願した会社から

             特許料を請求された場合の話です。


            N層にある信号電荷から見ると特許の図からは

          P+NPN 構造がたてに積み重なっているので、

          逆トランジスター動作も対称論理であるわけで、

           VODの道は上にも下にもあることになります。










この構造は1975年に26歳の若い技術者だった萩原が考えた

構造です(笑顔)。彼の頭脳には、すでに難しい専門用語ですが、

CCD転送、すなわちMOS capacitorの下での、光から電子信号

に変換して生じた信号電荷を効率よく半導体の中を移動する技術、

それを「CCD完全空乏化転送」と呼びますが、そのすばらしい

発見のことが、彼の頭脳の中にはありました。 まだ、CCDが

発明されたことで、CCDのよさは世界は知りませんでしたが、

CCDが発明されたのは1969年でしたが、2010年代になって

そのCCDの考案者はノーベル賞を受賞しています。


まさか、CCDの発明で、発明者も自分がノーベル賞が

もらえるとは思っていなかったでしょう。


でも、自分が学生時代勉強したCCDです。


自分が学習したものがそんな重要なものだと

再認識にたいへん幸せ気分でした。



その時に 東大の池田先生から、

「来年、2013年は IEEE主催のISSCCの学会が、

60年前に創設され、ちょうど創立60周年になるので

その基調講演パネルに出席してください。」 

との依頼を受けました。


しかし、回路の勉強はさぼってどういう話をしようかと

ぎりぎりまで思案していました。結局は自分が担当した

分野のテーマでしかないかと、 imager についての

昔話をすることにしました。



    ISSCC2013の創立60周年の時の記録です。 





CCDの発明は魅力的でした。

CCDの「完全空乏化転送」は、原理的に

元来 CCDは MOS 容量の結合素子ですで、

MOS電極下にできた potential well に電荷を蓄積し、

それを理想的には 電子1個も取り残ることなく

転送移動することができる半導体素子です。





たいへん難しい概念を ISSCC2013に出席の

回路設計の専門家にどう説明するか苦労しました。

その時の様子が記載されています。


実は、私はそれを、この「CCD完全空乏化転送」のCCD構造を

大学の博士課程の論文のテーマとして研究し、1974年には、

米国 Philadelpha で開催の、 IEEE 主催の ISSCCで PhD論文を、

「埋め込みチャネル方のCCD構造の電荷転送について」と題して、

発表し、高感度 CCD イメジャーとして、表面型CCDの発明の後、

その派生品種として考案された 埋め込み型CCDがより最適で

あると報告しています。




    表面型 SCCDと 埋め込み型 BCCDの動作原理を勉強し、

    1974年のISSCCでCCDに関する博士論文の内容を発表、


       BCCDの埋め込みチャネルのN層の信号電荷の

    「完全空乏化転送」の動作の computer simulation 結果を発表、

  
         大学(母校CalTech)にある IBM360 と 

        CalTechのJPLの 36mmFilm描画機を使って、

            動画ムービーにして発表しました。



、         ( T, X, Y ) の 3次元変数問題として

          当時の IBN360のコンピュータを使い、

         FORTRAN言語で program code しました。 



    そして、大学を卒業し、1975年SONYに入り、

      CCDの「完全電荷転送原理」をもとに、

      CCDには、金属電があり、鏡の様に光を通過できないので、

        最終的な高感度の受光素子には不向きであるので、、

    P+NPNsub  junctio 構造を受光素子として考案し、
   
         入社してすぐこの構造特許を出願、

           その構造価値の実施例の図6では、

      こういうもので使いものなるよと言う説明で、


       その受光電荷の蓄積領域N層がCCDと同様に

    埋め込みチャネルと同じ濃度、同一層のN層にしておき、、

         CCDだけでなく、普通のN層でも、こうすれば、

      「完全電荷転送」が実現できるよと説明するために、

     図6Bに N層の完全空乏状態を示す曲線を描きました。


        図1 (萩原特許1975の実施図)










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      萩原良昭の出版図書の紹介
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   人工知能パートナー(AIPS)を支える   

 デジタル回路の世界

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ISBN 978-4-88359-339-2 C3055

本体 9000円+税 

B5サイズ 上製 475ページ (ハードカバー)

 TEL: 042-765-6460(代)        青山社


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テレビがアナログからデジタルハイビジョンテレビになり、

高画質で高精彩な画像を家庭に提供していますが、

その映像はビデオカメラ(撮像装置)が撮ります。

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そのビデオカメラ「賢い電子の目」を人間の目にたとえると、

光を感じる人間の網膜細胞の構造に相当するのが

この特許で記載されている固体撮像素子構造です。


と言っても、難しい話ではありません。


人間の頭脳には脳細胞がありますが、

人間の頭をコンピュータにたとえると、

人間に脳細胞に相当するのが、トランジスターという半導体素子です。


人間の目は、脳が進化して、外の世界をもっとよく知るために、

脳細胞が、脳の神経細胞が胞から飛び出し、

同時に皮膚が進化してレンズとなったものです。


従って、脳の神経細胞も、目の網膜細胞も、

もとは同じ神経細胞なのです。

脳の神経細胞に相当するのがトランジスターで、

その神経細胞が進化してできたのが脳細胞なら、

トランジスターの構造を進化させれば、そのまま、

「賢い電子の目」の網膜細胞構造になるはずです。


その着想で 考案されたのが この1975に出願した特許構造です。

図から見てもわかりますが、同じトランジスタ構造に光を照射する、 

単純な PNP transistor 構造を受光部構造としている特許です。







今では、放送局用から家庭用小型ビデオカメラや、

スマフォに搭載のカメラまで、高感度で高精細な映像を

提供しています。


固体撮像装置( Solid State Image Sensor ) と呼ばれる

半導体の chip ( ポテトチップの様なもの)です。



Intel の Processer が人間の頭脳に相当するなら、

Sonyの Image Sensorは人間の目に相当します。



その Image Sensor の構造は 太陽電池と同じ原理で、

光を電気エネルギーに変換する装置で、それも映像として

レンズに入った光をのImager と呼ばれる半導体 chip の

上に 昔のカメラの film の様に、投影して そのchipの

表面に移った映像を、半導体素子は 電気信号に変換し、

時系列、すなわち、時間の関数として、デジタル回路で

高速処理して、最終的に放送局から電波で各家庭に

送られます。 
 

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    次に、 現在スマフォやデジカメ用に実用化され広く採用されているもので、
 
         CCD/MOS イメージセンサー共通の基本受光構造でもあり、

           つまり、人間の目の網膜構造に対応したもので、

       HADセンサー( Hole Accumulated Diode) と呼ばれる構造に関する、

         低雑音高感度センサーの基本構造特許を紹介します。

a Japanese Patent by Sony on Nov 10, 1975


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         その技術内容を簡単に図を使って説明します。

         簡単と言っても、余談も入り、かなりの長文です。

           軽い読み物形式を取っていますので、

          時間あるときに スマフォでも使ってでも、
 
               気楽に読んでください。


            多くの勤勉な技術者の努力によりますが、

  どの様な歴史的な背景があって、いろいろな最新技術が現在に至るのか

              ご理解いただければ幸いです。

     
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(1) この特許の提案のあった1975年より以前の

      従来型の MOS imager は

   簡単なMOS transistor のプロセスを使用しており、

      受光部の NP diode の N 層は 

    one transistor DRAM と同じいように、このN層に

 信号電荷( 光電子 = photo electrons ) を蓄積していました。










しかし、この構造では、 受光部のN層は MOS transistor の

source と drain の様に、実際は かなり濃く doping されており、

光信号電荷(電子)を完全に N層の蓄積部から完全に引き抜けません。


その結果、transfer gate を通って、出力部分につながっている bit line

read out  出力部に出てくる信号電荷の量は、N層に取り残されたぶん

だけ、少なくなっていることになります。


つまり、N 層を完全空乏化(complete majority carrier depletion ) する

ことは不可能となり、画像に残像が発生し、画像の劣化を招き、特に

action picture 、高速で変化する映像を忠実に再現できなくなり、

質のいい映像が得ることができません。








(2) その頃、 1975年の頃です。 ソニーに入社して最初に出願した特許でした。



まだ、特許の書き方も未経験で、特許の弁理士は、特許請求範囲の最初の文章

だけは、しっかり読んで作文してください。その後につく、詳細な解説文は後からでも

誤字脱字を含めて、変更追加が可能ですと説明を受けました。それを聞いて安心して

実は、特許担当の弁理士が私が口頭で説明した内容を文章にして私にチェックする

するようにと依頼がありましたが、時間をかけず、かなりいい加減だったと記憶します。



NP接合の頭に P+ 層をつけて、 P+NP transistor と同じ構造にすることを考えました。





1975年当時は SONYでは カラーテレビの製品化が本格化しており、

ソニーの厚木工場は もともと ソニーのトランジスターラジオの製造販売で

大きくなりましたが、そのそのトランジスターを製造していた量産工場でした。



萩原は 1971年6月に母校(CalTech、Pasadena California USA )を卒業し、

その夏休みに日本に一時帰国しました。その夏休みの間(6月~9月)の

3 か月間、ソニー厚木工場の半導体事業部門の品質保証室で実習生として

いろいろな実践技術を、宇野主任から学びました。カラーテレビの映像処理用の

Bipolar IC の量産を半導体事業部門は担当していました。そこで Bipolar IC の

製造プロセス技術と ICの測定評価技術を勉強しました。その後 1975年1月に

博士課程の最終論文発表会を終了して、すぐ帰国し、ソニーに入社し、当時、

横浜にあった、ソニー中央研究所に配属されました。 川名部長、吉田室長、

越智課長、山崎係長、橋本係長代理から温かい歓迎を受けました。 当時、

会社の最優先開発研究テーマの1つと位置づけられた、民生用のビデオカメラ

の為の固体撮像素子の開発研究とそのカメラシステムの構築の担当する部隊

の一員として参画しました。 多くの先輩にいろいろ教えてもらいました。特に、

同じ職場にいた、同じ年の粂沢さんにも仲良くしてもらい、あまり経験ない私で

したが、 CCD イメジャーのデバイスの電気特性や出力信号波形の測定に

使う米国テクトロ社の最新オシロスコープの使い方などを教えてもらいました。




その頃のCCDは、元来 MOS Capacitor 構造で top に 金属性の濃く

dope された polysilicon 電極があり、元来 金属は 鏡の様に、光を通さず、

反射するので、受光構造には不向きで、CCD imager の光感度が期待して

いたほど高くはできないものでした。特に 短波長の、青色の色再現は大変

悪いものでした。


電荷転送素子としては CCD、特に埋め込み型CCDは、完全空乏化転送が

可能で、残像なしの質のいい action pictures が期待されました。


しかし、受光構造としては 金属性の電極を持つ CCD capacitor 構造は 

全く 使いものにはなりませんでした。 



そこで 従来の TOPが SiO2 の酸化膜(ガラス)で保護された、従来型の 

MOS プロセスの N+P junction type sensor に再度注目しました。 


MOSでなく、受光部は 本来の diode 素子や bipolar transistorの様な

表面が SiO2 のかたいガラス製の膜で保護されたデバイスがいいのでは

となんとなく感じるようになりました。



その時に頭に浮かんだのが、 1971年と1973年の夏にソニーの厚木工場に

実習に行ったときに教えてもらった bipolar process でした。 


idea は単純でした。 


DRAM や MOS imager で、 MOS transistor の N 層が floating mode に

なっており、 そこに DRAMでは デジタル情報として、 imager では アナログ

情報として 信号電荷(電子)を蓄積します。


では、 bipolar transistor でも、 base 領域を floating にすれば、 一時的に 

dynamic に、 PNP bipolar transistor の場合なら、 base 領域に 信号電荷(電子)

を蓄積できるはずです。 この場合、bipolar transsitor なら、いろいろな動作 mode

があります。つまり、 2つの接合動作動作の組み合えだけでなく、2つが接合する

ことによる特有な動作が生まれ、それが新しい 動作 mode として自由度が増えます。





その動作を imager の受光部としてはどうか?


そのメリットは後からゆっくり考えるとして、どうでもいいから、とりあえず、 



PNP transistor を センサー構造として採用することは、構造特許として価値

があるはず。


動作のことは、わからないが、難しい半導体の教科書、当時勉強していた本が

ある。まず、動作よりも、形になる構造特許が重要だと考えました。


構造さえ、正確に考案し記述しておけばいいのでは? 


その基本動作モードは全部半導体の本に書いてある。 


当時 Intel 社の副社長で、カリフォルニア州立大学の Andy Grove 教授が

書いたPhysics of Semiconductor と題する教科書もある。この本は、特に 

MOS トラジスター動作とそれに関係する半導体物理の本で、その教科書を

使って授業を、CalTechの大学3年生の時に 恩師 James McCaldin 教授

から教えてもらったことを思い出しました。 


また、 Bipolar トランジスターの動作とそれに関係するデバイスの構造と

動作にかかわる物性に関する詳細な内容は、当時 Stanford 大学の教授

だった John Luis Moll 教授 (1911~2011) が書いた、膨大な量の本があります。


生前 Hawaii で開催の VLSI  Symposium の会場などで、よくお会いしました。

昼の立食パーティなどで、がやがやと親しく話す人の間を、お皿を持ち歩き、

立ち止まっては、若い技術者の話を笑顔で聞いているお姿を思い出しました。



彼の本を開いて、彼が説明する PNP/NPN bipolar transistor や、

複雑な PNPN/NPNP thyrister の基本動作 mode を ゆっくり

復習しながら、中研の自分の仕事デスクで コーヒー片手に、

職場の外の景色を眺めていました。



彼の本を読みながら、何かイメージセンサーに応用できないかと

ページをいろいろめくりながら、自分の無能感・絶望感を意識しながら、

気持ちが沈んでいきました。


と言うのも、学生時代、彼が説明するNPNPサイリスタ―の動作原理、

特に punch-thru mode の大電流動作 mode や、 まったく電流が

流れない超高抵抗の current cut-off mode の動作原理を、 学生

時代に何度か学習し理解に挑戦していたものの、今だに理解して

いない自分にがっかりして、気持ちが沈んでいった時でした。


このPNPN構造のHADセンサーの特許が私の頭に浮かびました。 


構造は 4つの部分で構成されます。

(1) 半導体基体 (Nsub) と

(2) P+NP transistor 受光センサー構造の collector となる P層

(3) そのP層の上に位置し、NP接合を形成する N層、

    このN層は、このP+NP  transistor 構造のbase 領域のN層でもあり、

    NP junction photo sensorの 受光信号電荷(電子)の蓄積領域でもあります。

    その濃度に関しては基本となる請求範囲の本文には記述がありません。
    
    しかし、CTD側に 電荷転送すると請求範囲の本文に記述しています。

    CCDが発明されてから、電荷転送は、電流転送とは区別されます。

    電荷転送の場合は、電荷は packet ( 電荷のかたまり)として転送されることを

    意味します。CCDが発明されてからは、電荷の転送残りのない完全転送

    が期待されます。そこで、従来のNP型の受光構造の、このN層の濃度を

    図の具体例では 埋め込み型CCDのN層と同じぐらい薄い濃度として、

    図では、同一N層としています。

(4) この受光NP junction の N層に P+N 接合を造ります。

   このP+層は このP+NP transistor 構造の P+ emitter 領域に対応します。

   このP+層は、P+NP transistor の P+ emitter 領域の様に高濃度となり

   majority carrier の hole が 多数存在する領域で、 P+領域とその上の

   酸化膜との界面には電界勾配がなく、界面は電気的に安定となり、界面の

   結晶不完全性から生じる界面準位よるN層がCCD転送 mode で 完全

   空乏化していても、その電界勾配は 酸化膜界面には届かないことになります。




この構造特許では CTDとして CCDを採用した具体例を 添付の図

として挿入しました。その出願していた時に、萩原は 受光 NP diode の

N層を CCD転送部を 埋め込み型にすることにより必要となった

埋め込みN層が 濃度のうすいN層であるのに注目し、この薄い

濃度のN層をそのまま、受光NP diode に使うことにしました。


当時は、あまり、がつがつと、特許を細かく書いて他社との競争で相手の足を

引っ張るなんてことをする時代ではなく、この部分の特許権利を主張せず、

具体例としてそのまま、萩原は公開しました。当然、CCDは電荷を完全転送

できるので残像が生じません。雑音も少なく、すごい感度のいい imager に

なります。 その効果が評価され、1969年にこのCCDを発明した米国のBell

研究所の 、1948年には bipolar transistor が 発明されました研究所の、

Boyle さんと Smith さんが 後に ノーベル賞をもらいました (拍手)。 


そこで、このすばらしいCCDの発明の派生構造である 埋め込み型

CCDのlightly doped 埋め込み層を採用するという考えを そのまま 

このNP 接合の photo diode に使えると考えました。


従来構造の interline transfer 方式のCCD imager の構成図(図1) 

と、細かい絵素の詳細を 上から見たTOP Viewとして図2に描きました。


よく見ると、図2は、1975年の従来構造の Interline Transfer 方式の 

CCD  image sensor とは、すこし違うところがあります。


受光部 (N)も埋め込み型CCDのN層も同じ層で、従って同じ濃度です。

また、受光部からに隣接する transfer gate の下の基板濃度は 従来

のNMOSトランジスターなら P 基板のはずだか、N-層となっています。


垂直方向に電荷を転送する埋め込み型CCDの埋め込み層(N)の濃度

より低い濃度(N-)ということです。






右側の四角の 受光 NP diode 部分を N と 記載しています。



transfer 部の電極下の表面層の濃度は、受光部ののN層より 

さらに 薄くして、N- としています。バリアをつけて 電荷が左から

右に流れ落ちるようにしています。ここにも、CCDの 完全空乏化

電荷転送の原理を使っています。信号電荷は、左の受光部分から

右の埋め込みchannel 型 CCD で形成される 垂直に信号を転送

する analog shift register があります。  



今の感覚では、この構造も新規性があり、特許性があることになります。

しかし、特許にはしませんでした。当時は、そういう意識もありませんでした。



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      萩原良昭の出版図書の紹介
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   人工知能パートナーシステム(AIPS)の実現努力のお話(3)


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  Pinned Diode (HAD sensor) に関わる 日電ソニー特許紛争
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しかし、1980年になって、10年以上たってからの話ですが、


この transfer gate 下のN- 層の idea や、 受光部の NP 層の 

N 層自身を薄くして完全転送動作を実現することを、後になって、

詳細に 具体的に細かく、その濃度と数値と詳細動作を特許に記載し、

工業権利を主張する会社、日本を代表する大手出来会社の日本電気

さんが出現しました(涙)。 


SONYは 逆に 当時既に、イメジャーでいいビジネスをしており、

儲かれば儲かるほど、他社からは、当然ことあるこですが、、高額

な特許料を請求される危険にさらせれます。


SONYは、この特許でつらい立場に立たされたことになりました(大涙)。


しかし、特許紛争は各社水面下で極秘に進めるのが常で、この時も、

秘密会議を各社の担当者と何度も持ち、 水面下で 「技術の戦い」 する

ことに時間がさかれ、実際の技術開発や商品開発や製品の立ち上げに

従事できず、苦労しました。


結局、私が申請した特許に、具体例として図5と図6には、 埋め込み型

CCDの埋め込みchannel の N層濃度と NP junction のN層が同一

層で形成され、従って、同じ濃度であることことがその図から見てとれる

と主張し、日本電気さんからの特許請求を拒むことができました。


それは、1975年のHADセンサー特許に、特許性もなにも感じず、

まだ入社数か月しかたっていない新人技術者が初めて出した

特許に何げなく追加した、具体例を示した第5図と第6図でした。


第5図からは、 埋め込み型CCDの埋め込みN層の濃度が完全

空乏化できるぐらいの濃度であることが理解でき、


第6図からは、信号電荷(電子)が完全空乏化していることが

見るだけで読みとれます。



 One picture says more than a thousand words.



図6の電位の曲線から、デバイス物理を理解している技術者なら、

説明文がなくても、図6のスケッチ絵だけで、容易に、

受光部のN層が完全空乏化していると理解できるということです。



構造特許とは言え、電位図は 一種の動作 mode を示す図とも

解釈できるということです。 


ソニー入社してまだ数ヶ月の萩原が、気まぐれに、従来構造の

interline transfer 方式の構成図を 図1と図2に示すつもりが、

ちょっと違う風味を図2にも付けたことになります。 第2図と

第6図を具体例として入れていたことで、日本電気さんから 

億単位の特許料を支払う危険から、SONYは逃げることが

できたことになります(汗)。



この萩原特許は P+ 層で 過剰電荷の overflow を防ぐことを

主目的とした特許でした。しかし、日電さんの特許は 残像を

なくす完全空乏化転送 mode を 強く主張する動作特許でした。


しかし、あまり残像効果に関しては、萩原は認識はありませんでした。

CCDの完全空乏化転送は、すなわち、残像なしのことであり、

あえて 言及するほどのことでもないとの見解でした。


しかし、この受光部分の完全空乏化転送は、CCDの完全空乏化

転送とは、ちょっと違うなあと意識で、受光部のN層の完全化転送

については理解しており、当然の情報だったのですが、今から思うと、


このN層を完全空乏化するという概念は 世界で初めて 26歳の

萩原が無意識に動作 mode として理解し、この特許の第6図に

おまけに追加しただけでした。 


表面型のCCDは、NMOS gate 下の 酸化膜と P型シリコン結晶

との界面の反転層にたまる信号電荷を移動し、移動した後を完全

空乏化として信号電荷(電子)を皆無にしたものです。その動作の

転送動作が CCD転送が、完全空乏化転送と呼ぶ理由になります。


1975年当時は、 NMOS トランジスターの source 領域のN層の

濃度を薄くして、source 領域の majority carrier を 全部その

MOS トランジスターで吸い取るという考えは誰も思いつかなかった

ことになります。26歳の萩原が世界で最初にその動作modeを無意識

に理解し、図6に描いたことになります。


別の言い方をすると、1975年の頃は、 通常の P+NP transistor で

base 領域を完全空乏化することには、何の価値もないと、無視されて

いた時代でした。また、そんなことができるとは、だれも思っていなかった

時代でした。あえて、ベース領域の濃度を薄くしても N領域の majority

carrier を 完全には除去できると主張した科学者は誰もいなかったの

かも知れません。そう考えても無理のない時代でした。PNP型のトランジスター

を使おうとは考える人は世界に1人もいなかった時代でした。


しかし、萩原はこのPNP型の junction transistor を受光素子、

image sensor として使くことに注目しました。



しかし、萩原は CCD動作は完全空乏化転送であることを

しっかりと頭に入れていて、埋め込みチャネルの場合は、その埋め

込みチャネルとなるN層の信号電荷(電子)を、そのN層から完全に

抜きとることがです。





と同意義とCCDの動作原理を勉強し、

その動作解析で 博士論文を書き、その内容を ISSCC1974 で

PHD 論文として発表していた私は、「残像がないのは当然」という

認識があり、1975年のこの萩原特許ではあえて言及する必要の

ない周知情報と自分では思っていました。 


日本電気さんの Interline  Transfer 方式の

N- photo sensor 基本特許から ひやひやしながら逃げることが

できました(油汗)。


日本電気の特許担当者からは、「N層がどうして完全空乏するほど低い

濃度になっているか、定量的な数字がこの萩原特許にはない」と攻撃

されましたが、



(1) 第5図からは、受光部のNP層と 埋め込みCCDの埋め込み

   チャネル層のN層が両方同じ濃度であるので、埋め込みCCD

   動作と同じ様に完全空乏化が可能である低濃度N層であること

   は自明である、反論しました。


(2) 図6図からは、 電子が見る電位 potential の曲線が、完全空乏化

   した場合は、 放物線などの曲線の様に、極小点が存在するはずで、

   この図を見て、明らかな様に、極小点が1点となり、完全空乏化の

   証拠となると、反論しました。


   その後、日本電気さんの特許担当者からは、この特許に関する

   内容では、日本電気から特許料を請求される事はなく、ほっとして、

   胸をなでおろした経験があります。本当に、ひやひやでした(油汗)。



日電さんとSONYの水面下の特許交渉で 秘密会議でこの特許の存在を

日電さんに強く主張したおかげで、日電特許それも私よりずっと若い技術者が

出した特許で おおもうけをしていた SONYが 特許料を日電さんから

請求されていたのです。その特許額はすごい額でしょう。

多分、日電さんはほかの ITL imager  の生産会社にも水面下で

特許料を請求していたの個人的には 私は思っています。

どんか会社とやっているのかは大金がかかる話で、超極秘です。

しかし、この萩原特許があることに知らないために高額の特許料を

支払わされることになったでしょう。情報をシェアしていないつけです。






 



しかし萩原が考案した こうNPNP構造のセンサーは あくまで構造特許です。


当時の特許担当の弁理の説明では、私が動作の記述は必要ないのですがと

尋ねたら、構造の動作は、CCDの charge couple 原理の様な、ノーベル賞

ものの新規動作なら、特許記述は必要ですが、一般に許可書に書いてある

floating PN接合の動作や、 PNP transistor の base が floating 状態に

なる動作や、 PNPN 構造なので、 Bipolar IC の製造で いつも PNPN

サイリスタ―構造で punch thru の問題がある話や、1975 年からもっと時間

がたち、CMOS プロセスの製造技術が確立してからも 寄生的に発生する

PNPN構造の punch thru 現象なども新規性がなく、構造特許だけで十分

ですとの話でした。


しかし、今では、 computer soft や、 半導体LSIの回路図だけでなく、 

layout 図までが特許として価値があり、半導体デバイスをどう動作させるかも、

半導体動作特許として正確に記述して特許請求する時代になっています。 


そういう意味で、まったく、先行特許を書いたからと安心できません。


逆にその構造特許を参考にして、先行特許を出した会社が攻撃される場合もあります。

あまり動作記述を細かく記述しなかったのが原因です。


構造特許だけで安心と思い、その構造の意味する動作まですべてをカバーする形で

その特許に記載しなかったために、その後に出願したた会社から、より細かい動作を

記述した特許が提出されて攻撃される危険があり、今はたいへんな時代になったなあ

と、ため息が出ます。




上記の説明で この1975年の萩原特許はあまり動作の記述がありません。


特にP+NP  transistor 構造もどきものを image sensor 構造にしていて、


実際に 特許では 半導体来基体、すなわち、N type substrate  の silicon die

に造ることになるので、実際は P+NPNsub 構造となり、当時は Bipolar  transistor

の製造技術はまだまだ未熟で、この P+NPNsub 構造が thyrister 動作をしてしまい、

この thyrister の punch thru  効果は 垂直方向に流れる垂直横断大電流が流れる

ことは周知公開知識でした。SONYは日本を代表する bipolar LSI を製造する会社でした。

punch thru があり電流が垂直に P+NPNsub を 垂直に 流れることは周知です。

 

その P+NPNsub 構造を 萩原は  1975年に image sensor  として採用しています。

その長所は、 この P+NPNsub 構造に流れる垂直電流、実際は 定常電流でなく、

CCDの転送のような、 charge packet の電荷のかたまりですが、それを垂直転送・移動にも

VOD ( vertical overflow drain ) という動作 mode にも 使えると期待しました。


実際の特許の実施例では、単純に P+N 接合の VOD動作だけを記述していますが、

VOD動作は 上にも下にも、 特許出願の時に使う「対称」論理で、用意に類推できる

こととして、当時1975年の技術では一番簡単に実現する方法で実施例として図6に

提示しています。 これは、図6を見れば、半導体物理の専門家ならすぐCCD転送の

様な完全空乏化転送であることが理解できます。少なくとも、私やSONYの技術者には

図から明らかなように原理的に可能ですが、 punch thru 現象で苦労していて、そう

簡単には実現しないだろうと 思っていましたが、いつか造りたいとの気持ちは、せっかく

自分が特許を出願したのだらか、当時 26歳の若い技術者でしたが夢をすてないで

いました。 



しかし、その構造をソニーより、日電さんが先に試作に成功しました。


1982年12月のことです。IEEE主催のIEDMの寺西さんたちが発表しました。


それを見て、びっくりしました。しかし、うれしいでした。

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N. Teranishi, A. Kohono, Y. Ishihara, E. Oda, and K. Arai,

“No image lag photodiode structure in the interline CCD image sensor,”

in Proc. IEDM, Dec. 1982, pp. 324–327.

*************************************************************



しかし、このIEDMに記載している ILT CCD 特許が日電産から

出願されました。 1975年から8年がたち、またことあることに、

HAD sensor 構造を FT CCD 構造で発表していたこともあり、

SONYとしては、 HADセンサーの技術追従は覚悟していましたが、

まさか 萩原の「親特許1975」を寺西さんの「子ども特許1990」などの

後発特許を武器に 日電さんが 1990 年になってから、SONYに 

特許請求をするとは夢にも思いませんでした。


当然 1975年の特許はまだ技術が未熟な時代の特許です。

1990年代の特許は、いろいろな情報を参考にして

より完成度が高くなって細かく記載されていても当然です。

それでも親は子供に足台にされるのは

親の運命なのでしょうか(寂しい涙)。。。

 


●萩原の「特許1975]


Y. Hagiwara, Japanese Patent App 50-134985, 1975.



●寺西さんの「特許1990」

N. Teranishi, Y. Ishihara, and H. Shiraki, Japanese Patent JP 1,728,783, 1990.


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寺西さんと萩原は昔からCCDの開発仲間で

学会で顔を合わすと、 仲良く食事をしたりしてバカな話で

たのしい時間をすごします。


IEDMと言い学会は半導体デバイスの

国際オリンピック大会の様なもので、技術を純粋にフェアに競い合い、

誰が NO.1 かを 世界に 問う 場所です。寺西さんも萩原も

その技術の国際競技場で競う選手です。


 


1975年の特許は構造特許のみで、短い日本語ですが、特許弁理士さんが

書いた特許請求文は、わざとわかりにくい言い回しになっており、専門技術家が、

真剣にゆっくり読んで、やっと 「P+NPNsub 構造を受光素子とする構造特許」であると、

わかるもので、さらに、その実施例を注意深く見て、やっと、「VOD動作や完全電荷転送で

N層を完全空乏化した形」で描かれいる特許だと理解できます。 




最終的に日電社の担当技術者が誰かかわかりませんでしたが、日電さんから特許請求が

このHAD  sensor で ソニーにはなかったので、SONYは 大きな顔をして HADセンサー

の商標で この HAGIWARA diode(冗談)の CCD imager を 大々的に販売できたのです。




さらに、今の裏面型のCMOS imagerでも このP+層で 蓄積部の N層を酸化膜界面から

保護しつつ、高感度で、低雑音で、残像のない 画像を 提供することができています。






 









しかし、特許公開・論争はあくまで純粋技術の競争で、世界文明の

進歩と人類の幸福に最終的につながるものと信じます。若い世代の技術者にはどんな

ことでも特許申請してどんどん情報公開、他社の競争相手の技術者と情報シェアして

社会の発展と技術の進歩に貢献してほしいです。


         Love is Sharing .....





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 The pinned diode (HAD)に関わる 米国Fairchild社・ソニー特許紛争
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「ソニー特許紛争で逆転勝利」と 大きく新聞に記載されたことがあります。






これも 萩原考案の HAD sensor の特許と、たいへん関係ある特許紛争でした。


Fairchild社からは2件の製造特許でSONYは訴えられていました。


そのうちの1件が、このCCD sensor 構造の 垂直 overflow drain にかかわる

HAD 構造の PNPNセンサー構造特許でした。



米国のFairchild 社から SONYは CCD imager の構造特許料として 当時の

お金で、600億円相当とも言われる特許料を 請求されていました。


この HAD sensor の特許と、もう1つの特許で、ソニーでイメジャーの

デバイス・プロセス開発技術者の神戸さんが保有する特許の2つで勝ちました。





その後、ソニーは このdiode を HAD = hole accumulation diode として 商標登録し、

ソニーのデジカメや撮像機器に HAD sensor 搭載機器として 広くビジネスを広げる

ことができました (笑顔)。



この萩原特許は、19751年に、まだ特許出願がそれほど日本国内では重要視されて


いなかった時代に、日本国内だけに出願された特許です。外国出願は全くありません。

その為、海外では今だにまったく知られておらず、古すぎて日本国内でも母体である

ソニーの中でも知っている人は、みんな定年を迎え、どんどんいなくなっている状態です。



社内で昔出願された特許があるのにも関わらず、また存在を知っていてもその内容を

深く理解できる技術者が老齢化し退職して全くいなくなり、他社からの理不尽な特許の

請求に応じて、多額の特許を支払う危険がいつもあり、心配な世の中になりました(涙)。













さて、今までのところをまとめます。


(1) 従来の N+P junction type MOS imager は 次の様になります。







(2) 1975年に出願した HAD センサー構造は次のような構造になります。






これは、CTD( charge transfer device ) として CCDを具体例にした図です。

受光部の P+NPNsub の N層が CCD転送部の埋め込みチャネルの

低濃度のN層と同一層です。これは特許請求にはありませんが、たいへん

新規なアイデアでした。


また、P+NPNsub の punch thru に関わる垂直 overflow 動作に関しては

全く言及していません。 この特許が構造特許だけを抑えていたため、



この構造のデバイス動作で他社が特許を申請し、特許を請求した時はどう

対処するかの問題があります。それも、自分の会社が出した特許は古くて

もう効力がなく、自分の会社が提案したデバイスなのに、他の会社からその

動作に関する特許で、多額の特許料を請求される危険ができきます。


その動作は 半導体の教科書に記述され用意若い学生でも理解できることでも

特許に記載しなかったので、逆に請求されるのは たいへん理不尽なことです(大涙)。


実際に、サイリスタ動作 mode の1つの、PNPNsub 構造のうち、NPNsub の部分で

構成される NPNsub transistor の  punch thru mode 使って、、 N領域から、

大きくプラスにバイアスされたNsubの方向に余剰信号電荷(電子)を抜くけることは

Prof. John Luis Moll の本など、今ではいろいろな半導体の本に記述されていて用意に

理解できること (dilligence 行為がないもの)に 特許性があるとはまったく考えられない

とは正直に感じますが、何事も第3者の中立な技術の専門の方々に判断をゆだねる必要

があるでしょう。 



(3) CTDに MOS型の 電荷転送部を装備した、いわゆる今のCMOS imagerに

   萩原特許の HAD センサーを受光部とした場合は、次の構成になります。




 


この具体例では transfer gate は、 従来の MOS transistor 構造ではありません。


従来のNMOS transistor では、 source 領域と drain 領域は高濃度の N+ 層で、

gate 下は P 領域となります。しかし、 1975 年出願のの萩原特許の第5図に記載の 

transfer gate の構造では、source 側領域は、 薄い N 層のままでした。


また、 gate 下は、 P type 領域でなく、N- 層となり、source 側の N層よりさらに

薄くなっています。これで、完全な電荷パケット転送を可能にしています。今回の

応用例でも同じ transfer gate を 使って、 drain 側は 従来の NMOSの drain

領域と同じ N+ 層となっています。



(4) この構造はそのまま、TOP上部の表面構造を保護膜でカバーして、 裏面の

厚い Nsub の substrate を、 薄い KOH液を使って ゆっくり裏面から、溶かして、

図の様な 裏面照射型の CMOS imager のセンサー部分が完成します。


こうすることにより、P+ 上層部に金属信号配線などを走らせることが可能となり、

かつ、裏面からの光の採光効率が格段に向上します。







(5)  HAD sensor 構造を初めて採用したのは、萩原特許で

  具体例として記載されている Interline Transfer 方式の
  
  CCD image snsor ではありませんでした。製造プロセス的に

  単純な Frame Transfer 方式のでした。しかし、このFT型CCD

  の受光部には HADセンサを採用し、感度とたいへんよく、

  高品質画像を実現した、 8mm VTRと一体化の video camera 

  でした。そのの試作品を 1978年に新聞発表しました。

   米国 New York では、盛田会長が、東京では岩間社長が

   同時に新聞発表しました。 


   あれから今年で、40年になります。当時30歳であった若い

   技術者でしたが、さらに感度を向上させるために外国の裏面

   照射型のCCDの論文をもとに、 Frame  Transfer 方式の

   CCD imager で 裏面照射型を挑戦しました。


   しかし、この frame transfer 方式では 受光領域(1)と、信号電荷を瞬時に

   受光領域から転送して、その信号電荷を外部回路にテレビ受像器の

   走査線の動きと同期させて、出力転送する 信号電荷の保存領域(2) の

   2つの領域が必要で、 chip size は Interline Transfer 方式の2倍に

   なります。かつ、実は、 受光領域(1)から信号を一時保存する領域(2)に

   瞬時に転送することは不可能で、転送時も光の照射を受けており、

   画像情報の混合がたて方向に生じ、特に high beam の spot light が

   入ると 、たてに強い白線となり、画像の極端な劣化 (smear)となりました。






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            このテーマに関係して平成30年の

     文部科学大臣表彰 (科学技術部門)受賞ニュースを紹介します。



           
「積層型多機能CMOSイメージセンサー構造」


           の開発で ソニーの3人の献身的な技術者が受賞したニュースです。


            https://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/201804/18-029/index.html


   この技術のブレークスルーは未来の「かしこい電子の目」の実現と密接に関連があります。


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   Solid State Image Sensor (固体撮像素子)の背景と展望


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● FT型のimage sensor では smear による画像劣化が激しく、最終商品化の

  候補からは除外されることになりました。


● やがて、プロセス技術が進歩し、より複雑な Interline Transfer 方式の

    CCD型の image sensor が製造可能となりました。

   しかし、この構造でも smear による画像劣化が、

    太陽などに直接カメラを向けた時には生じました。

   まだまだ、 MOS 技術の 微細化技術は未熟でした。


  民生機器の事業化を進む SONYは SMEAR がまだまだ問題でしたが、

       まずは、 Interline  Transfer 方式の CCD  imager

            の商品化に着手しました。

   MOS imager の 読み出し配線まわりの配線容量の低減は見込まれず、

   1980年後半から1990年後半にかけては、放送局仕様の高性能・高感度 

   video camera と言えば、 Interline Transfer 方式 の CCD video

   camera が定番でした。




●中研時代の私の上司だった越智課長は、CCDのsmear をさらに低減すべく

  Interline-Frame transfer 方式なるもののCCD imager 搭載のを開発

  商品化しました。この構造は、受光部は Interline 方式のものと同一構造

  をしていて、かつ Frame Transfer 方式の 蓄積 領域を持っていて、

  信号電荷を、受光部から蓄積部に瞬時転送する時、 受光部に隣接する

  垂直CCD register の上部は、金属でカバーされているので光が通過しない

  ので、smear がさら減少することになり、放送局用のビデオカメラとして

  高く評価されることになりました。


●時代は、アナログテレビからデジタルテレビで画素数も急激に 4Kテレビ、

  8Kテレビと言われる時代となりましたが、CCDには転送効率と言って

  信号の取り残しが必ず生じ、深刻化するのは時間の問題となりました。


●その理由は 単純です。 CCD 転送には 転送効率の限界があります。


たとえば、 水平方向に 8000回転送する CCD analog shift register 、

1つの受光部(絵素)に、最大10万個の信号電子が蓄積できても、もし、

1回の電荷転送で1個の信号電子が取り残されると、99.999 %の転送

効率があっても、8000個の信号電荷が失われ、信号電荷が 9.2万個に

減少し、1割以上の信号電荷が失われ、混色雑音となり画像の劣化が

激しく劣化することになり、原理的に未来の高性能 固体撮像素子の

候補からは CCD imager は除外される運命となりました(大涙)。 


●結局、デジタルテレビがアナログテレビに代わったのと同様に、

  デジタルシステムに強い CMOS image sensor が 

  CCD analog shift register を排除することになりました。


●今では、 Intel 社の Gordon Moore 会長が 1960 年に予測していた様に、 

MOS プロセスの scaling 則に従い、CMOS image sensor の金属信号配線が

さらに微細化され、その結果 配線の表面面積に比例する 信号線容量が

極単に微細し、十分実用化に耐える時代となり、CMOS技術の天下となりました。 


●1980年代、若い技術者だった私は、CMOS imager は CkT雑音が大きく、

 いつになれば、結婚式の candle sevice の映像など暗い画像を撮ることが

 可能になるかわかりませんでした。 いくら、MOSの 微細化が進んでもと。

●White教授の double sampling 法により、CMOS imager に入る clock

noise が 激減し、さらでは、裏面照射型が、CMOS imager に相性がいいことが

確認され、今では、低雑音高感度のCMOS imager が完成して実用化され、CCD

image sensor を 市場から排除するほどになりました。


  そんな攻防戦の中でも、いつもセンサーの受光部には、HAD sensor 構造が 

CCDとMOS両方の構造で、いまだに採用されて 高感度低雑音に貢献しています。



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  以下の内容も  動揺に、 HAD sensor の歴史背景に関しての技術解説と

        なりますが、 英文での記述となります。(大涙)。。。

     内容的に、上記の日本語文と重複し、図も再度何度も出てきます。

         Reader が あちこち関連図を 探しまわることが内容に

           その絵がそれぞれの分節のそばにあると理解を助けると

        思われるときは、ためらわず、同じ絵をそばにつけます。




実は、どうしてここまで PUBLIC DOMAIN でやるかというと、今は国の大統領までが

いろいろWEBでつぶやく時代です。これも一人の70歳になる老人のつぶやきとして

特にこれからモノづくりに挑戦する若い技術者に読んでももらいたいと思っています。





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この7月で70歳になる、神奈川県厚木在住の老人です。

毎日パチンコして遊んだり、近くにいる 7人の孫と

食事したり楽しくやっています。



昔は会社でCCD イメジャーの開発をしていて、

今私の後輩でソニーの役員のCCDで上田くんや、PS3で清水くんと、

仕事をした仲です。



今回、SONY HAD商標の威信にもかかわり、

SONYと、SONYで開発者であった

私自身の名誉を傷つける事件がおきました。


私個人にとっては大事件です。


もう勘弁してほしいと思いました。


その一連の事件は 下記の論文がIEEEに掲載されたことによります。

先日、SSIS(半導体産業人協会)主催の半導体の技術講座の講師を

担当する時に資料準備をしていた時に偶然WEBで見つけました。


かなり前の2014年に発表された論文です。


私個人としては、事実無根で かなりバイアスある


純粋の技術論文とはとうてい感じない内容があり、


私の1975年の発明である、


 この pinned diode = HAD sensor の origin に関わる問題です。


" A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"


もう70歳にもなり この不当な技術論文に対抗して、

今さら技術論文を書いて、 IEEEの学会に投稿する元気はありません。



ほかの若い技術者がこれをヒントにいい仕事をして、その時にコメントでも

入れてもらえれば うれしいです(涙)。。。


どう公開論争にもっていくかをご相談したく、


私も新聞の読者の一人ですが、

私の、老人の悩み事を茶番話程度に


とりあげてほしいと思いました。


このWEBの読者や、いろいろな大学や研究機関の

専門家の方々からも、 ご意見を聞き、

私個人では客観性がありませんから、


客観的な見解をお聞かせもらえれば幸いです。



萩原良昭   ( hagiwara-yoshiaki@aiplab.com )



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   人工知能パートナーシステム(AIPS)の実現努力のお話(4)


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          Story of HAD image sensor


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Please read the following very interesting review paper.

There are many false descriptions in this paper,

however, maybe simply because of lack of information ?

But it is a very good educational paper for college students

if the false descriptions are all corrected.


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" A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors"

by Eric R. Fossum and Donald B. Hondongwa , which was published in

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, VOL. 2, NO. 3, MAY 2014

This paper is very much related with Hagiwara's early image sensor works.

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In this paper the authors does not disclose the existence of the Fig.6.

,which shows the most important pinned diode operation mode

of the complete charge transfer operation, which is clearly implied

by the potential profile indeicating the n storage area is

completely depleted of the majority carrier photo electrons.

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Fig 6 shows the most important pinned diode operation mode


In Fig.6 we see the completely majority carrier depleted potentilal profile curve

which is in the CCD-like dynamic operation of complete-depletion mode ,


for the first time introduced in the world by Yoshiaki Hagiwara

in his 1975 Sony patent shown below:






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The PPD structure was originally invented in 1975 by Hagiwara

in a photo sensing structure of a P+NPNsub junction type

for low lag , low noise and high sensitive CTD applications.



The photoelectron storage area of N layer can be in the

complete majority carrier depletion mode, resulting no lag.


This no image lag operation mode is clearly seen in Fig.6 .


Experts can see that the n layer is completely depleted

by observing the poential curve of the N layer storage area

shown in Fig,6 above..




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[19] N. Teranishi, Y. Ishihara, and H. Shiraki,

Japanese Patent JP 1,728,783, 1990.

[20] N. Teranishi, A. Kohono, Y. Ishihara, E. Oda, and K. Arai,

“No image lag photodiode structure in the interline CCD image sensor,”

in Proc. IEDM, Dec. 1982, pp. 324?327.

[21] B. C. Burkey et al.,

“The pinned photodiode for an interline-transfer CCD image sensor,”

in Proc. IEDM, Dec. 1984, pp. 28?31.

[22] N. Teranishi, Private communication, Dec. 2013.

[23] T. H. Lee and B. C. Burkey,

“A review of photo detector elements for interline CCD,”

in Prog. IEEE Charge-Coupled Devices Workshop, Jun. 1991.

[24] Y. Hagiwara, Japanese Patent App 50-134985, 1975.

[25] Y. Hagiwara, “High-density and high-quality frame transfer

   CCD imager with very low smear, low dark current and very high

   blue sensitivity,” IEEE Trans. Electron Devices,

   vol. 43, no. 12, pp. 2122?2130, Dec. 1996.

[26] Y. Hagiwara, “Microelectronics for home entertainment,”

   in Proc. ESSCIRC, Sep. 2001, pp. 153?161.

[27] Y. Daimon-Hagiwara, M. Abe, and C. Okada,

  “A 380Hx488V CCD imager with narrow channel transfer gates,”

   Japanese J. Appl. Phys., vol. 18, supplement 18?1,

  pp. 335?340, 1979.

[28] G. Beck et al.,

  “High density frame transfer image sensor,”

   Japanese J. Appl. Phys., vol. 22 supplement 22?1,

   pp. 109?112, 1983.

[29] IEEE EDS J.J. Ebers Award citation for N. Teranishi, 2013.

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Actually , as filed in a Japanese Patent by Sony on Nov 10, 1975 , this Pinned

Photo diode sensor was invented by Yoshiaki Haiwara. However, this patent

was filed only in Japanese patent and no Englsih version was available. Therefore,

very few people were exposed to its details. So, the details are explained below.

The P+NPNsub junction type photo sensor was first named as "HAD sensor"

in SONY, a long time before the name "Pinned Photo Diode", was introduced

in public in 1984. Actually, Sony's HAD sensor proposed in 1975 and the pinned

diode sensor named of 1984 are the same thing, which has the P+NPNsub junction

type photo sensor structure as shown below.

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This is the original HAD photo sensor structure of 1975, widely

applied now in many digital still cameras and smart mobile phones.


HAD sensor stands for "hole accumulation diode sensor"



This HAD sensor structure is sometimes called also as P+/NP

diode sensor. But this P+/NP diode does not behave like a regular

diode of the static current rectifying mode.



And also this HAD sensor structure is sometimes called as P+NP

transistor sensor. But this P+NP transistor sensor does not behave

like a regular P+NP transistor of the static current amplification mode.


Ref: JP 1215101 ( JP 58-46905 )


The conventional NP junction time sensor structure was used

with the conventional Interline Transfer buried channel CCD shift

registers for the image sensor shown in Fig.1 and Fig.2 below.

   












The patent proposed a basic semiconductor photo sensor

sturucture of P+/NP junction type, now also called as the

pinned diode. It is also called as the HAD sensor since

the top P+ layer is in the accumulation mode of the majority

(plus charge) hole carriers.


This top P+ layer stabilizes the oxide/semiconductor interface.









As claimed in this Japanese patent, the P+/N-/P junction sensor

has a similar structure of a P+NP junction transister which is

normally fabricated in the N type semidonductor substrate.



It has a highly doped P+ emitter layer, which is pinned to the

voltage level of ΦG ,which can be set at any level, not only

at the GND (Vss) level. So the P+/N junction can externally

to drain out the extra electron charge at high beam spot images.



The figure shows just an example case of the patent claim.

By symmetry arguments, other operational modes can be

possible, but not included in the figures, since the patent

claim is only about the P+/N-/P structure. No explation

on the device operation modes are included in the statements

of the patent claim, since this is a patent on a new semicondutor

device structure, even though some important operation modes

were clearly undestood from the figures above, such as ..



(1) The lightly doped N- type base layer can be completely

depleted of majority carrier photo electrons in the dynamic

P+/N-/P transistor off-current mode.


(2) To achieve the dynamic P+/N-/P transistor off-current

mode, the N-layer must be floating , like the floating N-layer

of the normal MOS NP photo sensor. Therefore, the base

contact of the proposed P+N-P transistor like sensor must

be eliminated in actual photo sensing operations.


(3) As claimed in the 1975 patent, the charge transfer deive

(CTD) , which includes not only CCD but also MOS imager

types as clearly stated in the 1975 patent claims. was used

to transfer the photo electrons from the floating N-layer


As long as the semiconductor structure is clearly stated,

the patent claim is complete , because other details of

the PN, NPN, and PNPN junction physics , CTDs such

as CCD and MOS imagers and their electical operation

modes were clearly understood in the public documents

and the related device physics textbooks which were

easily obtained in public in 1975s.



Right after the invention of the PNP&NPN type junction

bipolar transistors, a natural extention structure of the

PNPN&NPNP type junction physics and their operation

modes were intensively studied and understood in 1950s,

which include the punch-thru, the break down and others.



As explained in any device physics textook, to fabricate

a P+NP bipolar IC chip, many P+NP transistors are formed

in the same N type substrate, in order to isolate each N+NP

transistors electically.




So, the actual imaging photo sensing structure is implied, by

natural extended arguments, possibly to be a P+NPNsub

structure. The P+NP sensor structure of the patent is very

similar to the widely known basic bipolar transistor P+NPNsub

process used for bipolar ICs for color televison sets in 1970s.





The 1975 patent claims a slight difference in the N base doping

level. That is, the base photo sensing layer is lightly doped

so that the base N layer is formed in order to achieve the

completely depleted N layer ( completely emty charge ) mode.



CCD is a dynamic operation of MOS capacitors.



The lightly doped base N layer of the 1975 is similar

to the N buried layer of the buried channel CCD ,

which was widely known in 1970s.


The 1975 patent propsed a new and dynamic off-current

operational mode of the P+/N-/P transistor structure.


This patent proposed for the first time in the world the dynamic

operation of a PNP transistor-like structure with the lightly doped

floating base region, which can be completely depleted of the

majority carrier photo electrons..


From these two figures shown in the 1975 patent, with some

semicondutor physic background, these important dynamic operations

of this P+NP stransistor like structure, that is also known as a

P+/NP diode sturucture or a HAD sensor structure can be easily

understood by semiconductor device engineers even in 1970s.


With this understanding, the patent claim is only about the P+NP

sturctural claims and no detailed operational claims were included

in the patent.



But a picture speaks more than a thousand words.

So these two important figures were included in this1975 patent.








(1) Buried Channel CCD sensor proposed in 1969.
**********************

The buried channel CCD sensor invented in 1969 is also a typical

MOS capacitor type sensor with the polysilicon-metal gate on the top.


The actual sensor structure is the metal/oxide/N-/Psub sturcture.


The buried channel is the lightly doped N- layer which can be completely

depleted so that the completely image-lag free picture became possible.



However, like a mirror, the metal gate reflects light and prevents light beam

from reaching the N-/Psub junction charge storage layer.



Therefore, the buried channel CCD sensor has a very low light sensitivity ,

and was not really suited for imaging.


So, more sensitive photo sensing sturucture was desired.



(2) N-/P junction photo sensor after 1969
*******************

Before the invention of the buried channal CCD in 1969,

the original diode photo sensor was an oxide-exposed N+/Psub

type junction sensor with the light-transperant oxide on the top.



The N+ layer was normally highly doped and could not completely

be depleted of the majority carrier electrons, which results in

very serious image-lag pictures.



But after the invention of the buried channel CCD in 1969,

it was easily expected that the N+ layer could be changed to

the lightly doped N- layer, which is similar to the N- layer of

the buried channel CCD, to achieve the completely image-lag

free picture quality of the buried channel CCD sensors.



(3) P+/N-/P junction photo sensor proposed in 1975
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In 1975, Yoshiaki Hagiwara of Sony proposed the oxide exposed

P+/N-/Psub type junction sensor structure, which is now known as

the pinned diode or the HAD sensor, with the P+ layer on the top.


The P+ layer is similar to the P+ emitter of a P+NP transistor,

since the operation modes of a P+NP transistor include

many different operation modes, more than the normal

bipolar current amplification mode.



That is, a P+NP transistor can also be in the current-off

mode with both the P+N and NP junctions on reverse bias.



This oxide exposed P+/N-/Psub type junction sensor has a similar

process flow of the PNP bipolar transistors IC chips with a slight

modification of the lightly doped N- base doping level to achieve

the same completely image-lag free picture quality of the buried

channel CCD sensors of type (1) shown above.


The device physics ( operations such as punch-thru and brake-down)

of the N+/P-/N junction devices, are well explained in semidonductor

device textbooks, so not included in the patent claims.



(4) P+/N-/P junction photo sensor on N sub after 1975
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In 1970s, the PNP bipolar transistor ICs were on produltion lines.



In order to isolate the emitter/base/collector terminals of each PNP

bipolar tansistors, each PNP bipolar transistor was normally formed

separately on the N-substrate. So the actual cross section of the

PNP bipolar transitor was the PNPNsub junction structure in 1970s.


So, the actual photo sensor sturcture became P+/N-/P junction

photo sensor on the N type substrate.



The device physics ( operations such as punch-thru and brake-down)

of the N+/P-/N junction devices, on the N type substrate , are well

explained in semidonductor device textbooks, so not included in the

patent claims.





This patent claims only on the formation of the P+N-P junction

photo sensor structure, although the figures in the patent

implies some essential operation modes of the P+N-P

junction type sensing operations. The detailed operation

modes could be easily understood from the figures and

were not included in the patent claims.



This patent is such an old patent and now has no money value.


However, having been modified and improved by a lot of delligent

engineering efforts , the pinned diode, that is, the original P+NP

sensing structre is still very important for realizing the low-noise

and highly sensitive imager sensors.


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     Summary Comments on the Pinned diode sensor

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The P+/N/P junction sensor structure of the type(3) above was

first reported by Hagiwara of Sony in his paper on the narrow

channel frame transfer type image sensor at the 1979 CCD

conference in Edinburgh.

          ADVANCES IN CCD IMAGERS


In the original Hagiwara's 1975 patent of the P+/N/P junction

sensor structure, P+ layer (Emiiter) and P layer (collector) have

different contact pins with extra operational freedom as shown below.


But in the P+/N/P junction sensor structure of the type(3)
reported at the 1979 CCD conference in Edinburgh,  both the
contact pin for the P+ layer (Emiiter) and the contact pin for
the P layer (collector) are connected together and set at the
P type substrate GND voltage level.

The same scheme is also possible in Interline transfer CCD
image sensors..



In late 1980s, the engineering technology has improved drastically,

and the P+/N/P junction senseor structure of the type(3) was

applied on the interline CCD image sensor as exactly depicted in

Hagiwara's 1975 patent figure above.





Later on, with further pains-taking enginering dilligence, the

P+/N/P junction with N-sub sensor structure became possible

for the interline transfer type CCD imagers in many companies.



In 1990's many companys, including Sony and NEC successfully

reported the interline transfer type CCD imager with the

P+/N/P junction sensor structure on the N-sub of the type(4)

above , with detailed and clear explations on the P+NP type

transistor off-current mode (Hagiwara's invention) and the

NPNsub type transistor punch-thru mode operation ( see

Prof.Moll's PhD thesis work in 1954s and expalined in details

in Prof. Moll's famous semidonductor physics textbooks.) .


The original P+/N/P junction image sensor, which is now

known as the pinned diode sensor is Hagiwara's invention

in 1975 and the structure was clearly shown in the figures

in his patent.



A picture says more than a thousand words.




Pinned Photo diode sensor was invented by Yoshiaki Haiwara,

and filed in Japanese Patent by Sony in Nov 1975 :.






This is the original pinned (P+) NP diode photo sensor structure ,

widely now applied in digital still cameras and smart mobile phones.

   Ref: JP 1215101 ( JP 58-46905 )

The natural extention of the original P+/N/P junction image

sensore was the P+/N/P image sensor on the Nsub of type(4).


This argument is strongly supported by the observation

of the bipolar PNP transistors fabrication flows adopted

in the 1970's actual production lines in many companies.


That is, each PNP transistors must be isolated from

each other electrically to have a working PNP transistor

ICs. For this reason, these PNP transistors were actually

fabricated on the N-type substrate base in the 1970's

actual production lines in many companies.


The PNPN structure was already well known in 1950's .



Prof.Moll himself , as a young PhD student, was working

delligently on the many different operational modes of

the PNPN thryster structures in 1954 for his PHD thesis.

Later, he published many famous semicondutor device and

circuits textbooks which many young students have studied.




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In ISSCC2013 plenary panel presentation and in the following

IEEE solid-state circuit magazine of 2013 summer issue,

Hagiwara explained the basic image sensor structures of the

CCD type, NP type, P+N-P type and P+/N-P/Nsub type.


  ISSCC2013 the 60th Birthday Anniversary Plenary Panel Talk  Memo


Idea was simple, but to transform the idea into a working

useful device, many years of efforts and delligence of many

hard working enginners were needed. They are the ones to

be recognized and encouraged for their future delligence.


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      萩原良昭の出版図書の紹介
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   人工知能パートナー(AIPS)を支える   

 デジタル回路の世界

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ISBN 978-4-88359-339-2 C3055

本体 9000円+税 

B5サイズ 上製 475ページ (ハードカバー)

 TEL: 042-765-6460(代)        青山社

 補足資料(Appendix)
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